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[发明专利]半导体器件、用于制造半导体器件的方法及温度传感系统-CN202011471839.5在审
发明人：陈伟钿;孙倩;李浩南 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：器件单元，该器件单元包括配置成接收栅极控制信号的栅极组件；以及与器件单元相邻的温度传感组件。温度传感组件和栅极组件中的每个组件均包括多晶硅。
半导体器件用于制造方法温度传感系统

[外观设计]钥匙扣（心不急）-CN202130847737.8有效
发明人： 李浩南 -专利权人：南京机电职业技术学院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：钥匙扣（心不急）。2.本外观设计产品的用途：用于钥匙扣。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计产品为薄型产品，省略左右俯仰视图。6.A处为透明材质。
钥匙扣心不急

[实用新型]一种基于DDS技术的雷达信号源装置-CN202123355450.7有效
发明人：李芸;覃斌毅;黄春霞;李浩南;陈小旗 -专利权人：玉林师范学院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于DDS技术的雷达信号源装置，涉及雷达技术领域，解决雷达信号源结构复杂、价格昂贵的技术问题，所述装置包括控制模块、低噪声放大器、天线、稳压电源模块、操作显示模块、时钟频率不小于1GHZ的DDS信号发生器、通频带为400MHz～683MHz的高频低通滤波器，控制模块依次连接DDS信号发生器、高频低通滤波器、低噪声放大器、天线，控制模块连接操作显示模块，稳压电源模块分别连接控制模块、DDS信号发生器、低噪声放大器。本实用新型整体结构简单，采用单片机控制可以降低价格。
一种基于 dds 技术雷达信号源装置

[实用新型]半导体结构-CN202123367933.9有效
发明人： 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和所述衬底之间的第一外延层的厚度为6μm～12μm；阱接触层，与所述深阱保护柱的掺杂类型相同，并自所述深阱保护柱的表面向所述深阱保护柱中延伸且侧壁和底部被所述深阱保护柱围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202122747597.4有效
发明人：张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷以及降低衬底电阻。
半导体结构

[实用新型]一种用于盾构保压系统实验装置的控制气路-CN202122909756.6有效
发明人：王凯;孙振川;周建军;李凤远;陈桥;陈瑞祥;秦银平;李浩南;张合沛;杨延栋;高会中;任颖莹;范文超 -专利权人：中铁隧道局集团有限公司;盾构及掘进技术国家重点实验室
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于盾构保压系统实验装置的控制气路，包括气动控制器，测量气路、第一驱动气路、第二驱动气路、第三驱动气路、第一连接气路、第二连接气路；第一驱动气路、第二驱动气路、第三驱动气路分别用作传输驱动气动控制器、进气阀、排气阀工作的空气动力，测量气路用于向气动控制器传递模拟泥水仓内气压信号，第一连接气路用于控制连接气动控制器与进气阀、第二连接气路用于控制连接气动控制器与排气阀，以使气动控制器调节排气阀、进气阀开度。本实用新型为科学评价盾构保压系统实验装置性能提供控制连接基础，能够保证盾构保压系统实验装置的评价与测试功能。
一种用于盾构系统实验装置控制

[发明专利]一种上覆水无污染及沉积物低扰动多次保压分离转移装置-CN202111474107.6在审
发明人：陈家旺;郭进;李浩南;朱海;张培豪;邓义楠;陈道华 -专利权人：浙江大学;南方海洋科学与工程广东省实验室（广州）;广州海洋地质调查局
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明涉及深海取样技术，旨在提供一种上覆水无污染及沉积物低扰动多次保压分离转移装置。该装置包括：取样机构、推送舱机构、增压机构以及沉积物转移机构；取样机构包括保压筒、取样筒、取样筒球阀；推送舱机构包括中空管状的推送舱；增压机构包括筒体、活塞和推杆；沉积物转移机构包括具有三通结构的剪切球阀。本发明可以同时实现上覆水与沉积物的保压转移，且能够保证上覆水在转移后不被其他液体污染。沉积物从取样器内转移出去是通过二次取样管完成，而不是如现有技术那样将沉积物搅浑稀释后像液体一样转移出去，故可以较好地保证沉积物样品的完整性以及微生物的活性。
一种上覆水无污染沉积物扰动多次分离转移装置

[发明专利]便携式防水卷材铺贴装置-CN202111663556.5在审
发明人：王继贤;于开元;徐骄龙;李浩南;都林 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： E04D15/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种便携式防水卷材铺贴装置，包括：喷火口、固定方钢、连接杆、成品把手、位置调节装置、承插横杆、可拆卸式承插横杆、预制混凝土圆柱及环形钢筋。本装置将防水卷材固定于承插横杆及可拆卸承插横杆钢管之间。固定牢固后可将预制混凝土圆柱安装至本装置上，用来铺设地下室顶板防水。可节省二次铺贴的人工及相关费用。两侧喷火口设置两根燃气输送胶皮管道，保证在阴阳角及防水卷材搭接位置处火苗更大，可使防水卷材更充分的与混凝土基层结合。有效的较少渗漏的风险。本装置适用于大面积防水卷材施工的情况，本装置可单人完成防水卷材全部施工内容。节省了一半的人工成本，提高防水施工质量，减少渗漏风险及提高经济效益。
便携式防水卷材装置

[发明专利]一种指尖陀螺的自动装配设备-CN202010499898.7有效
发明人：李庆;吴亚兰;李浩南;邵军;王科翔 -专利权人：安徽机电职业技术学院
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B23P21/00 文献下载
摘要：本发明涉及指尖陀螺领域，具体是涉及一种指尖陀螺的自动装配设备，包括底板，还包括用于陀螺下盘体输送的送料组件、装配台、用于陀螺轴承固定的定位组件、用于陀螺上盘体输送的推料组件、用于陀螺上盘体夹取的抓取组件、用于螺母安装的紧固组件和出料传输带，送料组件、装配台、推料组件、抓取组件、紧固组件和出料传输带均设置于底板的顶部，定位组件设置于装配台上，送料组件和出料传输带分别位于装配台的两侧，推料组件位于出料传输带远离装配台的一侧，抓取组件和紧固组件分别位于装配台的自由两端，送料组件包括一个输送架，本发明解决了指尖陀螺通过人工装配效率低下的问题，提高了指尖陀螺的装配效率，以及降低了人工的劳动力。
一种指尖陀螺自动装配设备

[实用新型]半导体结构-CN202122354873.0有效
发明人：张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括外延层；第一掺杂区，分立的位于所述外延层中；第一JFET区，位于所述第一掺杂区的部分表面；第二JFET区，位于相邻所述第一掺杂区之间的部分外延层表面；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；第二掺杂区，位于相邻所述源区之间的第一掺杂区表面，且所述第二掺杂区与所述源区的表面共面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述第一掺杂区邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷。
半导体结构

[发明专利]一种海洋沉积物导热系数测量方法及装置-CN202111626430.0在审
发明人：陈家旺;张春月;高巧玲;南立文;李浩南;郭进;何开 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种海洋沉积物导热系数测量方法及装置，该方法包括：通过热源探针向所述待测海洋沉积物发出热量；通过第一感温探针获得第一温度信号，通过第二感温探针获得第二温度信号；所述第一感温探针与所述热源探针的距离和所述第二感温探针与所述热源探针的距离不相等；基于牛顿拉夫逊算法，根据所述第一温度信号和所述第二温度信号确定待测海洋沉积物的导热系数。本发明提高了导热系数测量的便捷性。
一种海洋沉积物导热系数测量方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111641795.0在审
发明人： 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；阱保护层，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方；阱接触层，与所述阱保护层的掺杂类型相同，并自所述阱保护层的表面向所述阱保护层中延伸且侧壁和底部被所述阱保护层围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构及其形成方法，能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN202122051938.4有效
发明人： 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。本申请技术方案的半导体结构能够大幅度提高边缘区终端结构的击穿电压。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111641765.X在审
发明人： 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和所述衬底之间的第一外延层的厚度为6μm～12μm；阱接触层，与所述深阱保护柱的掺杂类型相同，并自所述深阱保护柱的表面向所述深阱保护柱中延伸且侧壁和底部被所述深阱保护柱围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构及其形成方法能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种基于CVSS的多维度软件安全风险评估方法-CN202111420371.1在审
发明人：郭军军;邓宇峰;李浩南 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CVSS多维度的软件安全风险评估方法，解决了CVSS度量评估标准不能准确全面评价漏洞风险等级的问题。实现步骤：获取软件漏洞数据；分析漏洞数据整合成数据集；重新调整相对重要性度量指标权重；优选出影响性中度量指标的分配方案；增设了漏洞类型度量指标；在风险得分中增设利用时间概率度量；利用本发明的风险评估公式获取风险评估结果。本发明对影响性中度量指标做相对重要性权重分配，在可利用性度量中增设漏洞度量指标，在风险得分中增设时间利用概率。相比传统的评估方法，本发明具有更准确的得分标准，具有更全面的评估因素，具有更多维的评估结果。用于对软件漏洞的风险评估。
一种基于 cvss 多维软件安全风险评估方法