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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202110351046.8在审
  • 林庚平;李书铭;欧阳自明 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-03-31 - 2022-10-04 - H01L27/108
  • 本发明提供一种存储器结构及其制造方法。上述存储器结构包括基底、位线结构、接触窗结构、终止层与电容器结构。基底包括存储器阵列区。位线结构位于存储器阵列区中，且位于基底上。接触窗结构位于存储器阵列区中，且位于位线结构一侧的基底上。终止层位于存储器阵列区中，且位于位线结构上方。电容器结构位于存储器阵列区中。电容器结构穿过终止层且电性连接至接触窗结构。电容器结构的底面低于终止层的底面。上述存储器结构可有效地增加电容器结构的电容，进而提升存储器元件的电性效能。
  • 存储器结构及其制造方法
  • [发明专利]图案化的方法-CN201911060589.3在审
  • 林庚平;欧阳自明 - 华邦电子股份有限公司
  • 2019-11-01 - 2021-05-07 - H01L21/3213
  • 本发明提供一种图案化的方法，包括：于基底上依序形成目标层、第一层、第二层、第三层以及第一掩膜图案。于第一掩膜图案的侧壁上形成第一间隙壁。移除第一掩膜图案，以于第一间隙壁中形成环绕中心开口的多个周边开口。进行圆角化工艺，以圆角化周边开口并形成第二掩膜图案。以第二掩膜图案为掩膜，移除部分第二层，以形成第三掩膜图案。于第三掩膜图案中形成第二间隙壁。移除第三掩膜图案。以第二间隙壁为掩膜，移除部分第一层与部分目标层。
  • 图案方法
  •  1 
  • 共 4 条
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