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[发明专利]一种叠层太阳电池的制作方法-CN200910095140.0无效
发明人：郝瑞亭;杨培志;申兰先;邓书康;涂洁磊;廖华 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂锑化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在锑化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：首先在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb缓冲层上依次生长GaInAsSb层、AlGaAsSb层、CdZnSeTe层、ZnTe层及各层之间的隧穿结，在ZnTe层上制作顶电极，在GaSb衬底上制作背电极。然后进行封装，完成电池的制作。
一种太阳电池制作方法

[发明专利]一种半导体太阳电池的制作方法-CN200910095139.8无效
发明人：郝瑞亭;申兰先;杨培志;邓书康;涂洁磊;廖华 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层。具体过程包括：在580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，生长p+GaAsSb/n+GaAsSb隧穿结，在450℃下，生长GaSb层，生长p+GaSb/n+InAsSb隧穿结，在430℃下，生长InGaAsSb合金层，在砷化镓单晶片衬底表面制作顶电极，在InGaAsSb合金层表面制作背电极，然后进行封装，完成太阳电池的制作。
一种半导体太阳电池制作方法

[发明专利]一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池-CN200910094708.7无效
发明人： 杨培志;刘黎明;郝瑞亭;杨雯;莫镜辉;邓书康 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池，属太阳电池技术领域。本发明的具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池为：采用垂直的ZnO，TiO2和SiO2纳米棒阵列作为光耦合元的叠层太阳电池由上、中、下三个电池构成；其中：下电池是带隙为1.1eV的常规的Si电池，上电池和中电池为Si量子点电池，上、下两个Si量子点太阳电池的带隙选择分别为2eV和1.5eV，对应的Si量子点的尺寸分别为20~40nm和65~85nm。其中：量子点采用以SiO2、Si3N4和SiC为基质的Si、Ge、Sn量子点。叠层太阳电池的数目是1个，2个，3个，…直到n个。本发明的优点是：从根本上提高太阳电池对太阳光谱的吸收效率和转换效率，有效提高了太阳电池的光电转换效率，制备工艺简单，制造成本低。
一种具有纳米阵列耦合太阳电池

[发明专利]一种太阳电池用硅量子点的低温生长方法-CN200910094696.8无效
发明人： 杨培志;刘黎明;郝瑞亭;杨雯;莫镜辉;邓书康 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳电池用硅量子点的低温生长方法，属硅量子点材料技术领域。本方法为：用等离子体增强化学气相沉积技术在＜450℃温度下，在S硅晶片或石英片或玻璃片或不锈钢片或耐高温聚合物衬底材料上交替生长几纳米厚的化学计量比的硅化合物介质层和富Si的硅化合物层；后利用快速光热退火技术在≤550℃的温度下后退火处理，使富Si的硅化合物层中富余的Si发生扩散迁移，固相晶化，形成Si量子点；形成的Si量子点为层状排布，其尺寸由原始生长的富Si的硅化合物层的厚度控制，量子点的密度由原始富Si的SiN_x层中的Si含量决定。本发明具有沉积温度低，速度快，工艺可控性和重复性好，所生长的硅量子点材料的均匀性好，有利于器件的集成制造和降低成本的优点。
一种太阳电池量子低温生长方法

[发明专利]钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺-CN200710103677.8无效
发明人：陈红兵;肖华平;杨培志;徐卓 -专利权人：宁波大学;西安交通大学
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以高纯度CdO(99.99％)和WO₃(99.99％)为初始原料，按照CdO∶WO₃＝1∶1的摩尔比配制粉料，经过充分球磨混合后，将粉料压制成适当规格的料锭，再经过1000～1150℃高温烧结2～6小时，获得CdWO₄陶瓷状多晶料锭。采用壁厚0.1～0.3毫米的特制铂坩埚盛装籽晶和料锭，将坩埚密封后置于单晶生长炉中，控制炉温于1340～1400℃，调节坩埚位置使料锭与籽晶顶部熔接，形成温度梯度为20～60℃/厘米的稳定固液界面，然后以小于2毫米/小时的速率进行坩埚下降生长，所生长晶体再经950～1050℃下退火处理，即可获得高质量大尺寸钨酸镉单晶。该工艺有效避免了该晶体生长固有的有害熔体成分挥发，在晶体生长过程中熔体成分保持恒定，能够应用于批量生长各种规格形状的钨酸镉单晶。
钨酸镉闪烁坩埚下降生长工艺

[发明专利]新型闪烁晶体LaBr₃:Ce³⁺的坩埚下降法生长工艺-CN200610081630.1无效
发明人：陈红兵;杨培志;周昌勇;肖华平;蒋成勇 -专利权人：宁波大学;昆明物理研究所
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了新型闪烁晶体LaBr₃:Ce³⁺的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaBr₃·7H₂O和CeBr₃·7H₂O为初始原料，通过卤化焙烧脱水处理以制备无水溴化物LaBr₃和CeBr₃；按照适当CeBr₃掺杂浓度制备LaBr₃:Ce³⁺配合料，并掺入少量活性碳粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于850～900℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaBr₃:Ce³⁺单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaBr₃:Ce³⁺单晶。
新型闪烁晶体 labr sub ce sup 坩埚下降生长工艺

[发明专利]红外热释电探测器-CN200710040266.9无效
发明人：杭寅;张连翰;何晓明;杨培志;陈光珠;何明珠 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：一种红外热释电探测器，包括一红外光电转换元件，其特征在于该红外光电转换元件是由化学计量比钽酸锂晶体制成的。所述的化学计量比钽酸锂晶体的化学组成为：Li_xTa_(1－x)O₃，其中x的取值范围为：0.49≤x＜0.5。本发明具有红外光热释电转换效率高和热稳定性好的特点。
红外热释电探测器

[发明专利]无水氯化镧的氯化焙烧脱水法制备工艺-CN200610067759.7无效
发明人：陈红兵;杨培志;周昌勇;蒋成勇 -专利权人：宁波大学;昆明物理研究所
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了无水氯化镧的氯化焙烧脱水法制备工艺，该技术属于精细无机化学试剂制备技术领域。以LaCl₃·7H₂O为初始原料，采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备。在氯化焙烧脱水处理过程中，保持通入足量干燥氯化氢气体，逐步升高焙烧温度，焙烧温度控制于200～300℃，进行5～10小时焙烧处理。此工艺能够充分有效地抑制水解反应，避免产生氯氧化镧杂质，从而制备出较高纯度的无水氯化镧，所获无水氯化镧试剂可广泛应用于金属镧的熔盐电解法生产、相关稀土材料的制备等技术领域。
无水氯化焙烧脱水法制工艺

[发明专利]一种多孔SiO₂薄膜的制备方法-CN200610163825.0无效
发明人：莫镜辉;刘黎明;杨培志 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种多孔SiO₂薄膜的制备方法，采用平行极板式电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，上电极极板为双层筛状进气结构，两极板的板间距为2.5cm～3.5cm，13.56MHz的射频信号经匹配网络联接到上极板上，下电极极板接地，同时作为样品台；按常规方法对Si基片进行前期处理后固定在样品台上，然后对反应室抽真空至真空度达1.0×10^－4Pa；反应气体SiH₄与N₂O气体流量比设置为30sccm/30sccm到30sccm/65sccm之间，N₂O的浓度是SiH₄的5～15倍，反应气体压强为5Pa到15Pa；设备的射频功率为300W到450W，衬底温度为25℃到60℃，在低温下连续沉积获得孔隙率在29％～47％从几百纳米到几个微米的大面积多孔SiO₂薄膜；该方法工艺步骤简单，控制性好，制备过程与半导体硅工艺完全兼容，适合于器件的集成制造。
一种多孔 sio sub 薄膜制备方法

[发明专利]新型闪烁晶体LaCl₃:Ce³⁺的坩埚下降法生长工艺-CN200510099343.9无效
发明人：陈红兵;杨培志;周昌勇;蒋成勇 -专利权人：宁波大学;昆明物理研究所
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了新型闪烁晶体LaCl₃:Ce³⁺的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaCl₃·7H₂O和CeCl₃·7H₂O为初始原料，通过氯化焙烧脱水处理以制备无水氯化物LaCl₃和CeCl₃；按照适当CeCl₃掺杂浓度制备LaCl₃:Ce³⁺配合料，并掺入少量活性炭粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于920～980℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaCl₃:Ce³⁺单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaCl₃:Ce³⁺单晶。
新型闪烁晶体 lacl sub ce sup 坩埚下降生长工艺

[发明专利]镍铬合金薄膜的湿法图形化技术-CN200510010974.9无效
发明人：杨明珠;普朝光;李振豪;杨培志 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铬合金薄膜的湿法图形化技术，主要适用于红外探测器中上电极镍铬合金薄膜的图形化。其主要技术特征是：在腐蚀工序中所用的腐蚀液配制比例为：高锰酸钾2－10％、硫酸铈30－50％、盐酸5－11％、氯化氨5－10％、蒸馏水。本发明所制作的镍铬合金薄膜图形化产品完全达到技术要求，其生产技术成本得到较大幅度的下降，图形线条清晰、精度高。
合金薄膜湿法图形技术

[发明专利]一种铂钛金属薄膜图形化技术-CN200510010975.3无效
发明人：信思树;普朝光;王忠华;杨明珠;杨培志 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铂钛金属薄膜图形化技术，属于金属薄膜光刻图形化领域。其主要技术特征是：在光刻工序之后，将曝光过的硅片放在一氯甲苯溶剂中，浸泡30分钟后取出，再经烘干工序后，在显影液中浸泡2－3分钟，光刻胶在硅片上形成“倒梯形”结构及夹角。本发明通过应用证明：有效的提高了图形化的质量，线条清晰，无表面污染，产品合格率由原来的40％提高到85％以上。
一种金属薄膜图形技术

[发明专利]阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法-CN200510029744.7有效
发明人：严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF₂和Y₂O₃或BaF₂和Y₂O₃作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
阴阳离子同时掺杂高光产额钨酸铅晶体及其生长方法

[实用新型]拖把挤水器-CN01202861.4无效
发明人： 杨培志 -专利权人： 杨培志
申请日： 2001-01-14 - 公布日： 2001-10-31 - 主分类号： A47L13/50 文献下载
摘要：本实用新型属于拖把挤水器,由上、下挤水板构成,在工作面上均布有加强筋的半圆形上挤水板,其中心具有开口的通孔,其直边的一侧设置有插管,通过插管安装着具有压杆的挤水叉,在工作面上均布有加强筋并均布有漏水孔的半圆形下挤水板,其周边设有挡边,在上、下挤水板通过合叶铰接在一起,拉簧的一端连接在上挤水板的背面上,其另一端连接在下挤水板的挡边上。将带水的拖把头放在下挤水板上,通过压杆下压上挤水板,可以方便地将拖把头上的水挤干。既卫生,又方便。
拖把挤水器

[外观设计]电动车-CN92300217.0无效
发明人：武剑明;朱孙奎;张玉莲;赵志刚;杨明旺;阎元慧;于辰起;李廷宏;柴朝阳;郭忠昌;籍增虎;李麦郎;王先文;杨培志;韩瑞华;赵富保;张玉来;梁永强籍增虎;李麦郎;王先文;杨培志;韩瑞华;赵富保;张玉来;梁永强 -专利权人：国营燎原仪器厂
申请日： 1992-01-18 - 公布日： 1993-06-16 - 主分类号： 12-14 文献下载
摘要：省略其它视图。
电动车

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