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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]样件的分离设备与分离方法以及基片的制造方法-CN99123686.6无效
发明人： 柳田一隆;近江和明;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-11-05 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中，而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有：一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。
样件分离设备方法以及制造

[发明专利]样品加工系统-CN99123433.2无效
发明人： 柳田一隆;近江和明;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-11-05 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括：无向自动控制装置，用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片；以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时，就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。
样品加工系统

[发明专利]组合元件的分离方法和制作一种半导体基底的方法-CN98102954.X有效
发明人：近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-03-27 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
组合元件分离方法制作一种半导体基底

[发明专利]物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法-CN98126335.6无效
发明人：近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-12-25 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法。提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108，109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101)，从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
物体分离装置方法以及半导体衬底制造

[发明专利]多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法-CN98125516.7无效
发明人：坂口清文;柳田一隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-12-25 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供一种多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法。该去除方法可保证去除多孔层后的底层平整度，包括：第一步，把预处理液(如水)注入多孔层；第二步，用腐蚀剂(如氢氟酸)代替填充多孔层的预处理液，并用腐蚀剂腐蚀多孔层。通过这种方法，可以缩短将腐蚀剂注入多孔层的方法，从而减小了腐蚀进展的差别。
多孔去除方法半导体衬底制造

[发明专利]半导体样品加工系统-CN99123434.0无效
发明人： 柳田一隆;近江和明;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-11-05 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括，其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的驱动机械装置以及用于处理在操作位置上的键合衬底叠片或分离的衬底的定中心装置、分离装置和清洗/干燥装置。
半导体样品加工系统

[发明专利]用流体分离组合元件的方法和装置-CN03107555.X无效
发明人：近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-03-27 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
流体分离组合元件方法装置

[发明专利]晶片处理装置、晶片处理方法、和半导体衬底制备方法-CN98105320.3无效
发明人：上原二三男;坂口清文;柳田一隆;原田贤一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-02-20 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)，通过使用晶片旋转连杆(53)同时垂直提升晶片底部来旋转和垂直移动晶片的同时来处理晶片(40)。
晶片处理装置方法半导体衬底制备

[发明专利]半导体衬底制造方法-CN02130553.6无效
发明人： 柳田一隆;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-02-04 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：支架驱动机构用夹持部分固定晶片支架，并在晶片处理槽内摆动它。当晶片周边部分与摆动支撑部件的顶部接触时，晶片旋转并在晶片支架里垂直运动。晶片能被有效地摆动，能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波，能够提高处理速率。
半导体衬底制造方法

[发明专利]晶片处理装置和晶片传送装置以及晶片处理方法-CN98105640.7无效
发明人： 柳田一隆;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1998-02-04 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种通过把晶片浸入处理液来处理晶片的晶片处理装置，包括晶片处理槽；直接或间接固定晶片的固定部分，该固定部分允许晶片旋转；在所述处理槽内移动所述固定部分的驱动部分；以及具有接触部分的部件，所述接触部分固定于所述处理槽中且允许与晶片的周边部分接触，所述驱动部分移动所述固定部分，使所述晶片的周边部分与所述部件的固定的接触部分接触来旋转所述晶片。晶片能被有效地摆动，能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波，能够提高处理速率。
晶片处理装置传送以及方法

[发明专利]组合元件分离方法、薄膜制造方法和组合元件分离设备-CN00135339.X无效
发明人： 柳田一隆;近江和明;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-12-08 - 公布日： 2001-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种组合元件分离方法,在与第一元件(1)和第二元件(2)之间的键合界面不同的位置上,分离具有分离层(4)和在分离层(4)上的转换层(5)的第一元件(1)与第二元件(2)键合的组合元件该方法包括对组合元件的端面部分施加相对于界面非对称性的力而形成从第一元件(1)表面穿过转换层(5)延伸到分离层(4)的裂纹(7A)的步骤和然后沿着分离层(4)增长裂纹以致完全分离组合元件的步骤。
组合元件分离方法薄膜制造设备

[发明专利]衬底及其制造方法-CN00105306.X无效
发明人：坂口清文;近江和明;柳田一隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-11-08 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：将具有多孔层的第一衬底键合到第二衬底上制备键合衬底叠层,在多孔层处将键合衬底叠层分成两个衬底,防止了分离步骤中存在的缺陷。该第一衬底内部具有多孔层(12),在多孔层上具有单晶硅层,在单晶硅层上具有SiO2层。将该衬底的外边缘部分氧化使单晶硅层的外边缘朝着内部进行再处理,其中单晶硅层(13a)的外边缘位于键合区域的外边缘之内。在多孔层(12)处将键合衬底叠层分成两个衬底。
衬底及其制造方法

[发明专利]分离合成件的方法和用来生产薄膜的过程-CN00108219.1无效
发明人：近江和明;中川克己;佐藤信彦;坂口清文;柳田一隆;米原隆夫 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-04-30 - 公布日： 2000-11-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：为了在分离层中的固定位置处引起裂纹,一种分离合成件的方法包括步骤在合成件内部形成一个分离层;在分离层内部形成一个其中平面应力已经集中产生到不会由平面应力引起分离的程度的应力上升层;及增大平面应力以在应力上升层中引起裂纹,由此分离合成件。
分离合成方法用来生产薄膜过程

[发明专利]分离装置、分离方法及制造半导体衬底的方法-CN00101846.9无效
发明人：近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆;栗栖裕和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。在分离键合衬底叠片(30)的外围部分时,喷嘴(112)位于范围(B)内。
分离装置方法制造半导体衬底

[发明专利]复合元件、衬底叠层及分离方法、层转移及衬底制造方法-CN00101844.2无效
发明人： 柳田一隆;近江和明;坂口清文;栗栖裕和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：键合第一与第二衬底而形成的键合衬底叠层被恰当地分离。具有内部多孔层以及多孔层上的单晶硅层和绝缘层的第一衬底(10)与第二衬底,在偏离中心位置的情况下紧密接触,以便制备具有突出部分的键合衬底叠层(30),第一衬底(10)的外边沿在突出部分处突出到第二衬底(20)的外边沿外面。首先,将流体喷射到突出部分以形成分离开始部分(40),然后,在旋转键合衬底叠层(30)时,从分离开始部分(40)开始分离。
复合元件衬底分离方法转移制造

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