专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接触窗开口的形成方法-CN201110412986.X无效
  • 蔡孟峰;张宜翔;林嘉祺;陈奕炘;吴家铭 - 力晶科技股份有限公司
  • 2011-12-13 - 2013-06-05 - H01L21/768
  • 本发明公开一种接触窗开口的形成方法,其包括下列步骤。首先,提供基底,基底包括密集区与独立区。接着,在基底上形成材料层。然后,在密集区中的材料层上形成多个牺牲图案,且在相邻两个牺牲图案之间具有第一开口。接下来,在各牺牲图案两侧分别形成间隙壁,且间隙壁彼此分离设置。之后,移除牺牲图案,而于相邻两个间隙壁之间形成第二开口。再者,形成填满第二开口的平坦层。随后,在平坦层中形成第一狭缝,第一狭缝暴露出位于第二开口下方的部分材料层。继之,移除由第一狭缝所暴露出的部分材料层,而在材料层中形成多个第三开口。
  • 接触开口形成方法
  • [发明专利]图案转移的方法-CN02124620.3有效
  • 方震宇;黄志贤;林嘉祺;黄瑞祯 - 联华电子股份有限公司
  • 2002-06-14 - 2003-12-31 - G03F7/00
  • 一种图案转移的方法,在图案光阻形成在底材上后,先对图案光阻进行一硬化程序,接着才将硬化处理过的图案光阻的图案转移至底材。在此,常见的硬化程序是硅化程序,并且可以只硬化图案光阻的顶部,也可以硬化图案光阻的顶部与侧壁。并且,可以在执行硬化程序之前,先改变图案光阻高度与缩小图案光阻临界尺寸。显然地,由于硬化处理过的图案光阻的蚀刻阻值大于图案光阻材料的蚀刻阻值,可以有效地减少图案光阻在图案转移程序所受到的蚀刻,进而克服图案失真的问题,以及克服习知技术为避免光阻被蚀刻耗尽而必需使用较厚的图案光阻时,图案光阻的临界尺寸受限于显影能力而不能进一步降低的问题。
  • 图案转移方法

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