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[发明专利]基板载置台及其电浆处理装置以及电浆处理方法-CN201980001478.7在审
发明人： 林靖之 -专利权人： SPP科技股份有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基板载置台(15)，其可减轻腔室(11)内的温度等的外部因素影响。配置于电浆处理装置(1)中的腔室(11)内的基板载置台(15)，具备静电夹头(61)与冷却套管(62)，静电夹头(61)由上侧圆盘部(61a)与下侧圆盘部(61b)所构成，该上侧圆盘部(61a)内建用以静电吸附的电极(71)，该下侧圆盘部(61b)具有比上侧圆盘部(61a)更大的直径，且内建加热器(72)。配置于上侧圆盘部(61a)的径向外侧并且覆盖下侧圆盘部(61b)上表面的聚焦环(64)、将冷却套管(62)的至少一部分及下侧圆盘部(61b)围住的隔热用上侧环状盖(65)、以及与上侧环状盖(65)一起夹持冷却套管(62)的隔热用下侧环状盖(66)为陶瓷制成。
圆盘部基板载置台冷却套管环状盖电浆处理装置静电夹头隔热内建腔室外部因素影响加热器电浆处理静电吸附聚焦环上表面电极夹持配置陶瓷围住覆盖

[发明专利]等离子蚀刻装置-CN201380043981.1有效
发明人：山本孝;太田和也;笹仓昌浩;林靖之 -专利权人： SPP科技股份有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明有关一种基板蚀刻装置，其可提高所生成等离子平面内密度的均匀性，并对基板表面整体均匀地进行蚀刻。该基板蚀刻装置具备有腔室2，其设定有等离子生成空间3及处理空间4；线圈30，其配设于上腔体部6外侧；基台40，其配设于处理空间4，用以载置基板K；蚀刻气体供应机构25，其将蚀刻气体供应至等离子生成空间3；线圈电力供应机构35，其将高频率电力供应至线圈30；及基台电力供应机构45，其将高频率电力供应至基台40。再者，锥状的等离子密度调整构件20固设于等离子生成空间3与基台40间的腔室2的内壁上，而且于腔室20的上部，朝向下方地延设有圆筒状的芯构件10，该芯构件10形成有朝向下端部直径变小的锥形部。
等离子蚀刻装置

[发明专利]等离子处理装置-CN201080064852.7有效
发明人： 林靖之;富阪贤一 -专利权人： SPP科技股份有限公司
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。
等离子处理装置