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- [发明专利]焊盘结构和电子器件-CN202211625257.7有效
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吕慧瑜;罗杰馨;柴展
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上海功成半导体科技有限公司
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2022-12-16
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2023-10-27
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H01L23/498
- 本申请的实施例提出了一种焊盘结构和电子器件。焊盘结构包括衬底、第一绝缘膜层、BPSG绝缘膜、阻隔层、金属电极和打线,第一绝缘膜层设置衬底的一侧;BPSG绝缘膜设置在第一绝缘膜层远离衬底的一侧,BPSG绝缘膜上形成有槽结构,槽结构贯穿BPSG绝缘膜;一部分阻隔层设置在BPSG绝缘膜远离衬底的一侧,另外一部分阻隔层设置在槽结构内并与第一绝缘膜层贴合;金属电极设置在阻隔层远离衬底的一侧,打线设置在金属电极远离衬底的一侧。根据本申请实施例中的焊盘结构,其在BPSG绝缘膜上形成多个槽结构,如此,能够减少BPSG绝缘膜与阻隔层的接触面积,并以此减少金属电极从第一绝缘膜层剥离的风险,提高焊盘结构的可靠性。
- 盘结电子器件
- [发明专利]一种SGT功率器件及其制作方法-CN202310973771.8在审
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高学;柴展;罗杰馨
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上海功成半导体科技有限公司
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2023-08-03
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2023-10-13
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H01L27/088
- 本发明提供一种SGT功率器件及其制作方法,该器件的沟槽中不仅具有栅极多晶硅与屏蔽栅多晶硅,还具有调节栅多晶硅,其中,调节栅多晶硅位于屏蔽栅多晶硅上方,栅极多晶硅包括中间部及侧翼部,中间部位于调节栅多晶硅与屏蔽栅多晶硅之间,侧翼部位于调节栅多晶硅两侧并与中间部连接。本发明通过灵活应用调节栅多晶硅的电连接方式,可以实现不同性能的器件,其中,当调节栅多晶硅与栅极金属层短接时,器件栅源电容较小,能够快速开关,适合高频应用;当调节栅多晶硅与屏蔽栅多晶硅或源极金属层短接时,器件栅源电容较大,能够减少开关震荡,抗冲击能力强,并能够降低反向传输电容与输入电容的比值,适合应用于电池管理系统以及电机控制等。
- 一种sgt功率器件及其制作方法
- [发明专利]一种屏蔽栅功率器件及其制备方法-CN202310877511.0在审
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高学;柴展;罗杰馨
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上海功成半导体科技有限公司
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2023-07-17
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2023-10-10
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H01L21/28
- 本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别涉及一种屏蔽栅功率器件结构及制造方法,制造方法包括:提供半导体层;于所述半导体层上形成沟槽;于半导体层表面形成场氧化层;刻蚀部分所述场氧化层,使场氧化层的高度低于沟槽顶面高度,以形成屏蔽栅介质层;于屏蔽栅介质层上方形成第一栅极结构;于沟槽内形成屏蔽栅极结构;部分刻蚀屏蔽栅极结构,以在屏蔽栅极结构上形成刻蚀区域;于所述屏蔽栅极结构上的刻蚀区域上形成第二栅极结构;其中,至少部分屏蔽栅极结构位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间;本发明通过提高两极间电容来提高器件输入电容,减缓器件的开关速度,避免器件关断过快导致的电压波动,提高电路的稳定及可靠性。
- 一种屏蔽功率器件及其制备方法
- [发明专利]一种功率器件及其制造方法-CN202310879480.2在审
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高学;柴展;罗杰馨
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上海功成半导体科技有限公司
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2023-07-17
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2023-10-10
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H01L21/28
- 本发明涉及半导体器件制造领域,特别涉及一种功率器件及其制造方法,包括:提供半导体层;于所述半导体层上形成多个沟槽;提供第一光罩,使用第一光罩对半导体层进行第一次光刻;对非光罩图案区沟槽的底部进行终端离子注入;于半导体层表面及沟槽内壁形成场氧化层;于沟槽内形成屏蔽栅极结构,所述屏蔽栅极结构的顶面与半导体层上表面齐平;刻蚀图案区沟槽内的屏蔽栅结构;在图案区沟槽内的屏蔽栅结构上方形成介质氧化层,部分刻蚀介质氧化层,以在介质氧化层上形成栅氧化层沟槽;在栅氧化层沟槽中形成栅极结构。本发明相比于现有技术,使用一个光罩即可完成对终端区的离子注入和对屏蔽栅区域的限定,节约了光罩成本,具有显著的有益效果。
- 一种功率器件及其制造方法
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