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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]化妆品容器-CN202330026266.3有效
发明人： 李柄勋 -专利权人：皮克顿有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： 09-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：化妆品容器。2.本外观设计产品的用途：用于盛放化妆品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
化妆品容器

[外观设计]化妆品容器-CN202330026372.1有效
发明人： 李柄勋 -专利权人：皮克顿有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： 09-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：化妆品容器。2.本外观设计产品的用途：用于盛放化妆品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
化妆品容器

[发明专利]用于安装微型LED的安装结构-CN201980070939.6在审
发明人： 李柄勋;具滋铭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微型LED安装结构，包括：第一层，该第一层具有设置在其表面上的导电焊盘；第二层，该第二层包括第一表面、与第一表面相对并设置在第一层的表面上的第二表面、以及从第一层的导电焊盘延伸到第一表面并包括导电材料的通孔；以及微型LED，该微型LED设置在第二层的第一表面上与通孔中包括的导电材料电连接，该通孔包括第一开口，该第一开口在第二层的第一表面中并在其中形成了导电材料，第一表面的导电材料在第二层的第一表面的一部分上提供导电区域，并且导电区域和导电区域的特定区域内的区域限定了基本平坦的表面。
用于安装微型 led 结构

[发明专利]反射掩模及其制造方法-CN201510482805.9有效
发明人：李仁桓;丘善英;金瑞玟;金用大;金辰寿;李柄勋;林美晶;林昌文;河泰中;玄润锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：一种反射掩模，包括：第一反射层，布置在掩模衬底之上；第一覆盖层，布置在第一反射层之上；第二反射图案，布置在部分第一覆盖层之上，以及移相器，布置在第二反射图案与第一覆盖层之间，以引起从第一反射层反射的第一光线和从第二反射图案反射的第二光线之间的相位差。还提供了相关方法。
反射及其制造方法

[发明专利]电气元件传送装置-CN201880052299.1在审
发明人：张铉太;朴民;李柄勋;李溁澈;李昶准;张智岭;文永俊;朴珉莹;尹正根;崔源;张时镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：根据各种实施例，提供了一种电气元件传送装置，包括：固定夹具，在所述固定夹具中多个电气元件中的每个电气元件以预定间隔设置；移动夹具，所述移动夹具可移动地设置在所述固定夹具的上部，并且包括用于容纳所述多个电气元件中的每个电气元件的至少一部分的多个第一容纳槽；以及吸引设备，所述吸引设备布置在所述移动夹具附近，并且通过所述移动夹具利用磁力将所述多个电气元件中的每个电气元件附接到所述移动夹具的所述第一容纳槽。其它的各种实施例也是可能的。
电气元件传送装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210532319.X有效
发明人： 李柄勋;林昌文 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，以交替方式形成柱图案，并且在不使用倾斜离子注入工序或掩模的情况下形成一侧触点（OSC），从而形成竖直栅极。该半导体器件包括形成在半导体基板上方的交替或交错型柱图案、形成在柱图案的柱之间的第一孔、形成在第一孔的侧壁上的钝化层、通过部分地蚀刻第一孔的下部所形成的第二孔、形成在第二孔中的位线以及形成在柱图案的下部处的触点。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200910150083.1无效
发明人：金炯秀;李柄勋;朴沙路汉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在光阻图案上形成保护薄膜以改善光阻图案的残留比。所述方法包括：在下置层上形成光阻图案；以及在光阻图案的上部与侧壁上形成保护图案。
制造半导体器件方法

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