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[发明专利]一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备方法-CN202310174151.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;汪鑫 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体提供了一种碲镉汞材料霍尔测试样品的制备工艺。本发明的碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备工艺，通过对碲镉汞外延材料正面进行表面处理并沉积介质膜进行保护，同时将碲镉汞外延材料背面的衬底和过渡层材料进行去除，避免了碲镉汞外延材料表面电荷的堆积，以及失配位错缺陷对碲镉汞外延材料霍尔测量的影响，提高了碲镉汞外延材料电学测量的准确度。
一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品制备方法

[发明专利]一种碲镉汞材料的P型热处理方法-CN202211499583.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞材料的P型热处理工艺方法。本发明对外延生长得到的碲镉汞材料进行富汞热处理和真空热处理，根据碲镉汞材料的厚度确定富汞热处理的时间，并同时控制热处理的温度、真空退火处理的温度与时间，能够解决富汞热处理后P型碲镉汞材料电学参数不稳定的技术问题，同时还可以在一定温度范围内精确控制液氮温度下碲镉汞P型材料的载流子浓度，实现良好的批次稳定性，提高了碲镉汞材料退火热处理的良品率，非常适合批量生产使用，降低了生产成本。
一种碲镉汞材料热处理方法

[发明专利]一种金元素均匀分布的碲镉汞母液配料及其制备方法-CN202211499555.6在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种金元素均匀分布的碲镉汞母液配料及其制备方法。本发明通过先合成均匀的金均匀掺杂的碲原料的方法，然后再将金均匀掺杂的碲原料与碲、镉、汞原料进行制备合成，解决了现有技术中由于金元素掺杂量低导致的难以准确称量，掺杂量难以精确控制的技术问题，称量方便，准确性高，可以得到金元素精确均匀掺杂的碲镉汞母液配料。
一种金元均匀分布碲镉汞母液配料及其制备方法

[发明专利]一种碲化镉/硫化锌双层钝化膜的开孔腐蚀液及开孔方法-CN202211499157.4在审
发明人：黄晟;黄立;张冰洁;杨朝臣 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明属于碲镉汞红外焦平面探测器技术领域，提供了一种应用于碲镉汞探测器器件表面碲化镉/硫化锌双层钝化膜的开孔腐蚀液及开孔方法，避免了溴基化学腐蚀法中存在的低选择性及扩腐问题，以及重铬酸盐湿化学腐蚀法中存在的电极接触不良的技术问题，能够在单次的腐蚀开孔处理过程中，选择性地对碲镉汞表面的碲化镉/硫化锌双层钝化膜进行腐蚀处理，简化了开孔处理工艺，提升了工艺的稳定性，有助于实现双层钝化焦平面器件批量化生产。
一种碲化镉硫化锌双层钝化腐蚀方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法-CN202011157834.5在审
发明人：严冰;张冰洁;张传杰;杨朝臣;凡陈玲 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于碲镉汞器件技术领域，具体涉及一种高一致性工作偏置电压的碲镉汞器件及其制备方法：碲镉汞吸收区上形成有PN结区，碲镉汞吸收区及PN结区上覆盖有第一钝化层；第一钝化层上对应PN结区位置处的四周设有与公共电极孔，公共电极孔通过公共电极网格与环绕阵列四周的边缘公共电极连接，PN结区位于公共电极网格的空格下方；第一钝化层和公共电极网格上覆盖有第二钝化层；PN结区正上方的第二钝化层上设有PN结区电极，且PN结区电极延伸至PN结区；PN结区电极上设有铟柱。本发明不仅能够实现碲镉汞中心像素和边缘像素的工作偏置电压点基本达到一致，同时通过设计公共电极孔和避免公共电极网格与碲镉汞吸收区直接接触，从而减少表面漏电与串音。
一种一致性工作偏置电压碲镉汞器件及其制备方法

[实用新型]一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置-CN201820360061.2有效
发明人： 杨朝臣;刘永锋;张传杰;杜宇;张冰洁;陈晓静 -专利权人：武汉高德红外股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碲镉汞热处理的石墨样品架装置，所述的样品装置架包括样品架主体、蒸汽罩、固定装置、粉末槽、封口盖、方槽，样品架主体位于蒸汽罩内，通过固定装置与蒸汽罩固定，粉末槽位于样品架主体上，封口盖与粉末槽相对应，方槽位于粉末槽下方，并位于样品架主体上，组装后只有样品架底座与蒸汽罩是密封部位，其他位置都处于一个整体的石墨蒸汽罩内，减少了汞蒸汽泄漏部位，并且HgCdTe外延片的放置方式是竖直的，处理相同规格和数量的外延片可减小样品架的尺寸，密封部位尺寸将进一步减少，能更好地提高石墨样品架装置的密封性能，可减少HgTe粉末量的使用，节约了能源，保护了环境。
蒸汽罩样品架主体粉末槽石墨样品热处理固定装置密封部位封口盖外延片样品架碲镉汞方槽本实用新型放置方式密封性能泄漏部位样品装置石墨粉末量汞蒸汽底座减小竖直组装节约能源