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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]间隙填充方法以及使用该方法制造半导体器件的方法-CN201910014839.3有效
发明人：朴寅洙;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：间隙填充方法以及使用该方法制造半导体器件的方法。一种用于对高纵横比结构进行间隙填充的方法包括以下步骤：形成包括凹陷的间隙填充目标结构；在凹陷中形成具有第一开口的第一层；将第一层暴露于氧化工艺以形成用于封闭第一开口的入口的第一层的氧化物；通过选择性地去除第一层的氧化物来形成第二开口，该第二开口具有比第一开口的入口宽的入口；以及形成对第二开口进行间隙填充的第二层。
间隙填充方法以及使用制造半导体器件

[发明专利]半导体器件以及该半导体器件的制造方法-CN201910333960.2有效
发明人：朴寅洙;金度渊;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的芯绝缘层、设置在芯绝缘层上的刻蚀停止层、沿芯绝缘层的侧壁和刻蚀停止层的侧壁延伸的沟道层、每个包围沟道层并且在第一方向上彼此间隔开地层叠的导电图案以及形成在沟道层的上端中的杂质区。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201910116205.9有效
发明人：朴寅洙;尹基准;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法。一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在包括有第一区域和第二区域的下部结构上形成第一蚀刻停止图案以暴露所述第二区域；在所述下部结构上堆叠多个堆叠结构以与所述第二区域和所述第一蚀刻停止图案交叠；通过蚀刻所述多个堆叠结构形成阶梯式堆叠结构以暴露所述第一蚀刻停止图案的端部；形成穿过所述阶梯式堆叠结构和所述第一蚀刻停止图案的狭缝；以及经由所述狭缝用导电图案替代所述第一蚀刻停止图案和所述多个堆叠结构的牺牲层。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810586975.5有效
发明人： 李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：布线结构；层叠结构，其位于布线结构上方；沟道结构，其穿过层叠结构；接触插塞，其穿过层叠结构并电连接到布线结构；以及绝缘间隔物，各个绝缘间隔物包括包围各个接触插塞的侧壁并沿着各个接触插塞的侧壁层叠的环状图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911081966.1有效
发明人： 李起洪;梁基洪;林勇贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：第一层叠结构；第二层叠结构；狭缝绝缘层，其位于第一层叠结构和第二层叠结构之间，狭缝绝缘层沿第一方向延伸；导电插塞，其位于第一层叠结构和第二层叠结构之间，导电插塞包括突出到狭缝绝缘层的内部的第一突出部分；以及绝缘间隔物，其围绕导电插塞的侧壁。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN201910976050.6有效
发明人：梁基洪;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括：形成贯穿交替层叠图案的贯通孔以及形成间隙填充层，其中，间隙填充层的牺牲间隙填充层填充贯通孔。该方法还包括在交替层叠图案上方和间隙填充层上方形成掩模层，其中掩模层包括自对准开口，该自对准开口与经填充的贯通孔交叠并且与第一材料层和第二材料层中的最上层的材料层的与经填充的所述贯通孔相邻的部分交叠。该方法还包括通过使用掩模层和最上层的材料层的部分二者作为蚀刻屏障执行单次蚀刻，以通过自对准开口去除填充贯通孔的牺牲间隙填充层，来形成穿过所述交替层叠图案的第一接触孔。
用于制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811295411.2有效
发明人： 李起洪;柳丞昱 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成层叠结构；形成穿透所述层叠结构的沟道层；在所述沟道层中形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第二介电层；通过选择性蚀刻所述第一介电层形成开口；选择性蚀刻通过所述开口暴露的所述第二介电层；以及在所述开口中形成焊盘。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810949566.7有效
发明人： 李起洪;皮昇浩;孙玄洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B41/50 文献下载
摘要：一种半导体器件，其通过使用分离地形成在第一焊盘结构和第二焊盘结构中的非对称阶梯形状来形成字线的焊盘部分从而至少局部实现了接触区面积减小。与本领域已知的制造工艺相比，接触区面积减小。这使得器件集成度提高、制造工艺复杂性减小。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810336777.3有效
发明人： 李起洪;皮昇浩;权日荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底；以及栅线，形成在所述衬底之上，其包括第一导电层和位于所述第一导电层中的一个或多个第二导电图案层。第二导电图案层包括金属层以由此减少栅线的电阻。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202110912743.6在审
发明人： 李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极叠层，该栅极叠层具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；第一沟道图案，该第一沟道图案穿过栅极叠层；第二沟道图案，该第二沟道图案联接到第一沟道图案并且，该第二沟道图案突出到栅极叠层的顶表面上方；绝缘芯，该绝缘芯形成在第一沟道图案中，该绝缘芯延伸到第二沟道图案中；栅极衬垫，该栅极衬垫具有围绕栅极叠层的顶表面的第一部分和围绕第二沟道图案的侧壁的一部分的第二部分；以及屏障图案，该屏障图案联接到栅极衬垫，该屏障图案围绕第二沟道图案的侧壁的其余部分。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110912530.3在审
发明人： 李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道结构，沟道结构穿过栅极结构。每个导电层可以包括具有第一厚度的第一部分和具有比第一厚度更厚的第二厚度的第二部分，并且第二部分可以包括第一金属层、第一金属层中的第二金属层以及插置在第一金属层和第二金属层之间的第一屏障层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110842761.1在审
发明人： 李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置及其制造方法。提供了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法，该半导体装置包括第一源极层、第二源极层、部分地插置在第一源极层和第二源极层之间的第一绝缘钝化层以及位于第二源极层上的栅极结构。该半导体装置还包括穿过栅极结构、第二源极层和第一绝缘钝化层的源极接触结构。该源极接触结构联接到第一源极层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710623984.2有效
发明人： 李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：栅极层叠结构，所述栅极层叠结构围绕沟道层；公共源极线，所述公共源极线填充彼此相邻的所述栅极层叠结构之间的分离区域，并且具有包括第一凹部的上表面；以及支撑绝缘层，所述支撑绝缘层填充所述第一凹部，并且具有面向所述沟道层的一部分的侧壁。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]存储单元和具有该存储单元的半导体器件-CN202110569901.2在审
发明人：柳丞昱;李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件，包括：存储单元阵列，其包括在基体衬底上竖直层叠的多个存储单元，其中，每个存储单元包括：位线，其相对于基体衬底竖直地取向；电容器，其与位线横向地间隔开；有源层，其在位线与电容器之间横向地取向；字线，其位于有源层的上表面和下表面中的任一个上，并在与有源层交叉的方向上横向地延伸；以及位线放电部分，其耦接到位线。
存储单元具有半导体器件

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110493641.5在审
发明人： 李起洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。本文可提供一种制造半导体装置的方法。该方法可包括：形成层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层；形成第一开口，该第一开口包括穿过层叠结构的通孔以及联接到通孔并位于第一材料层和第二材料层的至少一个界面中的凹口；形成牺牲层，该牺牲层包括位于通孔中的第一部分和位于凹口中的第二部分；以及将牺牲层的第一部分氧化，从而形成位于通孔中的第一牺牲图案和位于凹口中的填塞图案。
半导体装置制造方法

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