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- [发明专利]单片化方法-CN202210985262.2在审
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原田刚史;太田博昭;松岛芳宏
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新唐科技日本株式会社
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2021-02-17
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2022-11-11
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H01L21/304
- 单片化方法包括：第1工序，在晶片上表面形成表面保持膜；第2工序，将晶片下表面减薄加工；第3工序，除去表面保持膜；第4工序，在减薄加工后的晶片下表面形成第1金属层和第2金属层；第5工序，向第2金属层下表面粘贴切割带；第6工序，对晶片上表面实施亲水性提高处理；第7工序，在晶片表面形成水溶性保护层；第8工序，向晶片上表面的规定区域照射激光，切断第1金属层和第2金属层；第9工序，除去水溶性保护层；第1金属层厚度为30μm以上60μm以下，第2金属层厚度为10μm以上40μm以下，第1金属层的杨氏模量为80GPa以上130GPa以下，第2金属层的杨氏模量为190GPa以上220GPa以下；第8工序中照射第1激光而切断第1金属层，之后照射第2激光而切断第2金属层。
- 单片方法
- [发明专利]半导体装置-CN202210609454.3在审
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松岛芳宏;曾田茂稔;安田英司;今井俊和;大河亮介;吉田一磨;加藤亮
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新唐科技日本株式会社
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2017-12-21
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2022-08-30
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H01L23/31
- 半导体装置具备：N型的半导体基板，由硅构成；N型的低浓度杂质层，与半导体基板的上表面接触；金属层，与半导体基板的下表面接触；以及第1及第2晶体管，形成在低浓度杂质层内；半导体基板作为晶体管的漏极区域发挥功能；将在晶体管的源极电极之间经由第1晶体管侧的半导体基板、金属层、第2晶体管侧的半导体基板流动的双向路径作为主电流路径；金属层的厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的厚度的比例大于0.27；半导体装置还在金属层的下表面具有仅经由粘接层粘接的由陶瓷材料构成的支承体，在设支承体的厚度为t4、粘接层的厚度为t3的情况下，满足：[数式1]t4≥9.00×10‑4·t32‑1.54×10‑1·t3+9.12。
- 半导体装置
- [发明专利]单片化方法-CN202180005345.4有效
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原田刚史;太田博昭;松岛芳宏
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新唐科技日本株式会社
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2021-02-17
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2022-08-09
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H01L21/304
- 一种单片化方法，依次包括：在晶片(100)的上表面形成表面保持膜(50)的工序；将晶片(100)的下表面减薄加工以使晶片(100)的厚度成为30μm以下的工序；从晶片(100)的上表面将表面保持膜(50)除去的工序；在晶片(100)的下表面依次形成第1金属层(30A)和第2金属层(30B)的工序；向第2金属层(30B)的下表面粘贴切割带(52)的工序；对晶片(100)的上表面实施提高晶片(100)的表面的亲水性的处理的工序；在晶片(100)的表面形成水溶性保护层(51)的工序；向晶片(100)的上表面的规定区域照射激光而将晶片(100)、第1金属层(30A)和第2金属层(30B)切断的工序；以及从晶片(100)的表面使用清洗用水将水溶性保护层(51)除去的工序。
- 单片方法
- [发明专利]半导体装置-CN201780080128.5有效
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松岛芳宏;曾田茂稔;安田英司;今井俊和;大河亮介;吉田一磨;加藤亮
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新唐科技日本株式会社
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2017-12-21
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2022-06-21
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H01L29/78
- 半导体装置(1)具备：N型的半导体基板(32)，由硅构成；N型的低浓度杂质层(33)，与半导体基板(32)的上表面接触；金属层(31)，与半导体基板(32)的下表面整面接触，厚度为20μm以上；以及晶体管(10及20)，形成在低浓度杂质层内；半导体基板(32)作为晶体管(10及20)的漏极区域发挥功能；将在晶体管(10及20)的源极电极之间经由晶体管(10)侧的半导体基板(32)、金属层(31)、晶体管(20)侧的半导体基板(32)流动的双向路径作为主电流路径；金属层(31)的厚度相对于包括半导体基板(32)和低浓度杂质层(33)的半导体层的厚度的比例大于0.27；半导体装置(1)还在金属层(31)的下表面整面具有仅经由粘接层(39)粘接的由陶瓷材料构成的支承体(30)。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及单片化方法-CN202080012688.9有效
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松岛芳宏;川上良彦;小田真也;原田刚史
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新唐科技日本株式会社
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2020-10-20
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2022-04-15
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H01L21/8234
- 一种能够进行面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备：半导体层(40)，具有半导体基板(32)、以及与半导体基板(32)的上表面接触而形成的低浓度杂质层(33)；金属层(30)，与半导体层(40)的下表面整面接触而形成，厚度为10μm以上；第1纵型MOS晶体管(10)，形成于半导体层(40)；以及第2纵型MOS晶体管(20)，形成于半导体层(40)；金属层(30)的侧面具有形成以与金属层(30)垂直的方向为纵向的纵条纹的、最大高度粗糙度比1.0μm大的凹凸；在半导体装置(1)的平面视图中，在半导体装置(1)的上表面中的、距半导体装置(1)的外缘为13μm以上的内侧的任意10μm×10μm的区域中，含有构成金属层(30)的金属的形成物的面积占有率是5％以下。
- 半导体装置单片方法
- [发明专利]半导体装置-CN202110225613.5有效
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藤冈知惠;吉田弘;松岛芳宏;水原秀树;浜崎正生;坂本光章
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新唐科技日本株式会社
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2019-01-17
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2021-10-08
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H01L27/092
- 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201980040521.0在审
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藤冈知惠;吉田弘;松岛芳宏;水原秀树;浜崎正生;坂本光章
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新唐科技日本株式会社
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2019-01-17
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2021-02-12
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H01L29/78
- 半导体装置(1)具有：半导体层(40)，具有主面(40a及40b)；金属层(31)，具有主面(31a及31b)，主面(31a)与主面(40b)接触，比半导体层(40)厚，由第1金属材料构成；金属层(30)，具有主面(30a及30b)，主面(30a)与主面(31b)接触，比半导体层(40)厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管(10及20)；晶体管(10)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(11)及栅极电极(19)；晶体管(20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极(21)及栅极电极(29)，将从源极电极(11)经由金属层(31)到源极电极(21)的双向路径作为主电流路径。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110060035.0无效
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内海胜喜;隈川隆博;松浦正美;松岛芳宏
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松下电器产业株式会社
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2007-05-29
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2011-08-24
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B81C1/00
- 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置(100)的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN200810171007.4无效
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竹村康司;隈川隆博;松岛芳宏
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松下电器产业株式会社
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2008-10-31
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2009-05-06
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H01L27/118
- 提供一种半导体装置，防止将半导体晶片分割成芯片时，在划片区使用激光开槽方法的情况下，一旦直至扩散层都透过激光，则在扩散层上设置的扩散层导电膜吸收激光，从而因导电膜的溶解及体积膨胀而在扩散层导电膜上的大范围内发生层间绝缘膜的膜剥离。在半导体基板(1)之上交替层叠形成了布线的第1层间绝缘膜(6)和形成了与布线电连接的通孔的第2层间绝缘膜(7)，形成具有与布线或通孔电连接的功能元件的多个电路区(2)和在该电路区(2)的周围形成，从半导体基板(1)切出电路区(2)时的切割区即划片区(4)。在划片区(4)中，形成由导电性材料构成的第1伪图案(12)及第2伪图案(13)。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710106430.1有效
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内海胜喜;隈川隆博;松浦正美;松岛芳宏
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松下电器产业株式会社
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2007-05-29
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2007-12-12
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H01L21/00
- 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
- 半导体装置制造方法
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