“松泽稔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果47个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片的加工方法-CN201910593706.6有效
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，在不降低品质的情况下形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用具有切削刀具并且该切削刀具能够旋转的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片上推，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]加工装置、清扫方法和清扫用板-CN202310266874.0在审
发明人：藤崎聪;原田成规;松泽稔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供加工装置、清扫方法和清扫用板，能够不依赖于专用的清扫机构而清扫用于保持被加工物的保持面。该加工装置具有：保持单元，其包含具有对被加工物进行保持的第1保持面的卡盘工作台；加工单元；盒载置台，其载置能够对在第1面侧设置有凹凸构造的板状的清扫用板进行收纳的盒；搬送单元，其包含保持垫；以及控制单元，其能够按照存储于存储装置的程序控制保持单元和搬送单元。控制单元按照程序执行如下的步骤：利用保持垫对清扫用板的第2面进行保持；在利用保持垫保持着清扫用板的状态下，利用搬送单元将清扫用板的第1面推抵于卡盘工作台的第1保持面；在将清扫用板的第1面推抵于卡盘工作台的第1保持面时，使卡盘工作台旋转。
加工装置清扫方法

[发明专利]治具、安装方法和拆卸方法-CN202211631685.0在审
发明人： 松泽稔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供治具、安装方法和拆卸方法，缓和对安装座的冲击。在加工装置中将加工工具安装于安装座时利用治具，加工装置具有：卡盘工作台，其具有对被加工物进行保持的保持面；主轴，其配置于比保持面靠上方的位置，在前端部固定有安装座；台座部，其配置于卡盘工作台的周围，治具具有：第1支承部，其能够支承加工工具；第2支承部，其位于比第1支承部靠下方的位置，被台座部支承；主体部，其配置于第1、第2支承部之间，主体部具有：气囊部，其通过气体的注入而膨胀，通过气体的排出而收缩；注入口，其向气囊部注入气体；排出口，其从气囊部排出气体，在利用第1支承部支承加工工具的状态下使气囊部膨胀而按照接近安装座的方式使加工工具移动。
安装方法拆卸

[发明专利]磨削装置、非暂时性的记录介质以及磨削装置的控制方法-CN202211639308.1在审
发明人： 松泽稔;辻本浩平 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供磨削装置、非暂时性的记录介质以及磨削装置的控制方法，能够防止操作者忘记执行自磨。磨削装置包含：控制单元，其具有处理装置和存储装置，按照存储于存储装置的程序对卡盘工作台、磨削单元以及移动机构进行控制；以及输入装置，其向控制单元输入指令，程序使控制单元执行如下的步骤：在从输入装置向控制单元输入了停止磨削装置的运转的指令之后，使磨削装置的运转停止；以及在从输入装置向控制单元输入了停止磨削装置的运转的指令之后且在使磨削装置的运转停止的步骤结束之前，通过磨削磨轮对保持面进行磨削。
磨削装置暂时性记录介质以及控制方法

[发明专利]修整工具和修整方法-CN202211577338.4在审
发明人： 松泽稔;辻本浩平;藤井祐介 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B24B53/02 文献下载
摘要：本发明提供修整工具和修整方法，该修整工具不仅能够进行磨削磨轮所包含的磨削磨具的下表面(磨削面)的修整，还能够进行其外侧面的修整。将用于磨削磨具的下表面的修整的第1修整部和用于磨削磨具的外侧面的修整的第2修整部中的一方设置成上表面比第1修整部和该第2修整部中的另一方的上表面低，并且外周端部被定位于比第1修整部和该第2修整部中的另一方的外周端部靠外侧的位置。通过利用该修整工具，能够不同时或同时进行磨削磨具的下表面和外侧面这两者的修整。
修整工具方法

[发明专利]晶片和晶片的加工方法-CN201710779489.0有效
发明人：西原亮辅;小出纯;辻本浩平;松泽稔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011214260.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011214261.5在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011013365.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202011015035.4在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010994196.6在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010994199.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010932696.7在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010933662.X在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010766118.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 47 条