“杜陈”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果26个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置-CN202223019575.7有效
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;冒浩然;朱振宇;高欣;杜陈;黄杰;汪淑芬;应艳阳;龙安泽 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。优点是设计巧妙，结构合理紧凑，在坩锅组件的上下位置增加上辅助加热件和下辅助加热件，上辅助加热件和下辅助加热件是采用等静压石墨材料制造的石墨加热环，在感应线圈的作用下能够与坩锅组件同时产生高温，加长了产生热量轴向长度，这样可控恒温区域加长；确保碳化硅长晶质量好且生长速率快。
一种提高碳化硅生长梯度稳定性石墨装置

[发明专利]金刚石盘的监控方法及系统-CN202211632324.8有效
发明人：张新峰;德米特罗维奇德米特里;龙安泽;高欣;石然;黄杰;冒振东;杜陈 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了金刚石盘的监控方法及系统，所述监控方法包括以下步骤：监控端监控金刚石盘的表征状态以及运行状态，并生成图像数据以及模拟信号发送至处理端；处理端接收监控端发送的图像数据以及模拟信号后，分别对图像数据以及数字信号进行处理，数字信号处理为监控数据并存储。本发明通过在金刚石盘使用前以及使用后采集金刚石盘的表面图像信息，当金刚石盘表面缺陷时，可及时提醒人工更换或维护，在金刚石盘处理研磨垫的过程中实时监控金刚石盘的运行状态，并根据监控信息实时调节金刚石盘以最优运行状态处理研磨垫，监测精度高，且自动调节最优运行状态，不仅无需停机调节，而且对研磨垫的处理效果更好。
金刚石监控方法系统

[发明专利]一种半导体的热处理设备及其使用方法-CN202211622343.2在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;龙安泽;高欣;石然;黄杰;冒振东;杜陈 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的热处理设备，包括外管体，所述外管体的顶部安装有两组错位布置的圆杆，所述外管体的底壁安装有环形内管，所述外管体的外壁安装有支撑环，两组所述圆杆的外表面套接有镂空底板，所述镂空底板的顶部安装有调节板，所述调节板的顶部设置有嵌合槽，所述嵌合槽的内壁安装有两组并排布置的卡合块，两组所述卡合块的顶部均安装有直立杆，所述直立杆的外表面设置有多组上下布置的环形槽，两组所述直立杆的外表面均套接有套筒。本发明中，可控制进入环形内管中热气体的含量，同时其能够适用于多种不同尺寸的半导体晶圆，且通过采用夹持晶圆圆周表面来降低晶圆被遮挡的区域，以便其最大程度与热气体相接触。
一种半导体热处理设备及其使用方法

[实用新型]一种前进式清扫器-CN202222981395.0有效
发明人：李凯;代伟军;管辉;尹崇志;王元波;杜陈;丁军;刘培东;邓海龙 -专利权人：青岛港国际股份有限公司;青岛港董家口矿石码头有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： E01H1/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种前进式清扫器包括：扫箱箱体；滚筒，其通过升降组件连接于所述扫箱箱体的底部；液压驱动件，其与所述滚筒连接以驱动所述滚筒实现清扫；辅助轮，其设于所述扫箱箱体的底部，用于支撑所述扫箱箱体以及辅助所述扫箱箱体前进；其中，所述扫箱箱体通过连接扣组件与所述车体转动连接；所述连接扣组件包括转动连接的第一连接板和第二连接板，所述第一连接板与所述扫箱箱体转动连接，所述第二连接件与所述车体固定连接。通过使用液压驱动件，既控制滚筒转动进行清扫，也实现扫箱箱体的翻转倒料，保证倒料可独立操作，以及倒料过程平稳，安全可靠；同时连接扣组件的设置实现在清扫过程中能够轻松通过凹凸不平的作业路面。
一种前进清扫

[发明专利]一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置-CN202211419809.9在审
发明人：张新峰;德米特罗维奇·德米特里;李国平;冒浩然;朱振宇;高欣;杜陈;黄杰;汪淑芬;应艳阳;龙安泽 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。优点是设计巧妙，结构合理紧凑，在坩锅组件的上下位置增加上辅助加热件和下辅助加热件，上辅助加热件和下辅助加热件是采用等静压石墨材料制造的石墨加热环，在感应线圈的作用下能够与坩锅组件同时产生高温，加长了产生热量轴向长度，这样可控恒温区域加长；确保碳化硅长晶质量好且生长速率快。
一种提高碳化硅生长梯度稳定性石墨装置

[实用新型]一种用于安装太阳能硅片托盘的辅助装配装置-CN202220832608.0有效
发明人：高晗;杨宗明;刘小明;杜陈 -专利权人：南通玖方新材料科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于安装太阳能硅片托盘的辅助装配装置，包括机架和设置在机架上的承载架，其中，所述承载架的两端的中部转动连接在所述机架上；所述承载架包括外框和设置在外框内的支撑杆，其中，所述支撑杆的两端安装在所述外框上，该支撑杆上设置有用于对承载框中的横向支撑件或纵向支撑件进行定位的定位槽；所述承载框中的横向支撑件或纵向支撑件位于所述定位槽内。本实用新型的辅助装配装置可以对硅片托盘的装配起到辅助作用，从而提高装配效率。
一种用于安装太阳能硅片托盘辅助装配装置

[实用新型]冷冻干燥机的具有升降轨道的移动小车-CN202123375016.5有效
发明人：王成者;杜陈;王五项 -专利权人：科美路冻干机械（常州）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B66C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷冻干燥机的具有升降轨道的移动小车，包括小车本体，所述小车本体通过多个横向连杆和竖向连杆连接组成，所述竖向连杆的下端设有用于行走的万向轮，所述小车本体的上方的左、右横向连杆的中部之间设有设置有轨道，所述左、右横向连杆上安装升降装置，所述升降装置包括直线丝杆步进电机，所述电动丝杠升降机的输出丝杠与轨道的端部连接以带动轨道上下移动。通过上述方式，本实用新型冷冻干燥机的具有升降轨道的移动小车，能够承载物料、工字钢轨道以及悬挂式小车的重量，并且可万向移动，通过升降装置调节轨道的高度，来修正高度的偏差或者适应不同的冷冻干燥机型号。
冷冻干燥机具有升降轨道移动小车

[实用新型]冷冻干燥机的捕水装置-CN202123374950.5有效
发明人：王成者;杜陈;王五项 -专利权人：科美路冻干机械（常州）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷冻干燥机的捕水装置，包括捕水装置壳体，所述补水装置壳体的一端设有水汽进口，另一端连接有真空管道接口，所述补水装置壳体内部设置有冷凝管组，所述冷凝管组包括多个冷凝管，所述冷凝管组的前端设置有支撑疏导板，所述支撑疏导板靠近于水汽进口，所述支撑疏导板上间隔设置有多个气流通孔，所述气流通孔朝向水汽进口，所述水汽进口进入的水蒸气均匀通过气流通孔后被冷凝管组捕集，所述述冷凝管组的后端设置有导流隔离板。通过上述方式，本实用新型冷冻干燥机的捕水装置，能够对水蒸气进行导流，使水蒸气被冷凝管组充分捕捉，降低水蒸气从真空管道接口排出的可能性。
冷冻干燥机装置

[实用新型]冷冻干燥机的太阳能加热装置-CN202123275144.2有效
发明人：王成者;杜陈;王五项 -专利权人：科美路冻干机械（常州）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷冻干燥机的太阳能加热装置，包括冷冻干燥仓，冷冻干燥仓内设有多个从上到下依次设置的加热板，加热板之间通过换热管路连通，还包括太阳能加热器和换热储水器，太阳能加热器上连接有第一循环泵和循环管路，循环管路内具有循环液，循环管路部分设置在换热储水器内，并且与换热储水器内的换热液相隔绝，换热储水器上连接有进水管路和出水管路，出水管路与换热管路的入口连接，进水管路与换热管路的出口连接，出水管路、换热管路、进水管路和换热储水器之间形成封闭管路。通过上述方式，本实用新型冷冻干燥机的太阳能加热装置，能够通过太阳能加热代替缓冲的电能或者蒸汽加热，节省了能源，降低了生产成本。
冷冻干燥机太阳能加热装置

[实用新型]冷冻干燥机的余热回收再利用系统-CN202123275176.2有效
发明人：王成者;杜陈;王五项 -专利权人：科美路冻干机械（常州）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷冻干燥机的余热回收再利用系统，包括冷冻干燥仓，冷冻干燥仓内设有加热板组件，还包括热量回收器、冷凝器以及设置在冷冻干燥仓内的蒸发器；制冷压缩机的高温高压气态氟利昂通过热量回收器的换热盘管流入冷凝器后通过蒸发器回流至制冷压缩机；保温水箱内的液体进入热量回收器并由换热盘管加热后回流至保温水箱；保温水箱与板式换热器连通，热水进入板式换热器，通过板式换热器将热量传递给换热管路内的加热液。通过上述方式，本实用新型冷冻干燥机的余热回收再利用系统，能够有效回收制冷压缩机的氟利昂的余热，将这部分余热为冷冻干燥仓加热，节省了能源，减少了冷冻干燥整体生产时间，提高了工作效率。
冷冻干燥机余热回收再利用系统

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成。设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT-CN202210156675.X在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗沟槽型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层到顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上的N漂移区、位于N漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅材料制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗沟槽 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT-CN202210156677.9在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。
一种碳化硅硅异质结低功耗 igbt

[实用新型]一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚-CN202122600151.9有效
发明人：张新峰;龙安泽;周彩云;杜陈 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，所述石墨坩埚包括石墨坩埚主体；所述石墨坩埚还包括若干石墨封闭环，所有石墨封闭环均放置于石墨坩埚主体内，或与石墨坩埚主体固定连接，共同作为SiC单晶生长装置中的加热元件，所述石墨坩埚主体内所有石墨封闭环以外空间即其他空间；硅源置于石墨坩埚的其他空间内，由加热元件加热，石墨坩埚主体与封闭环中的碳进入硅溶液中，形成SiC溶液。可以提高加热效率，改善SiC溶液温度分布，同时在多方位提供碳源，使得SiC溶液组分分布的也更加均匀。避免由于温度和组分分布不均对SiC单晶的生长造成的不利影响。
一种用于 sic 生长装置中的石墨坩埚

1
2
下一页»
尾页
共 26 条