专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种设备测试方法、系统、电子设备及存储介质-CN202111401899.4在审
  • 黄知寿;李建韬;林志宇;朱显宇;徐文才 - 库卡机器人(广东)有限公司
  • 2021-11-23 - 2023-05-23 - G01M13/025
  • 本申请的实施例揭示了一种设备测试方法、系统、电子设备及存储介质,应用于设备测试系统,设备测试系统包括电子设备、转矩测试装置和激光跟踪仪;转矩测试装置包括减速机、位于减速机负载末端的负载盘,在负载盘上设有与激光跟踪仪直线连接的靶球;方法由电子设备执行,包括:获取激光跟踪仪采集的靶球的位置数据;靶球的位置数据以激光跟踪仪的位置作为坐标原点;根据靶球的位置数据确定以负载盘为中心的新坐标原点,以及靶球在以新坐标原点建立的新坐标系中的位置数据;根据靶球在新坐标系中的位置数据绘制减速机负载的转矩曲线;根据减速机负载的转矩曲线确定减速机的测试结果,符合测试实际工况,测试结果更加准确可靠。
  • 一种设备测试方法系统电子设备存储介质
  • [发明专利]一种外延结构及其制备方法和双色LED器件-CN202310137997.4在审
  • 林志宇 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2023-02-20 - 2023-05-09 - H01L33/00
  • 本发明提供一种外延结构及其制备方法和双色LED器件,所述外延结构中多量子阱层包括周期性交叠设置的凸台InGaN层和凸台GaN层;所述凸台InGaN层包括第一区域和第二区域;所述第一区域包括与所述衬底面平行的区域;所述第二区域包括与衬底所在平面之间二面角为钝角的区域;所述第一区域和第二区域中In组分的含量不同;所述外延结构的制备方法通过在含不连续SiNx膜层和周期性凸台结构的n型GaN层表面继续生长多量子阱层,能够在单层上形成In组分含量不同的区域,使得外延结构发射双色光,从而能够发射白光,提高了出光效率也能够避免光刻等技术的使用,降低了生产成本。
  • 一种外延结构及其制备方法led器件
  • [发明专利]LED器件的外延片及其制备方法-CN202310179491.X在审
  • 王阳;林志宇 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-05-05 - H01L33/06
  • 本发明公开了一种LED器件的外延片及其制备方法。LED器件的外延片包括:衬底、成核层以及外延结构层,衬底的表面具有第一区域以及与第一区域邻接的第二区域;成核层设置在第一区域;外延结构层包括第一发光单元和第二发光单元,第一发光单元设置在成核层上,第二发光单元设置在衬底表面的第二区域,其中,第一发光单元主要由Ga面III族氮化物材料组成,第二发光单元主要由N面III族氮化物材料组成。通过采用本发明,提高了LED器件的发光效率。
  • led器件外延及其制备方法
  • [发明专利]一种外延结构及其制备方法和双色LED半导体器件-CN202310138002.6在审
  • 林志宇 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2023-02-20 - 2023-04-14 - H01L33/00
  • 本发明提供一种外延结构及其制备方法和双色LED半导体器件,所述制备方法包括如下步骤:提供一衬底;在所述衬底上依次生长成核层与缓冲层;在所述缓冲层上生长基础n型GaN层,并对所述基础n型GaN层进行选择性刻蚀,以在所述基础n型GaN层中的位错位置形成V坑,得到含V坑的n型GaN层;在所述含V坑的n型GaN层上交替生长InGaN层和GaN层,形成多量子阱层;所述多量子阱层包括与所述n型GaN层相对应的V坑,所述V坑的侧壁和所述V坑的外部周边平面的铟组分含量不同;在所述多量子阱层上依次生长电子阻挡层与p型氮化物层。所述外延结构能够在单个InGaN层实现In组分含量不同的设计,从而实现双色光的发射。
  • 一种外延结构及其制备方法led半导体器件
  • [发明专利]具有电子扩展结构的激光器及其生长方法-CN202310037257.3在审
  • 王国斌;林志宇 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2023-01-09 - 2023-04-04 - H01S5/343
  • 本发明公开了一种具有电子扩展结构的激光器及其生长方法。所述具有电子扩展结构的激光器包括沿指定方向依次设置的n型限制层、第一波导层、发光层、第二波导层、p型限制层和p型欧姆接触层;所述激光器结构还包括n型电子扩展层,所述n型电子扩展层设置在所述n型限制层与第一波导层之间,并且所述n型电子扩展层的势垒高于所述n型限制层和第一波导层中任一者的势垒,以使自所述n型限制层向发光层移动的电子被所述n型电子扩展层阻挡而降低移动速度。本发明提供的一种GaN基激光器的制作工艺简单、可重复性好,有利于减低GaN基激光器的阈值电压、提升激光的发光效率,达到增加激光器寿命等的效果,更适合工业化生产。
  • 具有电子扩展结构激光器及其生长方法
  • [发明专利]适应性锁定范围管理的方法、数据存储装置及其控制器-CN201910756356.0有效
  • 林志宇;潘泓廷;许颂伶 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2019-08-16 - 2023-03-31 - G06F3/06
  • 本发明公开了用来进行适应性锁定范围管理的方法以及数据存储装置及其控制器。该方法可包括:从该数据存储装置的外部接收安全指令,其中该安全指令是关于将旧锁定范围变更为新锁定范围;依据该安全指令取得该新锁定范围的起始LBA以及长度值;判断该新锁定范围的该起始LBA是否小于该旧锁定范围的结束LBA,且判断该新锁定范围的该结束LBA是否大于该旧锁定范围的起始LBA;以及因应该新锁定范围的该起始LBA小于该旧锁定范围的该结束LBA以及该新锁定范围的该结束LBA大于该旧锁定范围的起始LBA,对该新锁定范围以及该旧锁定范围未重叠的部分执行数据修剪。本发明能在不降低整体效能的状况下实现符合某些规范的数据加密架构,并且达到数据存储装置的优化效能。
  • 适应性锁定范围管理方法数据存储装置及其控制器
  • [实用新型]一种下肢康复用的自主锻炼装置-CN202221819018.0有效
  • 朱胤丞;武志涛;黄峰;谭化涛;林志宇 - 辽宁科技大学
  • 2022-06-30 - 2022-12-23 - A63B22/08
  • 本实用新型公开了一种下肢康复用的自主锻炼装置,包括透明水箱,所述透明水箱右侧靠顶部位置贯穿并固定连接有补水管,所述透明水箱前后两端中心位置均贯穿并转动连接有脚杆,两个所述脚杆上靠一端位置均转动连接有脚踏,两个所述脚杆一端均固定连接有限位块。本实用新型中,随后腿部发力,使得脚杆转动,此种康复形式类似于“脚踏式自行车”,脚杆转动的过程中连接轴和固定板跟同转动,如需对患者增加一定的强度,此时可通过补水管对透明水箱内部增加适量的水,水增加过后再通过密封盖将补水管即可,此时患者再次通过上述的方法使得脚杆转动,从而在水的阻力下固定板会增加脚杆的转动难度,使其能够更好地对患者腿部进行康复训练。
  • 一种下肢康复自主锻炼装置

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