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[发明专利]一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管-CN202310367462.6有效
发明人： 杜飞波;高东兴 -专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种带有浮岛型保护环的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型阱区表面的有源区均设有肖特基势垒金属，所述第二导电类型保护环与其表面的肖特基势垒金属分离，并浮空设置在其肖特基势垒金属下方，所述第二导电类型保护环与第一导电类型阱区之间形成PN结，所述PN结设有一耗尽区，所述第一导电类型阱区与其表面的肖特基势垒金属形成肖特基结，在零偏状态下，所述PN结的耗尽区能够覆盖所述肖特基结的肖特基势垒金属的边缘。本发明能够消除正向导通时存在的少数载流子存储效应，大幅提升开关切换速度，并优化寄生电容特性。
一种带有浮岛型保护环高压肖特基二极管

[发明专利]一种具有快速开关切换速度的高压肖特基二极管-CN202310372166.5有效
发明人： 杜飞波;高东兴 -专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有快速开关切换速度的高压肖特基二极管，包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型有源区及第二导电类型保护环，所述第一导电类型有源区上方设有第一金属硅化物，所述第二导电类型保护环上表面覆盖有硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层使所述第二导电类型保护环的电位浮空，所述第二导电类型保护环与第一导电类型阱区之间形成PN结，所述第一导电类型阱区与其表面的金属硅化物形成肖特基结；在零偏状态下，所述PN结的耗尽区能够覆盖所述肖特基结的金属硅化物的边缘。本发明能够消除正向导通时存在的少数载流子存储效应，大幅提升开关切换速度。
一种具有快速开关切换速度高压肖特基二极管

[发明专利]SCR静电保护结构及其形成方法-CN201910272299.9有效
发明人： 杜飞波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种SCR静电保护结构及其形成方法，结构包括：第一单元和第二单元；第一单元包括：位于第一N型阱中顶部的第一P型掺杂区；位于第一P型阱中顶部的第一N型掺杂区；第二单元包括：位于第二N型阱中顶部的第二P型掺杂区和第三N型掺杂区；位于第二P型阱中顶部的第二N型掺杂区和第三P型掺杂区；跨接掺杂组；跨接掺杂组包括：沿第二方向排列的若干第四P型掺杂区，各第四P型掺杂区位于部分第二N型阱中的顶部且延伸至部分第二P型阱中的顶部，第二方向与第一方向垂直；相邻第四P型掺杂区之间的第四N型掺杂区；电学连接第四N型掺杂区和第四P型掺杂区的导电结构。所述SCR静电保护结构的性能提高。
scr 静电保护结构及其形成方法

[发明专利]SCR静电保护结构及其形成方法-CN201910295445.X有效
发明人： 杜飞波;王俊;苏振江 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种SCR静电保护结构及其形成方法，结构包括：位于半导体衬底中的N型阱；位于N型阱中的若干分立的第一级主单元至第Q级主单元；第k级主单元包括：位于N型阱的第k单元区中顶部的N型掺杂区；位于N型阱第k单元区中顶部的第一P型掺杂区，第一P型掺杂区位于N型掺杂区侧部且与N型掺杂区分立；位于N型阱第k单元区中的第二P型掺杂区，第二P型掺杂区位于第一P型掺杂区底部且与第一P型掺杂区邻接，第二P型掺杂区还延伸至N型掺杂区的底部并与N型掺杂区邻接；第一级主单元中的N型掺杂区与第Q级主单元中的第一P型掺杂区电学连接，第i‑1级主单元中的第一P型掺杂区与第i级主单元中的N型掺杂区电学连接。所述结构的性能提高。
scr 静电保护结构及其形成方法

[发明专利]一种紧凑的低电容型肖特基二极管-CN202310372164.6在审
发明人： 杜飞波;高东兴 -专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种紧凑的低电容型肖特基二极管，属于肖特基二极管结构领域。本发明包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内、相互隔离的第一导电类型重掺杂区及第二导电类型保护环，所述第二导电类型保护环为第二导电类型轻掺杂区，所述第一导电类型重掺杂区、第一导电类型阱区、第二导电类型轻掺杂区上表面均设有肖特基势垒金属，所述第一导电类型阱区与其直接相接触的表面肖特基势垒金属构成一主肖特基结，所述第二导电类型轻掺杂区与其表面的肖特基势垒金属构成一肖特基结，所述肖特基结与主肖特基结电流整流方向相反。本发明能够实现更紧凑的版图布局和更低的正向导通阻抗，从而全面提升肖特基二极管的综合性能。
一种紧凑电容型肖特基二极管

[发明专利]一种优化ESD防护性能的DCSCR器件-CN202111112784.3有效
发明人：刘志伟;王同宇;熊宣淋;侯伶俐;杜飞波;宋文强;韩傲然;张钰鑫;李洁翎 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布)，将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方，大大减小了二极管的宽度，有效缩小了二极管的面积；并且，通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方，缩短了SCR的导通路径，减小了导通电阻、寄生电容，提升了开启速度；综上，本发明在不降低ESD防护能力的前提下，实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
一种优化 esd 防护性能 dcscr 器件

[发明专利]一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件-CN202111026423.7有效
发明人：刘志伟;陈乐;李庆飒;耿林;杜飞波;侯飞;韩傲然;张钰鑫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
一种用于低压 esd 防护双向 dcscr 器件

[发明专利]双向可控硅整流器-CN202110200794.6在审
发明人：刘俊杰;杜飞波;何青松 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种双向可控硅整流器包括：第一导电型的衬底、第二导电型的阱区、浅沟槽隔离结构、第一导电型的六个重掺杂区、第二导电型的六个重掺杂区以及第一导电型的四个静电放电(ESD)注入层。在所述阱区中有并排的四个有源区，且中间有源区内有正向与反向的可控硅整流器以及所述ESD注入层，两侧有源区内有正向与反向的二极管，且在所述可控硅整流器与所述二极管之间设置有与第一导电型的ESD注入层接触的第一导电型的重掺杂区，使所述二极管的第二导电型的重掺杂区与前述第一导电型的重掺杂区电连接，因此整个双向可控硅整流器可增加两条由正向与反向二极管构成的低压辅助触发通路，以大幅降低双向可控硅整流器在正向和反向工作模式下的触发电压。
双向可控硅整流器

[发明专利]一种用于ESD保护的低压SCR器件-CN202110024135.1有效
发明人：刘志伟;卿乙宏;张钰鑫;李洁翎;杜飞波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于静电防护技术领域，提供一种用于ESD保护的低压单向/双向SCR器件；相较于传统静电防护器件，本发明采用新型结构设计使得器件的辅助触发通路(正向/反向)包含3个N+/P‑WELL二极管，进而使得器件的直流阻塞能力得到增强，从而获得比传统静电防护器件更低的漏电流、更低的静态功耗、以及更加稳定的寄生电容值，获得更好的静电防护效果；相较于现有用于ESD保护的低功耗双向SCR器件，本发明采用新型结构设计能够避免器件结构中潜在的PNPN串通现象，使得低压双向SCR器件在工作电压为1.5V时不会出现漏电流陡增现象，即本发明器件在1.5V以上、1.8V以下的工作电压时依然能够实现有效的、较低功耗的ESD保护。
一种用于 esd 保护低压 scr 器件

[发明专利]用于ESD保护的低功耗双向SCR器件和静电防护电路-CN202010422170.4有效
发明人：高东兴;杜飞波;侯飞 -专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于ESD保护的低功耗双向SCR器件和静电防护电路，用于ESD保护的低功耗双向SCR器件包括：第一SCR器件，具有阳极、第一电极、门极以及阴极；以及第二SCR器件，具有阳极、第二电极、门极以及阴极；其中，第一SCR器件的阳极与第二SCR器件的阴极电连接；第一SCR器件的阴极与第二SCR器件的阳极电连接；第一SCR器件的第一电极与第二SCR器件的门极电连接；第一SCR器件的门极与第二SCR器件的第二电极电连接；第一电极与第二电极极性相同，且第一电极或第二电极与门极极性相反。本发明旨在一种漏电流小、静态功耗低的用于ESD保护的低功耗双向SCR器件。
用于 esd 保护功耗双向 scr 器件静电防护电路

[发明专利]一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器-CN202010522705.5有效
发明人：刘志伟;邹柯鹏;杜飞波;刘继芝 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，涉及静电放电(ESD)保护电路的设计，具体提供一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器，用以克服传统DCSCR在基于局部IO端口的ESD防护架构下会产生较大的漏电和静态功耗的问题。本发明通过在器件内部嵌入一个PMOS开关，能够在非常紧凑的版图面积下，实现动态的触发电压；具体来说，当ESD脉冲来临时，PMOS开关导通，此时器件能够在很低的电压下及时触发开启；而在芯片正常工作时，PMOS开关断开，此时触发路径中反偏PN结的存在使得器件的触发电压大幅度提高，因而能够在电源电压下实现很低的直流漏电流。综上，本发明所提出的器件结构能够在满足先进的低压ESD防护需求的基础上大幅减小静态功耗，同时维持非常紧凑的版图布局。
一种漏电用于低压 esd 防护可控硅整流器

[发明专利]一种能够抑制电流饱和效应的高鲁棒性双向SCR器件-CN201910561270.2有效
发明人：刘继芝;黄美晨;杜飞波;刘志伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于集成电路的静电放电(Electrostatic Discharge,简称ESD)保护领域，涉及一种双向SCR器件(DDSCR)，具体为一种能够抑制电流饱和效应的高鲁棒性双向SCR器件，用以克服现有DDSCR器件当电流较大时发生的电流饱和效应。本发明在传统DDSCR器件基础上在两个n型阱区中各增加一个n型重掺杂区并直接连接到电极或者通过电阻连接到电极，进而在器件中增加一条新的通路，降低了器件的电阻值，同时能够抑制器件在大电流情况下由于电阻增大导致的电流饱和效应，可以实现更高的保护能力。
一种能够抑制电流饱和效应高鲁棒性双向 scr 器件

[发明专利]一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件-CN201910562366.0有效
发明人：刘志伟;杜飞波;王琰;侯飞;刘继芝 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon‑Controlled Rectifier简称DCSCR)；具体为一种基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，用于解决现有DCSCR的反向触发电路的触发电压极大，因此并不能用于纳米级集成电路工艺下的低触发电压窗口的问题。本发明基于纳米级集成电路工艺的双向低触发ESD保护器件，可使用在输入端有正、负电压的情况下，提供有效的双向防护；且在版图改进后，该器件有更快的导通速度和更小的导通电阻，器件性能得到了进一步优化；特别适用于纳米级工艺下的双向ESD防护需求。
一种基于纳米集成电路工艺双向触发 esd 保护器件

[发明专利]一种多触发通道的可控硅整流器结构-CN201910801709.4有效
发明人：刘继芝;杨凯;杜飞波;刘志伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro‑Static discharge)保护电路的设计，尤指一种通过二极管通路、三极管通路、SCR通路共同触发可控硅整流器的结构；具体为一种多触发通道的可控硅整流器结构；相比于传统的二极管单触发通路，本发明结构多了三极管触发通路和SCR触发通路，极大的降低了触发电阻、有效的增大了触发电流、降低了触发电压，从而具有更快的开启速度；当ESD事件发生时，能够有效的泄放ESD脉冲电流。
一种触发通道可控硅整流器结构

[发明专利]一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件-CN201910353954.3有效
发明人：刘志伟;王琰;杜飞波;刘继芝 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计，具体提供一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，用以提高GGNMOS的鲁棒性。本发明现有GGNMOS结构基础上，在第二种导电类型阱区中采用N个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计，将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路径和寄生npn2路径两种路径变为寄生npn1路径、寄生npn2路径和SCR路径三种路径；由于电流泄放路径的增加，使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的鲁棒性；同时，本发明高鲁棒性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致，即本发明在相同版图面积的情况下，实现了更高的鲁棒性。
一种用于 esd 防护高鲁棒性器件

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