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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体芯片-CN201711119538.4有效
发明人：秦正起;李来寅;朴点龙;千镇豪;孙成旻;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体芯片包括：半导体衬底，包括其中配置有凸块的凸块区及不包括凸块的非凸块区；以及钝化层，形成在所述半导体衬底的所述凸块区及所述非凸块区上，其中所述凸块区中所述钝化层的厚度厚于所述非凸块区中所述钝化层的厚度，且在所述凸块区与所述非凸块区之间具有台阶。所述半导体芯片具有提高的可靠性。
半导体芯片

[发明专利]制作衬底结构的方法-CN201711107811.1有效
发明人： 李镐珍;金石镐;文光辰;朴炳律;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。
制作衬底结构方法

[发明专利]晶片结合装置和包括晶片结合装置的晶片结合系统-CN201810521429.3有效
发明人：金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。
晶片结合装置包括系统

[发明专利]电池管理装置和方法-CN202280008005.1在审
发明人： 李镐珍 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R31/396 文献下载
摘要：根据本文公开的实施例的电池管理装置包括：测量单元，其被配置为测量电池单体的电压和电流；计算单元，其被配置为基于电池单体的电流确定电池单体的操作时段，并通过对电池单体的电压进行归一化来计算每个电池单体的比较值；以及诊断单元，其被配置为通过将电池单体的比较值与参考值进行比较来诊断电池单体的状态。
电池管理装置方法

[发明专利]半导体器件-CN202310078272.2在审
发明人：曹昭惠;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有突出的有源图案的第一半导体衬底；栅结构；有源图案中在栅结构一侧的源/漏区；源/漏区上的层间绝缘层；接触结构，穿过层间绝缘层连接到源/漏区；通孔结构，电连接到接触结构并穿过层间绝缘层和第一半导体衬底；第一接合结构，包括第一半导体衬底上的第一绝缘层和第一绝缘层中的第一连接焊盘；第一接合结构上的第二接合结构，包括接合到第一绝缘层的第二绝缘层以及在第二绝缘层中并接合到第一连接焊盘的第二连接焊盘；以及第二半导体衬底，设置在第二接合结构上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件、半导体封装及制造半导体器件的方法-CN201810794961.2有效
发明人：崔朱逸;文光辰;徐柱斌;林东灿;藤崎纯史;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。
半导体器件半导体封装制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210506327.0在审
发明人：吴承河;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：包含有源区的正面和与正面相对的背面的衬底、位于有源区上的电子元件、在衬底的正面上与电子元件电连接的正面布线结构、以及在衬底的背面上与电子元件电连接的背面布线结构。背面布线结构包括依次堆叠在衬底的背面上的多个背面布线图案，以及与多个背面布线图案中的至少一层相交并延伸穿过该至少一层的超通孔图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶片到晶片接合结构-CN201710431549.X有效
发明人：金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。
晶片接合结构

[发明专利]集成电路器件以及包括该集成电路器件的半导体封装-CN202210423659.2在审
发明人： 李镐珍;文光辰;吴承河 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路器件和包括该集成电路器件的半导体封装，其中该集成电路器件包括：具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；在半导体基板的第一表面上的第一绝缘层；电极落着焊盘，位于半导体基板的第一表面上并具有由第一绝缘层围绕的侧壁、与半导体基板的第一表面间隔开的顶表面以及与顶表面相反的底表面；以及贯通电极，配置为穿透半导体基板并接触电极落着焊盘的顶表面，其中电极落着焊盘的顶表面的水平宽度小于电极落着焊盘的底表面的水平宽度，并大于贯通电极的与电极落着焊盘的顶表面接触的底表面的水平宽度。
集成电路器件以及包括半导体封装

[发明专利]半导体器件-CN202210112648.2在审
发明人：黄载元;文光辰;李镐珍;全炯俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有与有源层相邻的第一表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的所述第一表面上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上；蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间并且包括多个蚀刻停止层；接触布线图案，所述接触布线图案设置在所述第二绝缘层内部并且被所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层围绕；以及贯通电极结构，所述贯通电极结构被构造为在垂直方向上穿过所述半导体衬底、所述第一绝缘层和所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层并且接触所述接触布线图案。
半导体器件

[发明专利]削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法-CN202010799661.0在审
发明人：李学承;李镐珍;林东灿;金镇南;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法。一种削角蚀刻装置包括：配置为接收衬底的卡盘板；围绕卡盘板的周边的下等离子体隔离区(PEZ)环；在卡盘板上的盖板；以及围绕盖板的周边的上PEZ环。下PEZ环包括环基部和从环基部的边缘向上延伸并围绕衬底的侧壁的下部的突起。
蚀刻装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010670130.1在审
发明人：金镇南;文光辰;李镐珍;姜泌圭;罗勋奏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有位于第一表面上并由第一隔离区限定的有源区；多个有源鳍，布置在有源区上，沿第一方向延伸，并且由第二隔离区限定，第二隔离区具有小于第一隔离区的第一深度的第二深度；掩埋导电布线，位于与所述多个有源鳍相邻的沟槽中，并且沿所述沟槽的延伸方向延伸；填充绝缘部分，位于沟槽中，并且设置在掩埋导电布线周围；层间绝缘层，位于第一隔离区和第二隔离区上，并且位于掩埋导电布线上；接触结构，穿透层间绝缘层，并且接触掩埋导电布线；以及导电贯通结构，从第二表面穿过衬底延伸到沟槽，并且接触掩埋导电布线。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN201710447541.2有效
发明人：崔朱逸;金孝柱;文光辰;朴秀晶;徐柱斌;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射(XRD)峰值强度比大于第二铜层的(111)面与(200)面的第二XRD峰值强度比。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有TSV结构的多重堆叠器件-CN201710037091.X有效
发明人：姜泌圭;李镐珍;朴炳律;金兑泳;金石镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种具有TSV结构的多重堆叠器件。该多重堆叠器件包括：下部器件，具有下基板、在下基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的硅通孔(TSV)焊盘；中间器件，具有中间基板、在中间基板上的第二绝缘层以及在第二绝缘层上的第一TSV凸块；上部器件，具有上基板、在上基板上的第三绝缘层以及在第三绝缘层上的第二TSV凸块；以及TSV结构，穿过上基板、第三绝缘层、第二绝缘层以及中间基板以连接到第一TSV凸块、第二TSV凸块和TSV焊盘。在中间基板与TSV结构之间的绝缘的第一TSV间隔物和在上基板与TSV结构之间的绝缘的第二TSV间隔物沿堆叠方向间隔开。
具有 tsv 结构多重堆叠器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法、和包括其的半导体封装件-CN201811267757.1在审
发明人：千镇豪;孙成旻;全炯俊;文光辰;安振镐;李镐珍;藤崎纯史 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。
半导体装置再分布层上表面导电焊盘通孔电极延伸穿过衬底半导体封装件边缘区中间区贯穿制造平坦

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