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[发明专利]用于无源元件的可透视精准辨位系统-CN202310655070.X在审
发明人：邱文俊;林政明 -专利权人：杭州光之神科技发展有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及无源元件加工技术领域，具体而言涉及一种用于无源元件的可透视精准辨位系统,包括X‑ray发射系统，X‑ray接收系统，固定装置，控制装置，所述的固定装置包括相互平行的第一固定杆和第二固定杆，所述的X‑ray发射系统包括第一X‑ray发射器和第二X‑ray发射器，所述的X‑ray接收系统包括第一X‑ray接收器和第二X‑ray接收器，所述的第一X‑ray发射器和第二X‑ray接收器固定连接在所述的第一固定杆上，所述的第二X‑ray发射器和第一X‑ray接收器固定连接在所述的第二固定杆上，所述的第一固定杆和第二固定杆之间设有反射板。本发明具有可以在切割前可以自动精准判断叠层是否正确，自动化程度高的优势。
用于无源元件透视精准系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310684230.3在审
发明人：陈思桦;林政明;尤韦翔;何韦德;温伟源;廖思雅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，一种示例性方法包括：在衬底上方形成与半导体鳍接合的伪栅极堆叠件，在衬底上方共形地沉积第一介电层，在第一介电层上方共形地沉积第二介电层，回蚀刻第一介电层和第二介电层，以形成沿着伪栅极堆叠件的侧壁表面延伸的栅极间隔件，栅极间隔件包括第一介电层和第二介电层，在半导体鳍中及半导体鳍上方并且邻近伪栅极堆叠件形成源极/漏极部件，并且用栅极结构替换伪栅极堆叠件，其中，第一介电层的介电常数小于氧化硅的介电常数，并且第二介电层比第一介电层更不容易被氧化。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010350510.7有效
发明人： 林政明;杨世海;方子韦;徐志安;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开描述了可以消除或最小化在铁电场效应晶体管的金属栅极层上形成氧化物的方法。在一些实施例中，该方法包括提供在其上具有鳍的衬底；以及在鳍上沉积界面层；在界面层上沉积铁电层；在铁电层上沉积金属栅极层；使金属栅极层暴露于金属卤化物气体；执行后金属化退火，其中在不发生真空中断的情况下将金属栅极层暴露于金属卤化物气体和执行后金属化退火。本公开的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种两亲性木聚糖聚合物及制备以及其在农药制剂中的应用-CN202211233239.4在审
发明人：杨祁云;王小慧;彭静;林政明;沈会芳;蒲小明;张景欣;孙大元;刘平平;赵澄海;杜桂涛 -专利权人：广东省农业科学院植物保护研究所;华南理工大学;广州荧创科技有限公司;广州粤有研光电材料有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08F251/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种两亲性木聚糖聚合物及制备以及其在农药制剂中的应用。该两亲性木聚糖聚合物的制备方法包括如下步骤：将木聚糖和月桂酸溶解于二甲基亚砜中，然后加入偶联剂N,N’‑二环己基碳酰亚胺和催化剂4‑二甲氨基吡啶，在保护性气体氛围下进行反应，然后离心去除反应副产物N‑N’‑二环己基脲，用无水乙醇洗涤，再用丙酮和异丙醇混合溶液萃取提纯，经真空干燥，得到木聚糖接枝月桂酸聚合物，即所述两亲性木聚糖聚合物。本发明制备的两亲性木聚糖聚合物作为农药载体用于制备阿维菌素水乳剂可提高储存稳定性和润湿性，为绿色农药制剂的开发提供一种有效途径。
一种两亲性木聚糖聚合物制备及其农药制剂中的应用

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010699211.4在审
发明人： 林政明;杨世海;徐志安;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开关于半导体装置的形成方法。方法包括形成基板并形成第一间隔物与第二间隔物于基板上。方法包括分别沉积第一自组装单层与第二自组装单层于第一间隔物与第二间隔物的侧壁上，并沉积层状物堆叠于基板之上以及第一自组装单层与第二自组装单层之间，且层状物堆叠接触第一自组装单层与第二自组装单层。沉积层状物堆叠的步骤包括沉积铁电层与移除第一自组装单层与第二自组装单层。方法亦包括沉积金属化合物层于铁电层上。金属化合物层的部分沉积于铁电层与第一间隔物或第二间隔物之间。方法亦包括沉积栅极于金属化合物层之上以及第一间隔物与第二间隔物之间。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010288407.4在审
发明人： 林政明;杨世海;方子韦;徐志安;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件，其包括衬底以及位于衬底上的第一间隔件和第二间隔件。半导体器件还包括位于第一间隔件和第二间隔件之间的栅极堆叠。栅极堆叠包括栅极介电层，具有形成在衬底上的第一部分和形成在第一间隔件和第二间隔件上的第二部分；内部栅极，形成在栅极介电层的第一部分和第二部分上；铁电介电层，形成在内部栅极上并且与栅极介电层接触；以及栅电极，位于铁电介电层上。本公开的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010211140.9在审
发明人： 林政明;杨世海;张志宇;杨柏峰;徐志安;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明实施例关于半导体装置，其包括基板，以及位于基板上的第一间隔物与第二间隔物。半导体装置包括位于第一间隔物与第二间隔物之间的栅极堆叠。栅极堆叠包括栅极介电层，其具有形成于基板上的第一部分，以及形成于第一间隔物与第二间隔物上的第二部分。第一部分包括结晶材料，且第二部分包括非晶材料。栅极堆叠还包括栅极位于栅极介电层的第一部分与第二部分上。
半导体装置

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202010317737.1在审
发明人： 林政明;杨世海;徐志安;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括在设置于半导体层上的栅极间隔物的侧壁上形成牺牲层、在设置于栅极间隔物之间的第一沟槽中的半导体层上形成第一含铪栅极介电层、移除牺牲层以在栅极间隔物与第一含铪栅极介电层之间形成第二沟槽、在第一含铪栅极介电层上及栅极间隔物的侧壁上形成第二含铪栅极介电层、对第一含铪栅极介电层及第二含铪栅极介电层执行退火并同时施加电场，以及随后在退火过的第一含铪栅极介电层及第二含铪栅极介电层上形成栅极电极。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910994666.6在审
发明人： 林政明;林启德;杨世海;徐志安;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成含铪层于半导体层上，同时对此含铪层执行热退火制程及施加电场以形成铁电含铪层，以及形成栅极电极于此铁电含铪层之上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811083074.0在审
发明人： 林政明;林秉顺;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种制造半导体元件的方法，包含形成一栅极介电层于一半导体基材上；形成一含第一金属元素层于栅极介电层上；以及热浸润含第一金属元素层于一第一气体中，使得第一气体的一成份扩散入含第一金属元素层。
金属元素半导体元件栅极介电层半导体基材浸润制造扩散

[发明专利]半导体元件-CN201811185826.4在审
发明人：林秉顺;方子韦;林政明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体元件包含具有通道区域的半导体基板。栅极介电层位于半导体基板的通道区域上方。功函数金属层位于栅极介电层上方。功函数金属层具有底部、顶部和功函数材料。底部位于栅极介电层和顶部之间。底部具有第一浓度的功函数材料，顶部具有第二浓度的功函数材料，并且第一浓度高于第二浓度。栅极电极位于功函数金属层的顶部。
功函数金属层栅极介电层功函数半导体基板半导体元件通道区域栅极电极

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