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[发明专利]一种碳化硅沟槽栅MOSFET的制备方法-CN202311182072.8在审
发明人：胡舜涛;刘桂新;李防化;顾海彬 -专利权人：凌锐半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种碳化硅沟槽栅MOSFET的制备方法。本发明将P型外延作为MOSFET的P阱，省去了传统方法的P阱的高温铝注入，节约高温离子注入产能。P型外延同时作为保护沟槽底部栅氧的深P阱，深P阱的深度由P型外延的厚度决定，突破传统高温高能注入设备的能力的限制。外延的厚度增加使得深P阱的深度增加，有效降低了沟槽底部的电场强度，保护沟槽底部栅氧，提高栅氧可靠性。
一种碳化硅沟槽 mosfet 制备方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202310875766.3有效
发明人：塞萨尔·龙思万里;李防化;胡舜涛;刘桂新 -专利权人：凌锐半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件制造方法，包括：在衬底上外延形成基层区；在基层区中形成第一沟槽；在第一沟槽内表面形成P型层；在P型层内填充多晶硅；在第一沟槽上方形成第二沟槽；在第二沟槽中形成栅结构。相应公开了一种沟槽型MOSFET器件，包括：衬底、基层区、第一沟槽和第二沟槽；基层区位于衬底上表面，第一沟槽位于第二沟槽正下方，且均设置在基层区内；第一沟槽的内表面形成有P型层，P型层中填充有多晶硅。利用超结概念获得更小的开通电阻，采用分离型沟槽多晶硅技术减少了栅极到漏极的米勒电容，可制造出结构紧凑、原胞密度大和电流密度大的沟槽型MOSFET器件，可显著的提高器件的功率密度，降低成本，提高产品的可靠性。
一种沟槽 mosfet 器件及其制造方法