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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光模块-CN201910991715.0有效
发明人：金枋显;徐瑛慧;李在浩;李锺旼;郑丞晧;郑义成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供了一种发光模块。所述发光模块包括发光二极管，所述发光二极管包括：第一发光区域；以及第二发光区域，与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，且包括彼此相隔的多个发光单元，所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动，所述多个发光单元分别被独立驱动。
发光模块

[发明专利]发光二极管和包括该发光二极管的发光模块-CN201880005651.6有效
发明人：金枋显;徐瑛慧;李在浩;李锺旼;郑丞晧;郑义成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供了一种发光二极管。所述发光二极管的特征在于，包括：第一发光区域；以及第二发光区域，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动。
发光二极管包括发光模块

[发明专利]热电装置-CN202180065767.0在审
发明人：崔万休;李锺旼;李世运;赵容祥 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N10/82 文献下载
摘要：根据本发明一实施例的热电装置包括：第一基板；绝缘层，设置在第一基板之上；第一电极单元，设置在绝缘层之上；第一端子电极和第二端子电极，设置在绝缘层之上，并从第一电极单元朝向第一基板的第一外侧突出；半导体结构，设置在第一电极单元之上；第二电极单元，设置在半导体结构之上；以及第二基板单元，设置在第二电极单元之上。第二基板单元包括彼此分开设置的多个第二基板。所述第一电极单元包括：多个电极组，分别与所述多个第二基板在竖向上重叠；以及第一连接电极，连接所述多个电极组中的两个不同的电极组。第一连接电极的长边要比包括在所述多个电极组中的第一电极的长边更长。第一连接电极的至少一部分并不与所述多个第二基板在竖向上重叠。
热电装置

[发明专利]热电元件-CN202180052643.9在审
发明人： 李锺旼;李世运;崔万休 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N10/81 文献下载
摘要：根据实施方式，本发明包括：第一电极；设置在第一电极上的第一导电接合构件；以及设置在第一导电接合构件上的多个半导体结构，其中，第一导电接合构件包括第一布置部分和第一屏障部分，所述第一布置部分上分别布置有多个半导体结构，所述第一屏障部分定位于第一布置部分之间，其中，第一屏障部分的厚度是第一布置部分的厚度的2.5倍或更小。
热电元件

[发明专利]热电器件-CN202180024246.0在审
发明人： 李锺旼;赵容祥;崔万休 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L35/04 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例的热电元件包括：基板；第一绝缘层，设置在基板上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在第一绝缘层上并且具有的面积小于第一绝缘层的面积；多个第一电极，设置在第二绝缘层上；多个半导体结构，分别设置在多个第一电极上；以及多个第二电极，设置在多个半导体结构上，其中，第二绝缘层包括重叠区域和突出图案，在所述重叠区域中，多个第一电极、多个第二电极和多个半导体结构彼此竖直地重叠，突出图案从重叠区域朝向基板的第一外侧突出。
热电器件

[发明专利]发电设备-CN202180017800.2在审
发明人：金桢虎;朴正郁;安相勋;李锺旼;全智焕 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：一种根据本发明的实施方式的发电设备，包括：热电模块，该热电模块包括冷却单元、设置在冷却单元的一个表面上的热电元件、以及设置在热电元件上的散热器；导引板，该导引板与热电模块相对设置；以及分支单元，该分支单元设置在与冷却单元的一个表面垂直的另一表面上。散热器包括彼此间隔开的多个散热翅片。散热器和导引板之间的最短水平距离与分支单元和导引板之间的最短水平距离的比率为0.0625至0.25。
发电设备

[发明专利]发光器件-CN202110494619.2在审
发明人：金枋显;徐瑛慧;李在浩;李锺旼;郑丞晧;郑义成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供了一种发光器件。所述发光器件包括：基板；发光结构，布置在所述基板上，并且具有第一发光区域和第二发光区域；以及光扩散层，布置在所述基板上，其中，所述基板是允许由所述发光结构激发的光透过的透明基板，并且在其表面上形成有凹凸图案，其中，所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；其中，所述第一发光区域的所述活性层和所述第二发光区域的所述活性层具有不同的组成以发射具有不同波长的光，以及其中，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN202110494592.7在审
发明人：金枋显;徐瑛慧;李在浩;李锺旼;郑丞晧;郑义成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供了一种发光器件。所述发光器件，包括：基板；发光结构，布置在所述基板上，并且具有第一发光区域、第二发光区域以及第三发光区域；绝缘层，阻断所述第一发光区域与所述第二发光区域之间或者所述第二发光区域与所述第三发光区域之间的不期望的电连接；其中，所述第一发光区域、所述第二发光区域以及所述第三发光区域中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；以及其中，所述第一发光区域的中心与所述第二发光区域的中心和所述第三发光区域的中心重叠。
发光器件

[发明专利]热电元件-CN202011238517.6在审
发明人：崔万休;吴垂耿;李锺旼 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L35/30 文献下载
摘要：根据本公开的一实施例的一种热电元件包括：第一金属基板；第一绝缘层，设置在第一金属基板上；第一电极部件，设置在第一绝缘层上并且包括多个第一电极；半导体结构，设置在第一电极部件上；第二电极部件，设置在半导体结构上并且包括多个第二电极；第二绝缘层，设置在第二电极部件上；以及第二金属基板，设置在第二绝缘层上；第一金属基板包括第一外周、第二外周、第三外周和第四外周，第一电极部件包括与多个第二电极垂直重叠的第一区域，第一电极中包括从第一区域向第一外周延伸的延伸部分，第一通孔形成在第一区域的内部，并且第二外周与第一电极的最短距离在第二外周与延伸部分之间的最短距离的±10％以内。
热电元件

[发明专利]热电元件-CN201980024692.4在审
发明人：卢名来;李锺旼;赵容祥 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的热电元件，包括：第一金属基板；第一树脂层，其被设置在第一金属基板上并且与第一金属基板直接接触；多个第一电极，设置在第一树脂层上；多个热电臂，设置在多个第一电极上；多个第二电极，设置在多个热电臂上；第二树脂层，设置在多个第二电极上；以及第二金属基板，设置在第二树脂层上，其中，第一树脂层包含聚合树脂和无机填料，并且多个第一电极的侧表面中的至少一部分嵌入第一树脂层中。
热电元件

[发明专利]发光模块-CN201911238325.2在审
发明人： 李锺旼;金枋显;李在浩 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光模块。所述发光模块，包括：基础基板；壳体，位于所述基础基板上，并包括腔室；第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及第二发光二极管，位于所述基础基板上，并与所述第一发光二极管相隔，其中，所述第一发光二极管以及所述第二发光二极管位于所述壳体的腔室内，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域以及从所述第一发光区域隔开而围绕所述第一发光区域的第二发光区域，从所述第一发光二极管射出的光的指向角和从所述第二发光二极管射出的光的指向角彼此不同。
发光模块

[发明专利]发光模块-CN201880005589.0在审
发明人： 李锺旼;金枋显;李在浩 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种发光模块。所述发光模块，包括：基础基板；第一发光二极管，位于所述基础基板上；以及第二发光二极管，位于所述基础基板，并相隔于所述第一发光二极管，其中，所述第一发光二极管及第二发光二极管分别包括第一发光区域及第二发光区域，所述第二发光区域从所述第一发光区域隔开而围绕所述第一发光区域。
发光二极管发光区域发光模块基础基板隔开相隔

[发明专利]半导体装置的电容器的制造方法-CN200410031011.2无效
发明人：申东旴;崔亨福;李锺旼;金真雄 -专利权人：海力士半导体股份有限公司
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及到一种用于半导体装置电容器的制造方法。本发明的方法包括下列步骤：形成第一非晶体硅层，使其掺杂具有预设的第一掺杂浓度的杂质，以抑制掺杂物产生区域性的聚集；在原位状况中，于该第一非晶体硅层上形成一未掺杂杂质的第二非晶体硅层；通过为该第一非晶体硅层和第二非晶体硅层施行模式制作以形成一存储节点；于该存储节点的表面上形成硅颗粒；以及将杂质掺杂到该存储节点及该等硅颗粒，直到达成第二预设浓度为止，以便提供该存储节点所需要的导电性。
半导体装置电容器制造方法

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