专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种MOS控制晶闸管的制造方法-CN202011157039.6有效
  • 王彩琳;苏乐;杨武华;杨晶 - 西安理工大学
  • 2020-10-26 - 2023-10-10 - H01L21/332
  • 本发明公开了一种MOS控制晶闸管的制造方法,步骤包括:1)在衬底外延形成n漂移区;2)在有源区形成n区;3)形成栅氧化层;4)淀积多晶硅层并进行磷掺杂;5)形成p基区和终端p型场限环;6)形成n+阴极区;7)形成n体区和终端n型截止环;8)形成p++源区;9)表面平坦化;10)形成金属化的阴极和栅极;11)去掉衬底,利用衬底与n漂移区之间对流扩散形成的过渡区作为nFS层;12)形成p+阳极区;13)形成多层金属化的阳极A;14)形成阴极和栅极压焊区隔离图形和终端钝化膜;15)完成对终端区的表面保护。本发明方法制造的MOS控制晶闸管,能够满足脉冲功率和固态断路器领域的要求。
  • 一种mos控制晶闸管制造方法
  • [发明专利]一种基于颜色共生矩阵的家纺耐摩擦色牢度检测方法-CN202211009291.1有效
  • 杨武华;黄锡源 - 启东市鸿盛纺织有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-01-20 - G06T7/00
  • 本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种基于颜色共生矩阵的家纺耐摩擦色牢度检测方法。该方法是一种应用电子设备进行识别的方法,利用生产领域人工智能系统完成对家纺耐摩擦色牢度的检测。该方法首先通过相机识别图像,得到家纺图像,对家纺图像进行数据处理得到多个非耐磨区域,进一步对非耐磨区域进行数据处理得到非耐磨区域的区域耐摩擦色牢度和家纺图像对应的整体耐摩擦色牢度。本发明通过分析各区域内像素点颜色信息和空间距离完成对图像的分割,再对区域的边缘信息进行分析,再对边界界定得到区域真实边缘,实现在家纺为纯色的情况下对颜色区域的划分,进而根据划分好的区域进行耐摩擦色牢度检测。
  • 一种基于颜色共生矩阵家纺耐摩擦牢度检测方法
  • [发明专利]一种用于床单布匹污渍检测的方法-CN202210618711.X有效
  • 杨武华 - 启东市鸿盛纺织有限公司
  • 2022-06-02 - 2022-09-02 - G06T7/00
  • 本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种用于床单布匹污渍检测的方法。该方法结合相关的电子设备进行图像识别得到待检测床单布匹图像;根据待检测床单布匹图像获取第一权值、第二权值、第三权值和第四权值;根据第一权值、第二权值、第三权值和第四权值,得到污渍区域。本发明提供了一种结合电子设备进行图形识别的用于床单布匹污渍检测的方法,并进行相关的数据处理,提高了对床单布匹图像中污渍区域的检测效果。
  • 一种用于床单布匹污渍检测方法
  • [发明专利]一种汽车升级定制信息展示系统-CN202111171607.2有效
  • 张鹏;杨武华;饶宇轩;张建华 - 武汉趣改信息科技有限公司
  • 2021-10-08 - 2022-07-12 - G09F9/30
  • 本发明涉及一种汽车升级定制信息展示系统,所述汽车升级定制信息展示系统包括:底座以及安装在所述底座下部的多个车轮,所述底座上还设置有呈中空设置的展示栏,所述展示栏上固定安装有开设有通槽的固定板;活动传动辊,所述活动传动辊活动设置在所述固定板上;升降组件,所述升降组件活动设置在所述底座与所述展示栏之间,用于驱动所述展示栏在竖直方向上运动;驱动机构,所述驱动机构活动设置在所述展示栏内,所述驱动机构与所述活动传动辊配合并支撑需要展示的海报;导向机构,所述导向机构与所述驱动机构连接;调节机构,所述调节机构活动设置在所述展示栏上且与所述导向机构连接,所述调节机构通过所述导向机构驱动所述活动传动辊运动。
  • 一种汽车升级定制信息展示系统
  • [发明专利]具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法-CN202210241564.9在审
  • 王彩琳;杨武华;郭佳睿;张超;苏乐 - 西安理工大学
  • 2022-03-11 - 2022-06-14 - H01L29/423
  • 本发明公开了一种具有沟槽‑平面柵的发射极开关晶闸管,以n‑漂移区作为衬底,n‑漂移区上方设有交叠的左、右侧p基区,左、右侧p基区中各设有n+浮置区及n+阴极区;左侧p基区的左侧设有沟槽,该沟槽底部低于p基区底部,形成沟槽柵极;p基区相互交叠区及n+阴极区部分上表面设有平面柵极;沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G;左、右两侧p基区内设置有p++层;n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面设有铝金属化阴极K;n‑漂移区下表面依次设有n缓冲层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种发射极开关晶闸管的制备方法。本发明的器件,转折电压低、导通损耗低、最大可关断电流高,制作简单。
  • 具有沟槽平面发射极开关晶闸管及其制造方法
  • [发明专利]电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管及其制造方法-CN201910497542.7有效
  • 王彩琳;杨武华;曹荣荣 - 西安理工大学
  • 2019-06-10 - 2022-04-22 - H01L29/745
  • 本发明公开了一种电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管,在n漂移区上方中央的p基区中设置有n+阴极区;p基区四周环绕的n CS层上部靠外设置有p++分流区,p++分流区上表面与n+阴极区上表面的铝层共同构成阴极电极K;部分n+阴极区、p基区、n CS层及部分p++分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层,在栅氧化层上表面设置有多晶硅层作为栅极G;在阴极电极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层;n漂移区向下依次设置有n FS层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该IE‑Bi‑MCT的制备方法。本发明的IE‑Bi‑MCT结构,能显著降低器件的通态压降,提高单元胞最大可关断电流。
  • 电子注入增强双模mos控制晶闸管及其制造方法
  • [实用新型]一种具有散热结构的电子设备工程安装用保护装置-CN202121431018.9有效
  • 杨武华 - 深圳汇智文化科技有限公司
  • 2021-06-26 - 2022-02-01 - H05K5/02
  • 本实用新型公开了一种具有散热结构的电子设备工程安装用保护装置,包括装置主体、挡块、限位轨道、吊环和散热风扇,所述装置主体一侧的内壁上安装有挡块,挡块设置有四组,且所述挡块一侧的装置主体内壁上安装有限位轨道,所述装置主体表面的一侧通过合页安装有门板,装置主体的两内侧壁上皆固定有吸附箱,所述装置主体的两侧外壁上皆安装有散热风扇,吸附箱的内部设置有散热机构,装置主体的顶端安装有存储箱,且存储箱的表面活动安装有盖板;本实用新型不仅满足多种多种规格电子设备的保护,提升装置的适用范围,避免电子设备出现晃动的现象,提高装置对电子设备的保护效果,还降低灰尘、潮气对电子设备造成的影响,具有良好的市场应用价值。
  • 一种具有散热结构电子设备工程安装保护装置
  • [发明专利]一种具有n+-CN202110914107.7在审
  • 王彩琳;杨武华;罗琳;张如亮;张超 - 西安理工大学
  • 2021-08-10 - 2021-12-17 - H01L29/74
  • 本发明公开了一种具有n+调整区的双模式GCT,其特征在于:整个器件表面所有GCT单元和PIN二极管单元呈指条状按同心环排列均匀地分布在芯片上表面,并且GCT单元和PIN二极管单元按3﹕1的比例交叉分布,所述PIN二极管单元的p阳极区上表面中间位置设置有一个条形或多个圆形的n+调整区,p阳极区与两侧相邻GCT单元的p基区之间均采用pnp隔离区实现有效隔离。本发明还公开了上述具有n+调整区的双模式GCT的制备方法。本发明的BGCT不仅省去了对PIN二极管进行横向局部载流子寿命控制工艺,降低了工艺难度和成本,而且可以有效改善PIN二极管恢复速度和软度,抑制动态雪崩的发生,确保器件换向的可靠性。
  • 一种具有basesup
  • [发明专利]一种具有隐埋层的BRT及其制造方法-CN202110915230.0在审
  • 王彩琳;杨武华;刘园园;张如亮 - 西安理工大学
  • 2021-08-10 - 2021-12-17 - H01L29/745
  • 本发明公开了一种具有隐埋层的BRT,n漂移区上部设有p基区及n+阴极区;n漂移区上部的p基区的两侧设有与p基区两侧相接触的隐埋层;在隐埋层上方靠外侧设有p++分流区,两侧的p++分流区上表面铝层与n+阴极区上表面铝层连成阴极K;部分n+阴极区、p基区及部分p++分流区上表面共同设有栅氧化层及多晶硅层的栅极G;阴极K与栅极G之间设有磷硅玻璃层;在n漂移区下表面依次设有nFS层、p+阳极区和金属化阳极A;该隐埋层选用N型的掺杂层;或者选用隐埋二氧化硅层。本发明还公开了该种具有隐埋层BRT的制造方法。本发明的BRT,有效抑制了电压折回现象,降低了器件通态压降并提高开关速度,从而降低了能耗。
  • 一种具有隐埋层brt及其制造方法
  • [发明专利]一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET结构及制作方法-CN202111135884.8在审
  • 王彩琳;汤雨欣;苏乐;杨武华 - 西安理工大学
  • 2021-09-27 - 2021-12-10 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET结构,衬底的N+漏区上设有N辅助层,N辅助层上方两侧为超结区,每侧超结区上方的P体区靠内设有一个N+源区,在P体区和N+源区的上表面共同设有源极电极S;两个N柱区及其上方的P体区中央设有深沟槽,深沟槽底部位伸进N辅助层内;深沟槽内的上方设有栅极G,其四周为二氧化硅层;下方设有屏蔽栅极SG,其两侧及底部为二氧化硅层,且屏蔽栅极SG在三维方向上与源极S相连;在N+漏区下表面设有漏极电极D。本发明还公开了另一种SJSGT*结构及该两种结构的制作方法。本发明在保证击穿电压和雪崩耐量的前提下,明显降低器件导通电阻和栅电荷,获得快开关速度和低功耗。
  • 一种屏蔽沟槽mosfet结构制作方法
  • [发明专利]一种基区电阻控制晶闸管结构及其制造方法-CN202011155757.X在审
  • 王彩琳;苏乐;杨晶;杨武华 - 西安理工大学
  • 2020-10-26 - 2021-02-19 - H01L29/74
  • 本发明公开了一种基区电阻控制晶闸管结构,在n漂移区上方中央设置有p基区,p基区上方中央设置有n+阴极区,p基区两侧分别设有n区,右侧的n区内设置有p++分流区,p++分流区上表面的铝层与n+阴极区上表面的铝层相连构成阴极电极K;两侧n区、p基区、部分n+阴极区及部分p++分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层,在栅氧化层上表面设置有栅极G;在阴极电极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层;n漂移区下表面依次设置有n FS层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种基区电阻控制晶闸管的制造方法。本发明的工艺成本低,便于推广利用,能够更好地满足脉冲功率和固态断路器领域的应用要求。
  • 一种电阻控制晶闸管结构及其制造方法
  • [实用新型]一种用于钢铁制造的干式强磁筛选装置-CN202020392726.5有效
  • 杨武华 - 惠安信德机械有限公司
  • 2020-03-25 - 2021-01-22 - B03C1/00
  • 本实用新型公开了一种用于钢铁制造的干式强磁筛选装置,包括支架和箱体,本实用新型通过设置了调节机构在箱体底部,通过启动电动马达,使得电动马达输出轴带动第一传动轮进行转动,而第一传动轮则通过传动带带动第二传动轮进行转动,从而实现第二传动轮带动小齿轮转动,并且小齿轮带动相啮合的大齿轮以及和大齿轮固定连接的扇形齿轮转动,以及扇形齿轮带动相啮合的齿条水平移动,并且齿条带动固定连接的中空板水平移动,而传动柱在中空板的作用力带动转动板进行转动进行位置的调节,达到了快速根据外部的运输设备的高度进行矿石排出高度调节,为工作带来方便的有益效果。
  • 一种用于钢铁制造干式强磁筛选装置

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