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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210375520.5在审
发明人：周惠隆;杨清利;张志圣;林建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、第一介电层、第二介电层、密封环结构与保护层。第一介电层位于衬底上。第二介电层位于第一介电层上。密封环结构包括第一互连线结构与第二互连线结构。第一互连线结构位于第一介电层中。第二互连线结构位于第二介电层中且连接至第一互连线结构。保护层位于密封环结构与第二介电层上。保护层具有间隔件部。间隔件部覆盖第二介电层的侧壁与部分第一介电层。在保护层与第一介电层中具有沟槽。间隔件部位于沟槽与密封环结构之间。半导体结构可降低用以形成沟槽的蚀刻工艺的时间与功率。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制作方法-CN201910634906.1有效
发明人：王慧琳;翁宸毅;谢晋阳;李怡慧;刘盈成;施易安;张境尹;曾奕铭;王裕平;林建廷;何坤展;邹宜勋;李昌珉;曾译苇;赖育聪;谢军 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
磁阻随机存取存储器及其制作方法

[发明专利]体外活化及/或扩增免疫细胞的方法-CN201811574093.3有效
发明人：陈振泰;陈建安;姜文婷;邱素凤;江佩馨;唐季禄;林建廷;林宣慧 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C12N5/0783 文献下载
摘要：所描述为一种体外活化及/或扩增免疫细胞的方法，包括以下步骤：a)提供磁性粒子，磁性粒子的表面为多突状且修饰有至少一种免疫诱发物质，其中磁性粒子由内而外包括共聚物核心、高分子层、磁性物质层以及硅基层；b)提供细胞溶液，细胞溶液中包括至少一种免疫细胞；c)将磁性粒子与细胞溶液进行接触，使磁性粒子的表面上的至少一种免疫诱发物质得以活化及/或扩增细胞溶液中的至少一种免疫细胞。
体外活化扩增免疫细胞方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210171997.1在审
发明人：许嘉榕;傅思逸;许智凯;邱淳雅;陈金宏;林毓翔;林建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要先提供一基底包含一高压区以及一低压区，形成多个第一鳍状结构于该高压区，再进行一氧化制作工艺以形成一栅极氧化层于该等第一鳍状结构上并接触该等第一鳍状结构。在本实施例中，栅极氧化层底表面包含多个第一突块设于该等第一鳍状结构上而栅极氧化层顶表面则包含多个第二突块。
半导体元件及其制作方法

[实用新型]沉积工具以及夹具-CN202320811051.7有效
发明人：何宜臻;廖志评;杨世豪;王伟民;林建廷;杨杰颖;汤志哲;邓国纲;游明辉;廖克勋;林季勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开提出一种沉积工具以及夹具。本实用新型所述的一些实施方式提供技术以及设备，用于克服可使喷射器喷嘴偏斜到一薄膜炉管的一内壁中的力。夹具耦接到喷射器喷嘴。夹具可配置以锁定到喷射器喷嘴的一选定属性，以在喷射器喷嘴的一部分与内壁之间维持一间隙。以此种方式，防止喷射器喷嘴的部分与内壁碰撞及排出微粒，微粒可能污染使用薄膜炉管制造的半导体产品。
沉积工具以及夹具

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210155370.7在审
发明人：邱淳雅;许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷;许嘉榕;陈金宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，先提供一基底包含一高压区以及一低压区，然后形成一基座于该高压区以及多个鳍状结构于该低压区，形成一第一绝缘层环绕该等鳍状结构，去除该基座、该第一绝缘层以及部分该等鳍状结构以形成一第一凹槽于该高压区以及一第二凹槽于该低压区，形成一第二绝缘层于该第一凹槽以及该第二凹槽内，再平坦化第二绝缘层以形成第一浅沟隔离于该高压区以及第二浅沟隔离于该低压区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种钢构件生产设备及其生产工艺-CN202210926065.3有效
发明人：黄远新;林建廷;熊辉;宋巍云;杨建军 -专利权人：惠州市中闽钢结构有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B23D19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钢构件生产设备，其包括：机座、送料夹持装置、切割装置以及安全启动装置，所述切割装置安装于所述机座上，所述送料夹持装置设于所述切割装置的一侧，所述安全启动装置与所述切割装置电连接。其中，所述送料夹持装置包括：支撑架、主动传送带装置以及从动传送带装置，所述支撑架安装于所述机座上，所述主动传送带装置与所述从动传送带装置均设于所述支撑架上，所述主动传送带装置与所述从动传送带装置之间形成夹持间隙。该钢构件生产设备既可以对钢材进行有效夹持固定，又可以提高钢材切割时的安全性。
一种构件生产设备及其生产工艺

[发明专利]半导体制造方法及设备-CN202310227794.4在审
发明人：何宜臻;廖志评;林建廷;杨杰颖;王伟民;廖克勋;林季勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： F16F15/02 文献下载
摘要：一种半导体制造方法及设备，半导体制造方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。
半导体制造方法设备

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111649991.2在审
发明人：蔡世鸿;林建廷;林毓翔;傅思逸;许智凯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法首先提供一第一基底包含一高压区以及一中压区以及一第二基底包含一低压区以及一静态随机存取存储器区，其中高压区包含一高压元件，中压区包含一中压元件，低压区包含一鳍状结构场效晶体管且静态随机存取存储器区包含静态随机存取存储器。然后进行一接合制作工艺利用混合接合制作工艺、硅贯通中介层(through‑silicon interposer,TSI)或重布线层等方式接合第一基底以及第二基底。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202111562477.5在审
发明人：许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。基底包括高压区、中压区以及低压区。第一晶体管设置在该高压区内并包括第一栅极介电层以及第一栅极电极。第二晶体管，设置在该低压区内并包括多个鳍状结构以及第二栅极电极。第三晶体管，设置在该中压区内并包括第三栅极介电层以及第三栅极电极，其中该第一栅极电极的最顶表面、该第二栅极电极的最顶表面以及该第三栅极电极的最顶表面相互齐平。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111550730.5在审
发明人：许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷;邱淳雅;许嘉榕;陈金宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为主要先提供具有高压区、中压区以及低压区的基底，然后形成第一晶体管于高压区以及第二晶体管于低压区。其中第一晶体管包含第一基座设于基底上、第一栅极介电层设于第一基座上以及第一栅极电极设于第一栅极介电层上。第二晶体管则包含一鳍状结构设于基底上以及第二栅极电极设于鳍状结构上，其中第一栅极介电层顶表面切齐鳍状结构顶表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111552301.1在审
发明人：许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷;许嘉榕;邱淳雅;陈金宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包括先提供具有高压区、中压区以及低压区的基底，然后形成第一晶体管于高压区以及第二晶体管于低压区。其中第一晶体管包含第一基座设于基底上、第一栅极介电层设于第一基座上以及第一栅极电极设于第一栅极介电层上。第二晶体管则包含一鳍状结构设于基底上以及第二栅极电极设于鳍状结构上，其中第一栅极介电层顶表面低于鳍状结构顶表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有润滑结构的线性滑轨-CN202111397811.6在审
发明人： 林建廷 -专利权人：上银科技股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： F16C29/06 文献下载
摘要：本发明的线性滑轨包含有一个滑轨、一个滑块、一个循环配件、两组滚珠及两个润滑片。滑块与循环配件共同设于滑轨且彼此连接，滑块具有两个相对的脚部，循环配件具有两个相对的容槽，循环配件的该些容槽承接滑块的该些脚部，使得滑轨、滑块的各个脚部及循环配件之间形成一条供一组滚珠运行的循环通道，两个润滑片邻设于两条循环通道且接触两组滚珠，用以对该些滚珠提供润滑效果。因此，本发明的线性滑轨将两个润滑片内藏于滑块内，可维持滑块的长度而不影响行程，并且确保运行路径不会产生段差，使滚珠的运行顺畅度能保持一致。
具有润滑结构线性滑轨

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202111359108.6在审
发明人：林宏展;王裕平;林建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包含一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)，堆叠结构设于一基底上，一自旋轨道转矩式(spin orbit torque，SOT)层设于该MTJ堆叠结构上，其中该SOT层包含有一厚度较厚的第一部分以及两厚度较薄的第二部分。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种结构稳定的钢构件及其拆装方法-CN202211143221.5有效
发明人：黄远新;林建廷;熊辉;宋巍云;杨建军 -专利权人：惠州市中闽钢结构有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： E04B2/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种结构稳定的钢构件及其拆装方法。结构稳定的钢构件包括钢梁以及多个转动件；所述钢梁沿水平方向延伸并悬空于地面，多个所述转动件沿所述钢梁的延伸方向呈直线依次间隔排布并转动设于所述钢梁上；多个所述转动件之间通过联动件连接；所述结构稳定的钢构件还包括与多个所述转动件一一对应的多条钢柱；每一所述钢柱通过连接机构与对应的所述转动件形成可插拨式连接，每一所述钢柱沿竖直方向延伸。本发明的结构稳定的钢构件，通常作为建筑物中的屏风隔断使用。在安装过程中，先将钢梁悬挂于地面之上，再将多条钢柱的顶部通过连接机构一一对应地插接于转动件上，钢柱的底部与地面形成间隙。
一种结构稳定构件及其拆装方法

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