“板垣克則”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种半导体设备-CN201921573737.7有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型一种半导体设备，包括：生长腔体；预热腔体，连接在所述生长腔体之前；至少一加热器，设置在所述预热腔体内，所述至少一加热器设置在基板的下方，通过所述至少一加热器对所述基板进行加热。本实用新型的半导体设备设计合理，结构简单，工作效率高。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921578609.1有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本实用新型提出的半导体设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921572824.0有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座包括：一加热器，设置在所述基座上；一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。本实用新型提出的半导体设备设计合理，结构简单，可提高镀膜的质量。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921572818.5有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本实用新型的半导体设备设计合理，结构简单。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921573738.1有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对位置上；其中，所述生长腔体上设置至少两个进气口，所述至少两个进气口是设置于所述生长腔体的相对两侧上。本实用新型提出的半导体设备设计合理，结构简单，可提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921588474.7有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座连接一旋转机构，所述旋转机构带动所述基座旋转。本实用新型提出的半导体设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921573735.8有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本实用新型提出的半导体能够提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921580973.1有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述磁体连接一驱动机构，所述驱动机构带动所述磁体移动或转动，所述磁体与靶材之间的距离允许进行调整。本实用新型提出的半导体设备设计合理，结构简单，能够提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[实用新型]一种半导体设备-CN201921572828.9有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许设置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；多层反射板，设置在所述生长腔体的内壁上。本实用新型提出的半导体设备结构简单，设计合理，使用寿命时间长，可提高镀膜的均匀性。
一种半导体设备

[发明专利]一种半导体设备-CN201910894320.9在审
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体设备，该半导体设备包括：生长腔体；清洗腔体，连接于所述生长腔体之前；其中，当基板设置在所述清洗腔体内时，所述清洗腔体内允许形成等离子体，所述等离子体用于对所述基板进行清洗。本发明提出的半导体设备能够提高镀膜的均匀性。
半导体设备等离子体生长腔体清洗腔体内基板设置清洗腔体均匀性镀膜基板清洗

[发明专利]一种半导体设备及其使用方法-CN201910894285.0在审
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体设备及其使用方法，该半导体设备包括：过渡腔体，设置在生长腔体之前；至少一载台，设置在所述过渡腔体内，所述至少一载台允许放置至少一个托盘，所述托盘允许放置基板，所述至少一载台允许上升和/或下降；冷却板，设置在所述过渡腔体内，所述冷却板与所述至少一载台相对设置；抽气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述抽气口对所述过渡腔体进行抽真空处理；排气口，设置在所述过渡腔体的一侧，通过所述排气口对所述过渡腔体进行破真空处理。本发明的半导体设备结构简单，能提高镀膜的均匀性，本发明还提出一种半导体设备的使用方法。
过渡腔体载台半导体设备托盘抽气口过渡腔冷却板排气口体内半导体设备结构抽真空处理生长腔体相对设置均匀性破真空镀膜基板

[发明专利]一种半导体设备-CN201910895152.5在审
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材相对的位置上；其中，所述磁体包括多个磁性单元，所述磁体是形成一弧形的磁场。本发明提出的半导体设备能够提高镀膜的均匀性。
半导体设备生长腔靶材体内磁性单元生长腔体均匀性镀膜基板磁场

1
共 12 条