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[发明专利]基于肌电信号采集的健身动作自识别与报警系统-CN202210154935.X有效
发明人： 杜玲艳;杨兰;徐小入;陈香远;张文文;尹冬生;任玉琴 -专利权人：四川轻化工大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： A63B71/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于肌电信号采集的健身动作自识别与报警系统，包括肌电信号采集模块、处理器模块、控制模块和显示模块；肌电信号采集模块的电极与被测对象受试部位导联进行肌电信号采集，采集的肌电信号传送至处理器模块，处理器模块对肌电信号进行预处理后，提取信号内的特征量，并进行模式识别；控制模块分别与肌电信号采集模块和处理器模块相连，用于控制肌电信号采集模块和处理器模块的运行；显示模块与控制模块相连，用于显示控制模块的图形用户界面。本发明通过肌电信号采集与分析来监测健身人员运动时不同部位的肌肉发力程度，进而直观的反馈用户的健身动作是否标准，以给健身人员提供科学的健身指导，提高运动健身效率。
基于电信号采集健身动作识别报警系统

[发明专利]硒掺杂黑硅材料及其制备方法-CN202210696880.5在审
发明人： 杜玲艳;殷杰;伊浩;肖贵坚;王志鹏 -专利权人：四川轻化工大学;重庆大学
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒掺杂黑硅材料及其制备方法，目的是解决现有飞秒激光辐射晶体硅时会在其表面产生尖锥陈列及晶格缺陷的问题，该方法包括：取硅片，用RCA标准清洗法清洗，氮气吹干；将硅片置于真空镀膜机内，取Se粉作为蒸发源，蒸镀一层厚度为100‑200nm的Se膜；将硅片置于高真空磁控溅射装置中，溅射一层厚度为150nm的Si膜；进行皮秒激光脉冲扫描处理，激光脉冲中心波长为1064nm，频率为2000KHz，脉宽为8.7ps，作用于硅片上的单点平均激光脉冲数目为33‑400个；加工后的硅片依次放入丙酮中超声清洗、放入HF溶液中浸泡，用去离子水漂洗，最后经高纯氮气吹干，即得。制得的黑硅表面产生微米级沟道和大量纳米级颗粒，原有硅片的晶相未被破坏。
掺杂材料及其制备方法

[实用新型]一种臂式升降工作平台支撑结构-CN201822047458.9有效
发明人：付逢顺;林伟;刘中周;刘亚昆;杜玲艳 -专利权人：临工集团济南重机有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B66F11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种臂式升降工作平台支撑结构，该臂式升降工作平台支撑结构，包括平台框架，在平台框架的底部设置有平台支撑，在平台支撑与平台框架之间设置有若干个称重传感器，其与平台框架之间的连接点连线成一等腰梯形，等腰梯形对角线的交点为臂式升降工作平台支撑结构的重心。等腰梯形底线端点处两个称重传感器连接点之间的距离不小于平台框架长度的0.568倍，每个腰线端点处两个称重传感器连接点之间的距离不小于平台框架宽度的0.568倍。该臂式升降工作平台支撑结构，通过各称量传感器连接点的合理分布，得到了更稳固结构的平台支撑，不仅实现了称量传感器的精确测量和稳固支撑结构，提升了整机的安全性和可靠性。
平台框架升降工作平台支撑结构臂式称重传感器平台支撑连接点称量传感器等腰梯形对角线稳固支撑结构本实用新型连接点连线稳固结构腰线整机底线测量重心

[发明专利]一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法-CN201610169139.8有效
发明人：吴志明;李睿;杜玲艳;唐菲;胡征;李世彬;李伟;吴雪飞;姬春晖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒激光辐照制备表面微结构，在气氛环境下热退火后制备得到对400nm～2400nm波段的光都有一致的高吸收特性的掺杂黑硅材料在400～1100nm的可见光波段有95％的吸收率，在1100～2400nm的近红外波段有90％的吸收率，为拓展黑硅材料的应用打下了技术基础。相对现有技术，固体膜层掺杂的方式丰富了掺杂元素种类，提高了掺杂浓度，降低了掺杂成本；减少了工艺步骤，提高了制备效率。
一种掺杂膜层上制备方法

[发明专利]一种制备黑硅材料的方法-CN201610169188.1在审
发明人：吴志明;唐菲;杜玲艳;李睿;胡征;李世彬;李伟;吴雪飞;姬春晖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量，且可以阻止激光脉冲照射引入的杂质Se向晶粒边界扩散，从而保持其在表面的掺杂浓度，以提高黑硅的吸收率。使用该方法制备的黑硅在400～1100nm波段的吸收率高于95％，在1100～2200nm波段的吸收率高于90％。相比于未覆盖硅保护层，仅热蒸发一层硒膜制备的黑硅材料，本方法制备的黑硅在近红外波段的吸收率有明显提高。
一种制备材料方法