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[发明专利]一种整形定型装置-CN202211271977.8有效
发明人：魏少威;杨时聪 -专利权人：上海博立威智能科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： D06C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种整形定型装置，包括：工升降驱动组件、升降架、放码组件、换模基板、整形推刀、推刀驱动机构、整形压板、工作板、舌模、发热组件。通过上述方式，本发明一种整形定型装置，可以通过舌模、发热组件以及整形推刀对袖克夫或衬衫领进行整形和定型处理，解决了人工操作的熟练问题和疲劳问题，大大提高了产品质量的可靠性和稳定性，而且还提高了工作效率，节省一个整烫工序，降低了人工成本。
一种整形定型装置

[实用新型]一种舌模摆动送模装置-CN202222737373.X有效
发明人：魏少威;杨时聪 -专利权人：福恩达机器人（昆山）有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： D05B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种舌模摆动送模装置，包括：第一舌模、第二舌模、放码组件、送模摆动组件、工作板、升降底座以及送模升降组件。通过上述方式，本实用新型一种舌模摆动送模装置，不仅具有舌模放码的功能，使得舌模能适用于不同尺码的要求，还可以通过送模摆动组件和送模升降组件调节舌模的位置和角度，便于套装放料，提高了操作的精准性和稳定性，也提高了工作效率和产能。
一种摆动装置

[发明专利]一种高效去除冶金级硅中杂质的方法-CN202211111564.3在审
发明人：任永生;曾毅;马文会;雷云;魏奎先;吕国强;伍继君;杨时聪;王正省;张亚坤;曹静 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。本发明所述方法首先将含硼多晶硅，铜和微量亲硼添加剂铪混合均匀，得到混合物料，在氩气气氛中加入到电阻炉中熔料；待物料完全熔化后进行定向凝固，析出初晶硅晶体富集相及共晶Si‑Cu合金；然后将硅晶体富集相与共晶Si‑Cu合金沿分界面切割分离，得到精炼硅；将精炼硅研磨成硅粉，硅粉依次经王水、HF+HCl混酸酸洗得到高纯硅。相较于现有技术而言，本发明的杂质去除方法不仅能高效的去除B，还能同步去除冶金级硅中的Fe、Al、Ca、Ti、V等杂质，亲硼添加剂铪的去除率可达99.95％，不会对Si造成二次污染。
一种高效去除冶金级硅中杂质方法

[发明专利]一种硅片切割废料高效提纯的方法-CN202110244366.3有效
发明人：魏奎先;杨时聪;马文会;邓小聪 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料高效提纯的方法，属于硅二次资源综合利用技术领域。本发明针对现有的硅片切割废料前端预处理和提纯分段进行引起的生产效率低、易扬尘、预处理过程金属杂质二次污染和提纯过程颗粒表面二次氧化严重等实际问题，将新鲜的硅片切割浆液直接浓缩至液固比mL:g低于3:1的硅片切割废料糊，采用湿法浸出介质对硅片切割废料糊进行直接湿法化学提纯去除硅片切割废料表面的沾污金属杂质，经多次洗涤和浓缩得到4‑5N高纯硅粉糊；将4‑5N高纯硅粉糊直接造粒成型，迅速控氧干燥即得4‑5N高纯硅球团。本发明方法具有设备要求简单、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产等优点。
一种硅片切割废料高效提纯方法

[发明专利]一种晶体硅生产用废旧石英坩埚综合回收利用方法-CN202210917658.3在审
发明人： 杨时聪;魏奎先;马文会;韩士锋;陈杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅生产用废旧石英坩埚综合回收利用的方法，针对目前晶体硅生产用废旧石英坩埚存量大、综合回收利用不足、回收产品经济附加值低等产业现状，本发明提出以晶体硅生产用废旧石英坩埚为原料，经过破碎、研磨、筛分、电选、湿法酸性浸出提纯和干燥等工艺处理后，分别获得高纯石英粉和高纯硅粉两种产品。本发明获得的高纯石英粉和高纯硅粉经过进一步处理后可分别用于光伏级石英坩埚、光伏玻璃、白炭黑和晶体硅等产品生产制备。本发明原料适用性强，能够同时提高回收产品的回收率和纯度，可缓解高纯石英和高纯硅资源短缺的产业问题，有效促进光伏晶体硅生产用废旧石英坩埚的高值化综合回收利用。
一种晶体生产废旧石英坩埚综合回收利用方法

[发明专利]一种用于熔炼回收再生硅的硅片切割废料的球团化方法-CN202010703832.5有效
发明人：魏奎先;杨时聪;马文会;吕国强;伍继君;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料的球团化方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。本发明针对硅片切割废料回收时，硅片切割废料粒度较细，在火法熔炼提取硅过程中易于氧化和水分含量高难以直接入炉进行高温处理，从而降低硅的回收率和增加水分去除负担等问题，将硅片切割废料压滤的滤饼进行破碎得到硅片切割废料颗粒，在硅片切割废料颗粒中加入粘结剂混合均匀得到混合料，将混合料球团化处理得到硅废料球团，将硅废料球团置于保护气体、微负压或真空条件下干燥脱水至含水量1％得到脱水硅废料球团。本发明可减少超细粒硅粉与空气或氧气接触，降低硅氧化损失，可避免高温熔炼中水分挥发引起的硅粉氧化和炉况恶化问题。
一种用于熔炼回收再生硅片切割废料球团化方法

[发明专利]一种硅片切割废料回收制备高纯硅的方法-CN202110244826.2有效
发明人：马文会;杨时聪;魏奎先;邓小聪 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料回收制备高纯硅的方法，属于硅资源高值化再生利用技术领域。本发明基于硅片切割废料中高纯硅含量高、表面氧化和金属杂质富集表面的特点，提出硅片切割废料“真空熔炼精炼‑真空定向铸锭提纯”直接制备高纯硅的方法，即以新鲜硅片切割废料为原料，在隔氧或惰性气体下进行预处理，在真空条件下将硅片切割废料熔化、扒渣、精炼，再进行硅熔体的真空定向铸锭提纯，得到纯度6N级以上的高生硅产品。本发明所得的纯度6N级以上的高生硅产品可以直接或者兑掺用于单晶拉制与铸造单/多晶硅晶体生长，具有设备要求简单、无需添加剂、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产的优势。
一种硅片切割废料回收制备高纯方法

[发明专利]一种硅片切割废料顶吹精炼的方法-CN202010705006.4有效
发明人：马文会;杨时聪;魏奎先;李绍元;伍继君;万小涵 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料顶吹精炼的方法，属于硅二次资源回收再生制备高纯硅技术领域。本发明针对硅片切割废料常规火法熔炼过程不具备除杂能力或除杂效率低的实际问题，在硅片切割废料熔炼精炼过程中外加吹气装置，通入氧化性气体，对熔化后的硅片切割废料进行氧化精炼，在硅熔体发生强烈搅拌的同时，促进硅中的Ca、Al等杂质氧化反应进入渣相得以去除，实现高品质硅的制备。本发明所述方法具有设备要求简单、操作容易、流程短、可直接制备出高品质硅和适合规模化工业生产的特点。
一种硅片切割废料顶吹精炼方法

[发明专利]一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法-CN202010705503.4有效
发明人：魏奎先;杨时聪;马文会;万小涵;李绍元;伍继君 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料微负压下熔炼的方法，属于火法熔炼硅片切割废料再生回收硅技术领域。本发明针对硅片切割废料在火法熔炼回收硅过程中由于水分存在造成熔炼过程硅粉易氧化和熔炼过程中杂质去除效率低的问题，将微负压装置移至熔炼的炉口正上方，开启微负压装置的真空装置使硅片切割废料进行微负压熔炼，以避免超细硅粉在熔炼过程中氧化损失并除去硅中的易挥发性杂质，实现硅熔体的同步精炼。本发明在硅熔体上方营造出的微负压环境，可以避免硅熔炼过程中烟气的逸出，减少环境影响。本发明方法具有设备要求简单、操作容易、环境友好、适合规模化工业生产。
一种硅片切割废料压下熔炼方法

[发明专利]一种流化床干燥硅片切割废料的方法-CN202010729525.4在审
发明人：魏奎先;杨时聪;马文会 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： F26B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种流化床干燥硅片切割废料的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。本发明针对硅片切割废料压滤后的滤饼水分含量高，采用常规的蒸汽干燥、微波干燥等方式，不仅干燥效率低、水分去除不彻底，还会造成硅片切割废料二次氧化和降低硅的回收率等问题，提出硅片切割废料的流化床干燥处理。在硅片切割废料进行高温处理再生利用前预先进行流化床干燥，使得残留在硅片切割废料滤饼中的水分得以高效快速的去除，同时抑制干燥过程中的硅颗粒氧化。通过流化床干燥降低原料中的水分含量，提高干燥的效率，从而提高硅片切割废料在后续过程中的利用效率，进一步提高硅的回收率。干燥后的硅片切割料可直接熔炼回收硅，或与硅原料合并精炼。
一种流化床干燥硅片切割废料方法

[发明专利]一种硅片切割废料熔炼精炼协同高值化利用方法-CN202010703821.7在审
发明人：马文会;杨时聪;魏奎先;伍继君;万小涵;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料熔炼精炼协同高值化利用方法，属于硅二次资源高值化再生利用技术领域。本发明针对硅片切割硅粉废料易氧化、熔炼过程中杂质Al、Ca难以去除和硅的回收率低等实际问题，提出在熔炼设备中进行硅片切割废料的“还原熔炼‑精炼”高值化再生利用方法，实现硅片切割废料中硅颗粒表面二氧化硅的还原协同硅熔体精炼，提高硅的回收率和纯度，直接获得3N以上的再生硅产品。本发明方法具有设备要求简单、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产。
一种硅片切割废料熔炼精炼协同高值化利用方法

[发明专利]一种硅片切割废料再生利用的方法-CN202010704112.0在审
发明人：魏奎先;杨时聪;马文会;李绍元;伍继君;万小涵 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料再生利用的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。本发明针对晶体硅金刚石线切割制备硅片过程中产生的硅片切割废料，在其切割、储存、运输等过程中由于超细硅粉长期与水分和空气接触在硅颗粒表面氧化生成二氧化硅而造成硅片切割废料在火法再生利用过程中玻璃体二氧化硅熔点高、挂壁现象严重而影响操作炉况和降低硅的回收率等实际问题，在火法熔炼回收硅片切割废料过程中添加还原剂，在高温作用下硅颗粒表面的二氧化硅被还原剂还原成硅单质，促进炉料下行并减少硅片切割废料火法熔炼过程中的玻璃体渣量和提高硅的回收率。
一种硅片切割废料再生利用方法

[发明专利]一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法-CN202010704101.2在审
发明人：魏奎先;马文会;杨时聪;伍继君;万小涵;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。为了实现金刚石线切割废料的高值化再生利用，本发明采用酸性湿法浸出预处理，使得硅微颗粒表面大量的金属杂质和二氧化硅表面氧化层得以快速溶解去除，再结合多晶硅铸锭的方法将湿法提纯后的高纯硅粉与铸锭原料掺兑进行铸锭和晶体生长获得可以用于多晶硅太阳电池用的多晶硅锭。该方法具有设备要求简单、流程短、成本低、操作容易、适合规模化工业生产等优点。
一种金刚石硅片切割废料高值化再生利用方法

[发明专利]一种回收废旧电路板中有价金属的方法-CN201510189642.5在审
发明人：席风硕;陈为亮;于志强;杨时聪;杨晨年;马文会;阴树标;刘善超 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种回收废旧电路板中有价金属的方法，属于冶金技术领域。首先将废旧电路板置于真空炉中热解，热解完成后获得热解渣；将热解渣加入石灰石熔剂和还原剂焦炭，熔炼获得阳极铜，阳极铜经铸锭后作为阳极；以阳极铜作为阳极、钛板为阴极进行电解精炼，即能在阴极获得阴极铜，在电解过程中产出富含贵金属的阳极泥；将阳极泥加水进行浆化，加水、调酸后在通入压缩空气或氧气浸出，将浸出矿浆进行固液分离后获得浸出液和贵金属富集的浸出渣，向浸出液中加入铜粉获得碲和硫酸铜。本发明在初次处理过程中采用真空热解的方法，对非金属、铅锡焊料以及热解渣进行了有效分离。
一种回收废旧电路板中有价金属方法

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