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[发明专利]一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法-CN202310822885.2在审
发明人：黄永;王亦飞;王东;宁静;陈兴;万坤;杨旭豪 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；P‑GaN双终端层，设置于势垒层上除阴极位置区域和阳极位置区域以外区域；P‑GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端，第一区域为P‑GaN双终端层靠近阳极位置区域的端部中的部分区域，第二区域为除第一区域以外的区域；第二终端为对第二区域的P‑GaN材料进行等离子体处理后得到；阴电极，设置于势垒层上的阴极位置区域；阳电极，设置于势垒层上的阳极位置区域，并与第一终端和第二终端均电接触。本发明中的器件，正向工作时电流密度较高、开启电压较低，反向工作时漏电电流较小、击穿电压较高。
一种终端氮化二极管及其制备方法

[发明专利]一种紫外光探测器-CN202210529873.6有效
发明人：黄永;李梹激;陈兴;杨旭豪;王东 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光探测器，包括：衬底以及依次设置于衬底上的高阻层和光敏层；第一阳极、第二阳极和阴极基底，均设置于光敏层上且均与光敏层形成电学接触，阴极基底设置于第一阳极和第二阳极之间；阴极，设置于阴极基底上并与阴极基底形成电学接触；阴极延伸至阴极基底外，并在紫外光的照射方向上遮挡第二阳极和阴极基底之间的光敏层。本发明中的器件，通过较为简单的结构实现了对光生电流和暗电流的同时监控，进而可以通过将光生电流与背景暗电流做比较提取准确的光信号，提高该器件的探测灵敏性和准确性，降低误报率。
一种紫外光探测器

[发明专利]一种光探测器-CN202210524606.X有效
发明人：黄永;李梹激;陈兴;杨旭豪;王东 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种光探测器，包括：衬底；第一导电层，设置于衬底上，且第一导电层为量子点结构的高铝组分p型掺杂层；光敏层和第二导电层，依次设置于第一导电层上；第一电极和第二电极，分别设置于衬底和第二导电层上，第一电极与第一导电层电接触，第二电极与第二导电层电接触；第二导电层至少除第二电极遮挡的部分为透明的。本发明中的器件，具有较高的感光效率，生产成本较低，且通过在第一导电层中设置量子点结构提升了光敏层中光生载流子的分离效率，能够实现对光信号的有效监控。
一种探测器

[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法及器件-CN202310036801.2在审
发明人：黄永;王亦飞;王东;陈兴;吴勇;杨旭豪;龚子刚;薛荣宇;台运涛;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一生长台阶处的P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，离子注入区贯穿P型埋层并延伸至第一生长台阶外；分别在第一生长台阶和第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。本发明中的方法，能够制备得到反向耐压值较高，漏电电流较低，且其结构简，内部各个结构层的结晶质量较高的肖特基二极管。
一种肖特基二极管制备方法器件

[发明专利]一种集成反相器及其制备方法-CN202211066704.X在审
发明人：王霄;王东;黄永;杨旭豪;陈财;陈兴;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成反相器及其制备方法，器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；衬底在第一区域的厚度大于在第二区域的厚度；缓冲结构层，设置于第二区域的衬底上；第一导电结构层和第二导电结构层，依次设置于缓冲结构层上，且第一导电结构层和第二导电结构层具有间隔的第一子区域和第二子区域，第一子区域的第一导电结构层和第二导电结构层形成异质结；第三导电结构层，设置于第二子区域的第二导电结构层上；第一源极和第二栅极之间以及第一漏极和第二源极之间电连接，第一栅极和第三栅极电连接为集成反相器的输入端，第二漏极和第三源极电连接为集成反相器的输出端；第三漏极为集成反相器的驱动电源连接端。本发明中的器件，集成度高。
一种集成反相器及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211436315.1在审
发明人：陈财;台运涛;黄永;杨旭豪;王霄;邱慧嫣;王亦飞;解靖飞;陈兴;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上电子气结构层，电子气结构层包括沟道层和势垒层；电子气结构层具有晶体管区域、二极管区域和连通区域；晶体管区域和二极管区域之间形成有绝缘层，绝缘层刻断晶体管区域和二极管区域之间的二维电子气；欧姆电极，设置于连通区域的势垒层上；栅电极和源电极，均设置于晶体管区域的势垒层上，且源电极位于晶体管区域的远离连通区域的端部；阳电极，设置于二极管区域的势垒层上，且位于二极管区域的远离连通区域的端部；连接电极，设置于源电极和阳电极上，并与源电极以及阳电极电连接。本发明中的器件，实现了晶体管和二极管的集成，且可靠性较高，成本较低。
一种半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种可以利用BIM进行成本控制的建筑墙体构件-CN202221838130.9有效
发明人：李鑫;曾锦亨;张渊博;杨旭豪;徐国标 -专利权人：浙江正立建筑设计有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可以利用BIM进行成本控制的建筑墙体构件，包括矩形的构件本体，所述构件本体的左侧设有连接块、右侧设有连接机构，每两个左右相邻的构件本体通过连接块与连接机构连接，所述连接机构包括设于构件本体右侧且与连接块相适配的配合槽、设于配合槽的上侧壁的凹槽、设于凹槽内可上下滑动的滑块、贯通凹槽上端的滑孔、设于滑孔内设有可上下滑动的调节杆以及用于对调节杆上下锁定或解锁的锁定组件，所述调节杆下端穿过凹槽与滑块相连接，所述滑块与凹槽的内底部之间设有弹簧，所述滑块的底部设有斜面，所述连接块的上端设有与滑块相适配的卡槽，通过构件本体一一连接成墙体，组装和拆卸都比较方便，节约了成本。
一种可以利用 bim 进行成本控制建筑墙体构件

[发明专利]一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法-CN202211216647.9在审
发明人： 杨旭豪;王东;黄永;陈财;王亦飞;陈军飞;李彦佐 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法，氮化镓基材料的表面处理方法，包括如下步骤：在氮化镓基材料的结构层表面生长氧化物保护膜，得到第一中间结构层；对第一中间结构层的表面进行氢离子气体处理，得到第二中间结构层；刻蚀去除第二中间结构层中的氧化物保护膜。本发明中的方法，能够有效降低氮化镓基材料的结构层的表面态，提高其电学性能。
一种氮化基材表面处理方法器件制备

[发明专利]一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件-CN202210573399.7在审
发明人：邱慧嫣;黄永;常娟雄;程晨言;杨旭豪;王宇轩;王霄;陈财;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：获取制备基底；制备基底包括衬底层以及依次生长于衬底层上的沟道层和势垒层；在镁源气氛下在制备基底上依次生长AlGaN基体层和GaN量子点，并在完成GaN量子点的生长后，关闭镓源而保持氮源通入预设时间；关闭镁源，在GaN量子点上生长AlGaN掩埋层；多次循环生长AlGaN基体层、GaN量子点和AlGaN掩埋层，并刻蚀形成P‑AlGaN栅极介质层；在势垒层上生长源极和漏极，在P‑AlGaN栅极介质层生长栅极。本发明中的方法，能够提高制备得到的增强型器件的击穿电压，降低其导通电阻。
一种增强场效应晶体管制备方法器件

[发明专利]外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法-CN202111643318.8在审
发明人：常娟雄;黄永;汪琼;陈财;刘晓磊;邵语嫣;程晨言;王宇轩;李梹激;许琦辉;王霄;杨旭豪 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。
外延制备剥离方法半导体器件

[发明专利]一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法-CN202210040132.1在审
发明人：程晨言;黄永;王宇轩;李梹激;杨旭豪;王霄;许琦辉;常娟雄;刘晓磊;陈财;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法，包括下列步骤：步骤一、衬底模型构建，建立衬底材料的超胞模型并优化；步骤二、成膜材料的原子附着位点选择，选取单个成膜材料的原子放在衬底模型表面上，对此模型进行结构优化，得到初始吸附模型及第一次稳定吸附位点；再选择衬底上相邻的重复结构重复上述操作，得到最终吸附模型及第二次稳定吸附位点；步骤三、迁移势垒计算，建立NEB模型，计算这两组吸附模型中的稳定吸附位点间的迁移势垒；步骤四、应用分析，基于上一步得到的迁移势垒和分析得到的影响关系确定一个参数范围进行成膜工艺的调试。本方法以较快的速度确定各种材料成膜所需的温度等参数范围，提高调试和研发效率。
一种研究材料表面生长能力计算方法

[发明专利]一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置-CN202111507585.2在审
发明人：许琦辉;张金风;单光宝;陈兴;黄永;汪琼;程晨言;王霄;李槟激;杨旭豪;王宇轩;常娟雄;邵语嫣;刘晓磊 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性III族氮化物半导体器件的性能预测方法及装置，其中的方法包括如下步骤：获取待预测器件各层的厚度和各层的组分；根据各层的厚度和各层的组分确定待预测器件中的异质结界面极化电荷；基于待预测器件的界面和内部电场特性确定待预测器件的静态性能与异质界面极化电荷之间的协同对应关系；获取待预测器件中各沟道顶部界面的势垒高度；根据异质结界面极化电荷、各沟道顶部界面的势垒高度、各层的组分和厚度以及协同对应关系确定待预测器件的静态性能。本发明中的方法，能够实现对N极性(III族氮化物)HEMTs器件结构的2DEG浓度和势垒高度进行计算，并预测2DHG的产生，有助于理解N极性多沟道HEMTs器件原理并指导器件制作。
一种极性 iii 氮化物半导体器件性能预测方法装置

[发明专利]基于聚焦声表面波的压电驱动微流体反应芯片-CN201610054688.0有效
发明人：刘国君;赵心;张炎炎;李新波;刘建芳;杨志刚;吴越;洪雯;裴晓寒;姜峰;唐春秀;王腾飞;梁实海;杨旭豪 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于聚焦声表面波的压电驱动微流体反应芯片。新型微流体反应芯片将聚焦声表面波产生的振动扰动作用于泵入反应芯片的混合液体，同时混合液体被泵入的气体隔开，形成微小单元反应室，在微小单元反应室内的液体比较少，并且受到聚焦声表面波产生的振动扰动的集中作用，不仅能够大幅度地提高液体的混合效率，而且通过观察微小单元反应室内混合溶液的情况对其进行有效的控制。
基于聚焦表面波压电驱动流体反应芯片

[发明专利]基于声表面波的粒子分选芯片-CN201610004944.5有效
发明人：刘国君;张炎炎;赵心;李新波;刘建芳;杨志刚;吴越;洪雯;裴晓寒;姜峰;唐春秀;王腾飞;梁实海;杨旭豪 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于声表面波的粒子分选芯片，包括有压电基底、叉指换能器和微流道系统，其中叉指换能器和微流道系统设在压电基底上，微流道系统内设有数级主流道，主流道为阶梯型。主流道包括有流入通道、一级分选通道、中间通道、二级分选通道和小粒子流出通道，流入通道、一级分选通道、中间通道、二级分选通道和小粒子流出通道依次相连，其中流入通道与流入接口相连通，一级分选通道与大粒子流出接口相连通，二级分选通道与中等粒子流出接口相连通，小粒子流出通道与小粒子流出接口相连通。有益效果解决了目前难以分选不同尺寸的同种物质微粒的难题，除此之外，本发明还具有结构简单，易于制作，成本低廉等优点。
基于表面波粒子分选芯片

[发明专利]外接棘轮式压电驱动器-CN201510205548.4有效
发明人：刘国君;杨旭豪;杨志刚;刘建芳;李新波;于辉;吴越 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H02N2/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种外接棘轮式压电驱动器。驱动器主要有外轮、固定主轴、棘轮、棘爪及压电双晶片构成。棘轮通过键连接固装在固定主轴上，外轮通过轴承装配于固定主轴上。棘轮为轮辐式结构，金属基片和压电晶片粘接形成压电双晶片构成外形对称的棘轮辐条部分。驱动元件(即：压电双晶片振子)利用对称方波作为激励信号，压电双晶片振子快速变形产生周期性双向冲击力，使得棘轮产生双向微小摆动，进而通过棘轮传动机构带动外轮单向转动，形成定向转动的精密驱动器。本发明具有机械结构简单，成本低，易于控制，分辨率高等优点。
外接棘轮压电驱动器

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