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[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN202311025039.4在审
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体晶片，其包括第一数目的半导体管芯；提供第二半导体晶片，其包括多个半导体管芯；从第一半导体晶片和第二半导体晶片单切半导体管芯；提供标准化载体；将第一数目的半导体管芯设置在所述标准化载体上；将多个半导体管芯的一部分设置在所述标准化载体上；将密封剂沉积在所述半导体管芯和标准化载体上；以及通过所述密封剂进行单切以形成半导体封装。根据本发明的方法，使用能够处理多种尺寸的半导体管芯和引入的晶片的设备和载体来高效地制造半导体器件。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法-CN201810951738.4有效
发明人： 林耀剑;陈康;高英华;沈一权 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：平衡有虚设铜图案的嵌入PCB单元表面的半导体器件和方法。半导体器件具有衬底。导电通孔穿过衬底而形成。多个第一接触焊盘在衬底的第一表面上方形成。多个第二接触焊盘在衬底的第二表面上方形成。虚设图案在衬底的第二表面上方形成。缺口在衬底的侧壁中形成。开口穿过衬底而形成。密封剂被沉积在开口中。绝缘层在衬底的第二表面上方形成。虚设开口在绝缘层中形成。半导体管芯被布置成邻近于衬底。密封剂被沉积在半导体管芯和衬底上方。衬底的第一表面包括比衬底的第二表面的宽度大的宽度。
平衡虚设图案嵌入 pcb 单元表面半导体器件方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202311033856.4在审
发明人： 林耀剑;李曜;杨丹凤;吕磊 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种封装结构及其形成方法，形成方法包括：提供金属箔，包括相对的第一表面和第二表面；在金属箔的第一表面上形成第一表面金属凸块和第一互连金属线路；在多个第一表面金属凸块的顶部表面上相应的贴装多个被动器件；形成包覆被动器件、第一表面金属凸块、第一互连金属线路以及覆盖金属箔的第一表面的第一塑封层；刻蚀金属箔，形成与对应的第一表面金属凸块电连接的第二互连金属线路和键合焊盘；形成覆盖第二互连金属线路以及第一塑封层的底部表面的介电层，暴露出键合焊盘；提供第一芯片，功能面具有打线焊盘；将第一芯片的背面贴装在介电层的表面；形成将打线焊盘和键合焊盘电连接的金属引线。增加了封装的被动器件的数量并降低制造成本。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件和制作半导体器件的方法-CN201910221890.1有效
发明人： P.C.马里穆图;沈一权;林耀剑;崔源璟 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和制作半导体器件的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法-CN201910163351.7有效
发明人：韩丙濬;沈一权;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片级芯片尺寸封装的方法。一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体晶片，其包括第一数目的半导体管芯；提供第二半导体晶片，其包括多个半导体管芯；从第一半导体晶片和第二半导体晶片单切半导体管芯；提供标准化载体；将第一数目的半导体管芯设置在所述标准化载体上；将多个半导体管芯的一部分设置在所述标准化载体上；将密封剂沉积在所述半导体管芯和标准化载体上；以及通过所述密封剂进行单切以形成半导体封装。根据本发明的方法，使用能够处理多种尺寸的半导体管芯和引入的晶片的设备和载体来高效地制造半导体器件。
半导体器件以及使用标准化载体形成嵌入式晶片芯片尺寸封装方法

[发明专利]重布线悬臂梁结构及制备方法、封装结构及制备方法-CN202310551294.6在审
发明人： 林耀剑;伊斯兰姆·诺基布尔;杨丹凤;蔡佩燕;刘硕;何晨烨 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种重布线悬臂梁结构、制备方法、封装结构及制备方法，重布线悬臂梁结构包括：第一芯片；第一导电粘结层，底部第一导电粘结层与第一芯片引脚金属层电性连接；底部第一主体金属层，刻蚀底部第一主体金属层形成的裸露出底部第一导电粘结层的凹槽；形成在凹槽内底部介电绝缘层；依次形成在底部第一主体金属层上的悬臂梁结构，依次形成在第三主体金属层上的倒装凸点；第二导电粘结层的部分表面相对于第一芯片的表面，由此形成的空腔结构，空腔结构包括半空腔部和全空腔部。结构简单，工艺精度要求低，由于倒装凸点的特殊设计，得到相应的射频性能，基于悬臂梁结构及倒装凸点的相互配合能通过电压与电流来调整射频信号。
布线悬臂梁结构制备方法封装

[发明专利]封装方法及封装结构-CN202310282163.2在审
发明人：邬建勇;林耀剑;严伟;刘硕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种封装方法及封装结构，封装结构包括：多层堆叠的封装模组，所述封装模组包括封装基板、以及装配于所述封装基板上的电子元件；导热部件，包括板内导热部件和层间导热部件中的一者或两者，所述板内导热部件位于所述封装基板中，所述板内导热部件用于实现所述封装基板与电子元件之间的热传导，所述层间导热部件位于相邻所述封装基板之间，所述层间导热部件用于实现相邻所述封装基板之间的热传导。本发明通过设置所述导热部件，为所述封装结构中的电子元件的散热提供了更多种散热路径，易于实现多层封装模组中位于下方的电子元件的散热，从而获得能够满足高散热要求的封装结构。
封装方法结构

[发明专利]管芯与UBM之间的分离式RDL连接-CN202210782556.5在审
发明人：左健;林耀剑 -专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件具有半导体管芯。在半导体管芯上方形成第一接触焊盘、第二接触焊盘和第三接触焊盘。在第一接触焊盘、第二接触焊盘和第三接触焊盘上方形成凸点下金属化层（UBM）。UBM将第一接触焊盘电连接到第二接触焊盘。第三接触焊盘与UBM电隔离。导电迹线可以形成为在UBM下的第一接触焊盘和第二接触焊盘之间延伸。第四接触焊盘可以形成在第一接触焊盘上方，并且第五接触焊盘可以形成在第二接触焊盘上方。然后在第四和第五接触焊盘上形成UBM。
管芯 ubm 之间分离 rdl 连接

[发明专利]封装结构及制备方法-CN202211362140.4在审
发明人：杨丹凤;林耀剑;徐松华;印美林 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种封装结构及制备方法，封装结构包括核心封装区，第一封装单元包括第一载板、散热片或硅片、被动元器件及第一封装层，包覆第一载板及散热片或硅片以及被动元器件；第二封装单元包括第二载板上焊接第一封装结构或第二封装结构以及第二封装层；FCBGA基板，第一封装单元和第二封装单元贴装在FCBGA基板的第一表面，第一封装单元内的被动元器件靠近第二封装层的边缘，第一封装单元内被动元器件与第二封装层之间的距离小于常规底填胶禁填区的尺寸。当第一封装单元与第二封装单元的距离小于常规底填胶禁填区的阈值时，在第一封装单元与第二封装单元侧壁间隙进行填充第一填充物质，使第二封装单元的应力分布更为稳定，从而提高封装结构的可靠性。
封装结构制备方法

[发明专利]超小型图像采集处理系统封装结构及制备方法-CN202211411905.9在审
发明人：邬建勇;林耀剑;杨丹凤;徐晨;严伟 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04N25/76 文献下载
摘要：本发明公开一种超小型图像采集处理系统封装结构及制备方法，包括：光学镀膜玻璃，第一表面设有保护膜，第二表面四周围堰连接CMOS芯片第一表面；CMOS芯片的第一表面设有感光及微镜头区域及金属键合焊盘，第二表面刻蚀硅通孔直至延伸至第一表面金属键合焊盘；晶圆重布线层覆盖于CMOS芯片的第二表面并延伸至硅通孔，晶圆重布线层的最外层设有主控制器、图像处理器、编码器、Flash、电源及连接板；塑封层将CMOS芯片的第二表面进行塑封，塑封层外侧设有焊球，将系统对外电气接口引出。本发明结构和方法综合晶圆级封装及SIP集成封装工艺技术，将整个装置实现单体封装，大大降低系统复杂度和功耗、缩减整体产品尺寸及信号路径、提高图像抗干扰能力。
超小型图像采集处理系统封装结构制备方法

[发明专利]双面SiP封装结构及其制作方法-CN202211251028.3有效
发明人：刘硕;林耀剑;邬建勇;严伟;赵婧 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明揭示了一种双面SiP封装结构及其制作方法，包括基板、设置于基板上的第一封装结构、以及设置于基板下的第二封装结构，第二封装结构包括芯片、转接板和塑封体，芯片设置于基板下方，转接板上表面设置导电结构件阵列，转接板通过导电结构件阵列设置于基板下方，塑封体填充基板下表面、芯片与转接板之间的空间区域，转接板下表面设置导电焊盘阵列，导电焊盘阵列与转接板边缘轮廓之间的部分区域设置一凹槽。本发明能够避免塑封过程中塑封料溢到转接板下表面的导电焊盘区域，同时对有多个射频信号屏蔽需求器件配合铜核球与转接板的填铜通孔形成屏蔽结构，对有屏蔽需求的多个器件实现信号屏蔽。
双面 sip 封装结构及其制作方法

[发明专利]扇出型封装结构及其制作方法-CN202110738098.0在审
发明人： 林耀剑;左健;杨丹凤;高英华;刘硕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，所述扇出型封装结构包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。通过在重布线层上设置假片，并将其与金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力。
扇出型封装结构及其制作方法

[发明专利]双基板天线封装结构及其制作方法-CN202110631223.8在审
发明人：刘硕;徐晨;林耀剑;史海涛 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种双基板天线封装结构及其制作方法，封装结构包括主基板和至少一个天线基板，天线基板通过植于其上的焊球阵列设置于主基板的焊盘上，至少一个芯片电性连接于主基板，设于主基板上的金属布线将焊盘和芯片电性连接，焊球阵列中包括支撑焊球和常规焊球，其中，所支撑焊球的熔点高222℃，通过将常规焊球和支撑焊球混合使用，由于高熔点的支撑焊球在回流焊过程中能够始终保持结构的稳定性，从而使天线基板和主基板之间的间隔距离在回流焊过程中及后续工艺中保持稳定。
双基板天线封装结构及其制作方法

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN202110655877.4在审
发明人： 林耀剑;杨丹凤;刘硕;何晨烨 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有封装结构及其制作方法，封装结构包括至少两个电性元件、第二重构层和金属引线框架，其中，至少一个电性元件为芯片，至少一个电性元件有第一重构层，且第二重构层引脚间距小于金属引线框架引脚间距；第二重构层具有相对的第一面和第二面，电性元件功能面设置于第二重构层第一面上，并与其电性连接，其中，至少一个电性元件通过设于其功能面的第一重构层与第二重构层电性连接；第二重构层第二面设置于金属引线框架上，并与其电性连接。在具有低成本、可靠性高、易于进行热管理等优点的金属引线框架上形成高密度布线扇出型封装结构，提高了芯片的散热能力，使得封装结构具有高密度布线的同时，也有优良的散热性能和可靠性。
封装结构及其制作方法

[发明专利]具有电磁屏蔽功能的芯片封装结构、制作方法及封装设备-CN202110555286.X在审
发明人：史海涛;林耀剑;周青云;刘硕;徐晨;何晨烨;周莎莎;陈雪晴;刘彬洁;丁科 -专利权人：长电科技管理有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电磁屏蔽功能的芯片封装结构、制作方法及封装设备，封装结构包括载体、设于载体上的至少一个芯片和包覆芯片的塑封体，塑封体表层区域形成有致密的金属颗粒聚集层。制作方法包括步骤：在液态注塑料中添加金属颗粒；提供一待注塑封装结构，将待注塑封装结构置于注塑模具模腔内，并向模腔内填充注塑料；加温加压使注塑料转变为液态、或注塑料在室温为液态时，打开埋设于注塑模具内的电极，在模腔内形成电场，在电场作用下金属颗粒朝向注塑料表层区域聚集；固化注塑料，获得注塑后封装结构。利用直接在注塑过程中形成的金属颗粒聚集层代替传统的与封装体外侧镀覆形成的金属屏蔽层，生产工艺步骤简单，利于降低生产成本。
具有电磁屏蔽功能芯片封装结构制作方法设备

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