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[发明专利]小分子化合物在制备治疗弥漫大B细胞淋巴瘤药物中的应用-CN202210573610.5在审
发明人： 李炳宗 -专利权人：核工业总医院
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： A61K31/352 文献下载
摘要：本发明公开了小分子化合物(桑根皮醇)在制备治疗弥漫大B细胞淋巴瘤药物中的应用。通过CCK8实验证实了桑根皮醇可以抑制DLBCL细胞的增殖；通过流式细胞术证实了桑根皮醇可以促进DLBCL细胞的凋亡；通过细胞周期实验证实了桑根皮醇可以诱导DLBCL细胞周期阻滞。该研究有助于为临床上治疗DLBCL提供一种潜在有效的小分子化合物，进而提高DLBCL的治疗效果。
分子化合物制备治疗弥漫细胞淋巴瘤药物中的应用

[发明专利]小分子化合物在制备治疗多发性骨髓瘤药物中的应用-CN202210573691.9在审
发明人： 李炳宗 -专利权人：核工业总医院
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： A61K31/36 文献下载
摘要：本发明公开了小分子化合物(安五脂素)在制备治疗多发性骨髓瘤药物中的应用，安五脂素对多发性骨髓瘤细胞具有杀伤作用，且与蛋白酶体抑制剂具有协同作用。
分子化合物制备治疗多发性骨髓瘤药物中的应用

[发明专利]piRNA作为弥漫性大B细胞性淋巴瘤预后标志物的应用-CN201710367377.4有效
发明人： 李炳宗;庄文卓 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C12Q1/6886 文献下载
摘要：本发明公开了一种piRNA作为弥漫性大B细胞性淋巴瘤预后标志物的应用，piRNA的具体种类为piRNA‑42435和piRNA‑30374。通过检测弥漫性大B细胞性淋巴瘤病人的piRNA‑42435和piRNA‑30374的表达水平，来进行弥漫性大B细胞性淋巴瘤患者的预后评估，可在早期筛选预后不良的病例，有助于临床治疗方案的选择及改善预后。
pirna 作为弥漫性细胞淋巴瘤预后标志应用

[发明专利]一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法-CN201210004176.5无效
发明人：蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。
一种实现金属接触衬底表面费米能级解钉扎方法

[发明专利]通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法-CN201210004325.8无效
发明人：于浩;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。
通过半导体局部表面能级解钉扎优化接触结构方法

[发明专利]寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法-CN201110411223.3无效
发明人：李全立;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法。本发明在固定偏压、扫描频率时提取各频率下对应的寄生电阻和电容并对测试结果进行修正，具体步骤如下：把MOSCAP偏置在强积累区进行频率扫描测试，得到一系列频率下的寄生电阻和电容参数；再把MOSCAP偏置在耗尽区，以一致的频率扫描设置进行测试；用前者得到的各频率下的寄生参数修正后者对应频率下的测试数据；最后计算电导法对界面态的表征结果。本发明在TiN/HfO2/GeON/p-Ge电容结构上进行了实际验证。
寄生效应电导表征 ge 衬底界面产生干扰修正方法

[发明专利]一种工艺优化的金半接触结构的制备方法-CN201110419776.3无效
发明人：蒋玉龙;于浩;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀（RIE）技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形，最终通过丙酮超声振荡去除PS微球，是一种理想的自对准工艺，具有良好的应用前景。而高低两种功函数金属并联调制金半接触的方法可以有效提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通过此自对准刻蚀技术与双功函数金属调制势垒高度技术的结合，达到了良好的金半接触优化效果。
一种工艺优化接触结构制备方法

[发明专利]利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法-CN201110413439.3有效
发明人：李龙;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。
利用对准技术制备具有金属场效应晶体管方法

[发明专利]一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法-CN201110075293.6无效
发明人：王井舟;于浩;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具备金属纳米颗粒底电极的无机RRAM器件。该存储器的典型特征是：金属纳米颗粒处的电场得到增强，施加一定电压后与金属纳米颗粒电极接触处的介质层最容易形成导电通路，可以很大程度上减小导电通路在阻变存储器中形成的随机分布，从而达到阻变特性稳定的目的。
一种具有金属纳米电极存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于PEDOT:PSS的有机动态随机存储器及其制备方法-CN201110150827.7无效
发明人：于浩;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于PEDOT：PSS材料的有机动态随机存储器及其制备方法。本发明通过在衬底材料上依次淀积底电极Au、介质层PEDOT：PSS以及顶电极Au，形成结构为Au/PEDOT:PSS/Au的存储器器件。由于PEDOT：PSS在不同偏压下会表现出高阻性的还原态和低阻性的氧化态，且具有断电自动恢复到氧化态的特性，故可以将这种结构投入到易失性的有机动态随机存储器的应用当中。
一种基于 pedot pss 有机动态随机存储器及其制备方法

[发明专利]金属铜与镍硅化合物的的叠层接触结构及其制备方法-CN201110096681.2无效
发明人：蒋玉龙;于浩;谢琦;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。
金属化合物接触结构及其制备方法

[发明专利]一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201110089411.9无效
发明人：梁萌;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法。本发明的薄膜太阳能电池是在传统硅薄膜太阳能电池表面电极上加入周期性纳米尺寸金属铝圆柱体，引入局域表面等离激元共振效应，使吸收效率得到大幅提升，从而提高太阳能电池的光电转换效率。与传统硅薄膜太阳能电池相比，加入纳米铝圆柱体的硅薄膜太阳能电池具有转换效率高的优点，且工艺实现只需额外增加一次光刻。与常用于等离激元增强的贵金属银相比，使用金属铝可以在得到同样（稍高）吸收增强效果的同时大幅降低生产成本。
一种增加光电转换效率薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]能提高光电转换效率的硅纳米柱太阳能电池及其制造方法-CN201110120952.3无效
发明人：梁萌;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能提高光电转换效率的硅纳米柱太阳能电池及其制造方法。本发明在硅纳米柱太阳能电池衬底端表面加入纳米尺寸金属铝圆柱体颗粒，通过引入局域表面等离激元共振效应，提升太阳能电池吸收率，从而提高硅纳米柱太阳能电池的光电转换效率。金属铝的使用，相对于常用贵金属（如金、银），可大幅降低生产成本，同时得到更好的吸收增强效果。
提高光电转换效率纳米太阳能电池及其制造方法

[发明专利]具有尖峰状底电极的有机阻变存储器及其制备方法-CN201110068781.4无效
发明人：于浩;王井舟;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
具有尖峰电极有机存储器及其制备方法

[发明专利]一种有效调制TiN_x金属栅功函数的方法-CN200910200008.1无效
发明人：王晓荣;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属微电子技术领域，涉及一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法。本发明在已形成栅介质的材料上用正胶进行光刻，形成一定面积的图形，再把淀积一定厚度的TiNx做栅极后，在TiNx薄膜上再淀积一定厚度的Al或直接用钛靶和铝靶在含氮气气氛下共溅射的方法获得AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅。所有的薄膜做完后再对材料进行liftoff处理，最终形成具有一定图形面积的Al/TiNx/栅介质层/衬底Si或者AlxTiyN1-x-y/栅介质层/衬底Si结构，然后对材料进行不同时间以及不同温度的快速热退火，在热的作用下，Al/TiNx叠层结构或者AlxTiyN1-x-y化合物薄膜结构将发生一定变化，使栅极的功函数发生相应变化。本发明通过铝的引入从而实现TiNx金属栅功函数的有效调节，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。
一种有效调制 tin sub 金属函数方法

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