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[发明专利]晶片的加工方法-CN202010766592.3在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010829874.3在审
发明人： 松泽稔;藤井祐介 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，能够将在实施磨削加工时附着于卡盘工作台所保持的晶片上的磨削屑充分地去除。晶片的加工方法具有如下的工序：热压接片配设工序，在晶片的正面上配设覆盖晶片的大小的热压接片；一体化工序，对热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压，使热压接片平坦化并且与晶片一体化；磨削工序，将热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台，一边向晶片的背面提供磨削水一边磨削至规定的厚度；以及热压接片清洗工序，从卡盘工作台搬出一体化后的晶片，对热压接片进行清洗。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010565062.2在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010629780.1在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010465648.1在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010465658.5在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010337607.4在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010337648.3在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行加热，将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010211210.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010211223.8在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010138158.0在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010138245.6在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010084516.4在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，并将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010084444.3在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202010004224.5在审
发明人：原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
晶片加工方法