|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 69个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种抗侧信号攻击存储单元-CN202211010294.7在审
-
柏娜;马君武;许耀华;王翊;吕纪明;陈小杰
-
安徽大学
-
2022-08-23
-
2022-11-22
-
G06F21/78
- 本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元，该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路，具有一对互补存储节点；行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点；读操作电路，与所述写操作电路连接；其中，所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后，模仿所述写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性。本申请设置与写操作电路结构一致的行为模仿电路，在写操作电路写入数据后，利用行为模仿电路模仿写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性，提高了存储单元抗功耗攻击的能力。
- 一种信号攻击存储单元
- [发明专利]一种抗辐照存储单元-CN202211023668.9在审
-
柏娜;陈子涵;许耀华;王翊;吕纪明;周月亮
-
安徽大学
-
2022-08-24
-
2022-11-18
-
G11C11/412
- 本发明公开了一种抗辐照存储单元，其由10个一类MOS晶体管、8个二类MOS晶体管和4个存储节点构成，10个一类MOS晶体管依次定义为P1～P10，8个二类MOS晶体管依次定义为N1～N8，4个存储节点依次为第一存储节点Q、第二存储节点QB、第一冗余节点S0及第二冗余节点S1。本发明的抗辐照存储单元的第一冗余节点S0和第二冗余节点S1均只由PMOS晶体管包围，在不同存储状态下，总有1个节点处于极性加固状态，可以有效避免发生数据翻转；同时节点数据的稳定保证了剩余节点可以在发生翻转后通过电路反馈恢复至初始状态，从而使得电路抗SEU的能力得到了提高。
- 一种辐照存储单元
- [发明专利]存储单元、差分存储单元及非易失性存储器-CN202211028643.8在审
-
许耀华;陈小杰;王翊;柏娜;高东升;杨帅
-
安徽大学
-
2022-08-25
-
2022-11-15
-
G11C16/04
- 本发明公开一种存储单元、差分存储单元及非易失性存储器，该存储单元包括控制晶体管，作为电容器件，所述控制晶体管的阱作为控制端口；第一读取晶体管，第一读取晶体管的源极与阱相连作为读取端口；第二读取晶体管，第二读取晶体管的阱和源极与地电压相连；及选择晶体管，选择晶体管的栅极作为选择端口，选择晶体管的源极作为信号输出端口，选择晶体管的阱与地电压相连，第一读取管的漏极、第二读取管的漏极及选择管的源极相连；控制晶体管的栅极、第一读取晶体管的栅极和第二读取晶体管的栅极互相连接形成浮栅。本发明的存储单元编程和擦除操利用FN隧穿效应，具有功耗低、存储密度高，面积小，擦写忍耐性及数据保持性强，以及读取速度快的特点。
- 存储单元非易失性存储器
- [发明专利]一种抗功耗分析攻击单元-CN202211028648.0在审
-
柏娜;李航;许耀华;王翊;马君武;陈冲
-
安徽大学
-
2022-08-25
-
2022-11-15
-
G11C16/22
- 本发明公开了一种抗功耗分析攻击单元，其由一类第一MOS管、一类第二MOS管、一类第三MOS管、一类第四MOS管、一类第五MOS管、二类第一MOS管、二类第二MOS管、二类第三MOS管、二类第四MOS管构成。本发明的抗功耗分析攻击单元能够使得单元功耗与读出的数据无关，继承了传统单元在读操作时对抗功耗攻击的天然优势，保持了功耗与读出数据的低相关性，而且能够达到数据翻转和数据保持时的功耗平衡，并且由于在写操作开始阶段存储点数据刷新，无论第一存储点初始储存的数据是什么，都可以保证功耗的一致性，并且综合看存储点读、写任何数据时都只消耗单个位线的能量，因此存储点总体功耗也较低。
- 一种功耗分析攻击单元
|
