“林孟毅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种降低羟甲基糠醛和丙烯酰胺含量的果脯制备方法及其产品-CN202310905691.9在审
发明人：陈芳;朱雨辰;林孟毅;罗颖华;董丽 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A23G3/48 文献下载
摘要：本发明提供一种降低羟甲基糠醛和丙烯酰胺含量的果脯制备方法及其产品，属于食品加工技术领域。本发明提供一种新的果脯加工工艺，以解决传统果脯加工过程中易形成羟甲基糠醛和丙烯酰胺的问题。本发明方法为：将苹果去皮、去核、切片；将苹果片放入糖液中，然后进行超高压处理，所述糖液含有蔗糖、水、阿拉伯胶、焦亚硫酸钠、柠檬酸；超高压处理完毕后苹果片在糖液中糖渍一段时间；从糖液中捞出苹果片，烘干，即得低羟甲基糠醛和丙烯酰胺含量的果脯。本发明方法较传统加工方式制备的果脯，完全不产生丙烯酰胺和降低95％的羟甲基糠醛，大幅度提升了果脯的食品安全性，果脯色泽更加透亮，口感优良，同时减少了加工时间，提高了生产效率。
一种降低甲基糠醛丙烯酰胺含量果脯制备方法及其产品

[发明专利]导光柱与使用其的车用灯具-CN201510472843.6有效
发明人：林裕闵;林士凱;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：一种导光柱与使用其的车用灯具。车用灯具包含散热基座、光源、导光柱与聚焦透镜。光源设置于散热基座上，并提供光束。导光柱设置于散热基座上，且导光柱的入光面设置以接收光源所提供的光束。导光柱设置以使光源所提供的光束自导光柱的出光面与下表面出光，其中出光面与下表面毗邻。聚焦透镜设置以接收自导光柱的出光面所提供的光束。因此，车用灯具所投射的照射区域之中的暗区仍可具有一定亮度而非全黑。
光柱使用灯具

[发明专利]导光柱与使用其的车用灯具-CN201810564166.4在审
发明人：林裕闵;林士凱;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： F21S41/24 文献下载
摘要：一种导光柱与使用其的车用灯具。车用灯具包含散热基座、光源、导光柱与聚焦透镜。光源设置于散热基座上，并提供光束。导光柱设置于散热基座上，且导光柱的入光面设置以接收光源所提供的光束。导光柱设置以使光源所提供的光束自导光柱的出光面与下表面出光，其中出光面与下表面毗邻。聚焦透镜设置以接收自导光柱的出光面所提供的光束。因此，车用灯具所投射的照射区域之中的暗区仍可具有一定亮度而非全黑。
导光柱车用灯具散热基座出光面光源聚焦透镜下表面光源设置照射区域入光面暗区投射毗邻

[发明专利]光源系统-CN201710281452.5在审
发明人：林裕闵;蔡宗桓;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光源系统，包括一发光二极管光源、一凸透镜以及一导光柱，导光柱设置于发光二极管光源及凸透镜之间。导光柱包括一出光部及一集光部，集光部连接至出光部。出光部具有一导光柱出光面，导光柱出光面朝向凸透镜。集光部具有一内反射表面，内反射表面包括至少一椭圆曲面，此椭圆曲面具有一第一焦点和一第二焦点。第二焦点位于第一焦点和凸透镜之间，且第二焦点位于导光柱内部。
光源系统

[发明专利]具有底切结构的发光二极管及其制造方法-CN201210490755.5无效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭露一种具有底切结构的发光二极管及其制造方法。具有底切结构的发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极。第一半导体层具有一第一区域及一第二区域，其中第一区域具有一第一倾斜壁及一第一顶面，而第一倾斜壁与第一顶面相夹一第一锐角。发光层是形成于第二区域上。第二半导体层是形成于发光层上。第一电极和第二电极分别形成于第一顶面和第二半导体上。第二区域的部分第一半导体层以及上方的发光层和第二半导体层构成一平台结构，且平台结构在邻近第一区域的一侧具有一第二倾斜壁，且第二倾斜壁与第一区域表面间相夹一第二锐角。
有底切结发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及制造发光二极管的方法-CN201210410264.5有效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明在此揭露一种发光二极管及制造发光二极管的方法，发光二极管包含基材、第一型半导体层、纳米柱层以及透明平坦层。第一型半导体层形成于基材上。纳米柱层形成于第一型半导体层上，纳米柱层包含多个纳米柱，每一纳米柱包含量子井结构以及第二型半导体层。量子井结构接触第一型半导体层，第二型半导体层形成在量子井结构上。透明平坦层沟填于这些纳米柱之间，并使第二型半导体层表面露出。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201210407259.9有效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管及其制造方法，发光二极管依序包含基板、第一型半导体层、结构层、发光层、第二型半导体层、第一型接触垫、透明导电层及第二型接触垫。其中，结构层是由一具梯形侧壁的发光二极管堆叠结构以及多个纳米柱自梯形侧壁向外延伸的规则排列的纳米柱所构成。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201210410261.1有效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管不包含P型氮化镓层。此发光二极管依序包含N型半导体层、多重量子井层、P型氮化铟镓(InGaN)层以及氧化铟锡层。氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]固态发光元件的制作方法-CN201110354787.8有效
发明人：余长治;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种固态发光元件的制作方法。形成多个间隔排列的凸出结构于第一基板上。形成一缓冲层于此些凸出结构上，缓冲层填满于此些凸出结构之间的间隙。形成外延成长层于缓冲层上，以形成一第一半导体堆叠结构。将第一半导体堆叠结构倒置于一第二基板上，以使第一型半导体外延层接合第二基板，形成一第二半导体堆叠结构。以一第一蚀刻液蚀刻缓冲层，形成一第三半导体堆叠结构。以一第二蚀刻液渗入此些凸出结构之间的间隙中，使得此些凸出结构被蚀刻掉。将第一基板从第三半导体堆叠结构移除，以形成一第四半导体堆叠结构。
固态发光元件制作方法

[发明专利]固态光源模块及固态光源阵列-CN201110304523.1有效
发明人：余长治;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种固态光源模块及固态光源阵列，该固态光源阵列包括一透明基板以及N列固态发光元件串。每一列固态发光元件串均包括M个串联的固态发光元件，其中N，M为正整数且N≥1，M≥2。每一固态发光元件均包括一第一型电极垫以及一第二型电极垫，且每一列固态发光元件串的第一个固态发光元件的第一型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第一导线，而每一列固态发光元件串的第M个固态发光元件的第二型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第二导线，其中第一导线与第二导线是物理性地互相不连接。
固态光源模块阵列

[发明专利]固态发光半导体结构及其外延层成长方法-CN201110300138.X有效
发明人：余长治;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种固态发光半导体结构及其外延层成长方法。此方法包括：提供一基板。形成多个彼此互相间隔的凸出物于基板上。形成一缓冲层于此些凸出物上，并填满或部分填满此些凸出物彼此间的间隙。形成一半导体外延堆叠层于缓冲层上，半导体外延堆叠层包括依序形成的一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。
固态发光半导体结构及其外延成长方法

[发明专利]半导体发光结构-CN201110165237.1无效
发明人：余长治;林孟毅 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光结构，其包括一基板、一图案化结构、一第一半导体层、一活化层以及一第二半导体层。图案化结构凸出或凹陷于基板的一表面，以使基板的表面成为一粗化面。图案化结构具有一非对称的几何形状。第一半导体层配置于粗化面上。活化层配置于第一半导体层上。第二半导体配置于活化层上。
半导体发光结构

1
共 12 条