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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光元件、包括发光元件的发光元件封装和包括发光元件封装的发光装置-CN201680048664.2有效
发明人：文智炯;林祐湜 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据实施例的一种发光元件包括：衬底；发光结构，其包括在衬底上相继地布置的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；以及第一和第二电极，其分别地电连接到第一和第二导电半导体层，其中第一电极包括至少一个第一接触部分和多个第二接触部分，所述至少一个第一接触部分布置在暴露于发光结构的第一区域的至少一部分的第一导电半导体层上并且连接到第一导电半导体层，所述多个第二接触部分连接到在一个平面上在比发光结构的第一区域更加靠近内侧定位的第二区域中暴露的第一导电半导体层，并且第二电极包括布置在发光结构的第二区域中并且连接到第二导电半导体层的第三接触部。
发光元件包括封装装置

[发明专利]发光器件和照明设备-CN201910191340.X有效
发明人： 林祐湜;徐在元 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件和照明设备。根据实施例的发光元件包括：基板；发光结构，该发光结构被布置在基板上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上并且具有在水平方向上彼此邻近的第一部位和第二部位；第一电极，该第一电极被布置在反射层的第一部位的至少一部分中，同时穿过第二导电半导体层和有源层并且延伸到第一导电半导体层；在第一电极和发光结构的侧面之间以及在第一电极和反射层之间布置的第一绝缘层；在反射层的第二部位中布置的扩散防止层；在第一电极和扩散防止层上布置的第二绝缘层；以及穿过第二绝缘层并且分别被连接到第一电极和扩散防止层的第一结合层和第二结合层。
发光器件照明设备

[发明专利]半导体器件-CN201880022576.4在审
发明人： 林祐湜;徐在元;崔珍熲;成演准;金钟贤;金会准 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一实施例提供了一种半导体器件，包括：发光结构，发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部；多个第一连接电极，配置为电连接多个第一发光部；多个第二连接电极，配置为电连接多个第二发光部；第一焊盘，设置于多个第一发光部上；第二焊盘，设置于多个第二发光部上。第一焊盘包括朝向第二焊盘延伸的多个1‑2焊盘。第二焊盘包括朝向第一焊盘延伸的多个2‑2焊盘。第一连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个1‑2焊盘之间的区域。第二连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个2‑2焊盘之间的区域。
焊盘发光部发光结构连接电极电连接半导体器件延伸配置

[发明专利]发光器件和照明设备-CN201580030571.2有效
发明人： 林祐湜;徐在元 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：根据实施例的发光元件包括：基板；发光结构，该发光结构包括被布置在基板上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上并且具有在水平方向上彼此相邻的第一区域和第二区域；第一电极，该第一电极以穿过第二导电半导体层和有源层并且延伸到第一导电半导体层的方式被布置在反射层的第一区域的至少一部分中；第一绝缘层，该第一绝缘层被布置在第一电极和发光结构的侧面之间以及在第一电极和反射层之间；扩散阻挡层，该扩散阻挡层被布置在反射层的第二区域中；第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一电极和扩散阻挡层上；以及第一结合层和第二结合层，该第一结合层和第二结合层穿过第二绝缘层并且分别被连接到第一电极和扩散阻挡层。
发光元件照明装置

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201410347422.6有效
发明人：金省均;林祐湜;金明洙;秋圣镐;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括衬底、发光结构层、第二电极、第一电极、接触部分、以及第一电极层。第一电极被布置在衬底中在有源层下面的区域中从衬底的下部到第一导电类型半导体层的下部。接触部分比第一电极宽并且接触第一导电类型半导体层的下部。第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]发光器件封装和包括该封装的发光设备-CN201510706196.0在审
发明人： 林祐湜;徐在元;任范镇 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件封装和包括该封装的发光设备。实施例提供一种发光器件，包括：衬底；布置在衬底下面的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层，和第二导电半导体层；配置为穿过第二导电半导体层和有源层以便与第一导电半导体层接触的第一电极；配置为与第二导电半导体层接触的接触层；布置在第二导电半导体层和第一电极之间以及在有源层和第一电极之间的第一绝缘层，第一绝缘层设置用于覆盖接触层的侧部和上部；和配置为穿过第一绝缘层以便与接触层接触的第二电极。
发光器件封装包括设备

[发明专利]半导体发光器件-CN201310232665.0有效
发明人： 林祐湜;秋圣镐 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层、第一电极、绝缘层和电极层。第一电极具有在第一导电型半导体层上的至少一个分支。绝缘层设置在第一电极上。电极层设置在绝缘层上。
半导体发光器件

[发明专利]发光器件-CN201210315681.1有效
发明人：李容京;林祐湜;徐在元 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：公开一种发光器件。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一半导体层，该第一半导体层被掺杂有第一掺杂物同时包括第一区域和相对于第一区域成台阶的第二区域、第二半导体层，该第二半导体层被掺杂有不同于第一掺杂物的第二掺杂物同时设置在第二区域上、以及有源层，该有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，该第一电极设置在第一区域上；以及功能构件，该功能构件设置在与第一电极相邻的发光结构的一个侧表面和第一电极之间同时设置在第一区域处，其中，相对于第一区域的表面，该功能构件具有大于第一电极的高度并且小于发光结构的厚度的高度。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201210019743.4有效
发明人： 林祐湜 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：实施方案涉及在支撑构件和发光结构之间具有高接合力以及具有高可靠性的发光器件。一个实施方案中的发光器件可包括：支撑构件；设置在所述支撑构件上的发光结构，其中所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及介于所述第一和第二半导体层之间的有源层；介于所述支撑构件和所述发光结构之间的电极接合层；以及介于所述支撑构件和所述电极接合层之间的第三半导体层，其中所述第三半导体层包括在所述第一和第二层中至少之一中所包含的元素的至少之一。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201110315352.2有效
发明人： 林祐湜;金省均;罗珉圭;秋圣镐;金明洙;范熙荣 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件，该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在第一和第二半导体层之间的有源层；电连接到第一半导体层的第一电极；以及电连接到第二半导体层的第二电极。第一半导体层形成为在其边缘部分处具有其中布置所述第一电极的一部分的孔。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201110130178.4有效
发明人：罗珉圭;金省均;秋圣镐;林祐湜 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件，包括：发光结构，其包括至少包括第一区域和第二区域的第一导电半导体层和形成在第一区域中的有源层和第二导电半导体层；第一电极，该第一电极形成在第一导电半导体层上；以及第二电极，该第二电极形成在第二导电半导体层上，其中第二区域包括：第三区域和第四区域，该第三区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的至少一侧上，该第四区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的内部，第一电极包括：第一导电半导体层的纵向方向上的第一导电半导体层的一侧上的第一焊盘；和形成在第四区域中的第一分支，第二电极包括：第二导电半导体层的纵向方向上的第二导电半导体层的另一侧上的第二焊盘；和第三分支和第四分支。
发光器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装和照明系统-CN201110051740.4有效
发明人：金省均;林祐湜;范熙荣;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。所述发光光器件包括：衬底；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，其通过穿过所述衬底而至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面。
发光器件封装照明系统

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110039408.6有效
发明人：金省均;林祐湜;金明洙;秋圣镐;罗珉圭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底、发光结构层、第二电极、第一电极、接触部分、以及第一电极层。第一电极被布置在衬底中在有源层下面的区域中从衬底的下部到第一导电类型半导体层的下部。接触部分比第一电极宽并且接触第一导电类型半导体层的下部。第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。
发光器件封装以及照明系统

[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统-CN201110097726.8有效
发明人：金省均;林祐湜;金明洙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；第一光提取结构，该第一光提取结构形成在第一导电类型半导体层的外部上并且具有形成为台阶结构的多个上表面和多个侧表面；以及在第一导电类型半导体层的第一光提取结构上的透射层。
发光器件及其制造方法封装以及照明系统

[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统-CN201110051553.6有效
发明人：金省均;林祐湜;秋圣镐;崔炳均 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极部分，该第一电极部分连接到第一导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上的电流扩展层；在第一电极部分上的绝缘层；以及第二电极部分，该第二电极部分包括在绝缘层上的至少一个桥接部分和接触第二导电类型半导体层和电流扩展层中的至少一个的第一接触部分。
发光器件封装以及照明系统

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