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[发明专利]一种集成扇出封装结构及其形成方法-CN202210748097.9在审
发明人： 李恒甫;张春艳;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成扇出封装结构，包括：第一芯片，其背面与第二芯片的背面贴合，且所述第一芯片的背面经过减薄；塑封层，其包封第一芯片与第二芯片；第一互连结构，其位于塑封层的正面和第一芯片的正面；焊球，其与所述第一互连结构连接；导电通孔，其贯穿所述塑封层，并与所述第一互连结构以及第四金属互连线电连接；第四金属互连线，其位于所述塑封层的背面，并与所述导电通孔和第二互连结构电连接；第二互连结构，其位于所述第二芯片的正面和所述塑封层的背面。
一种集成封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201910967497.7有效
发明人：张春艳;孙鹏;李恒甫;包焓;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，本发明技术方案对半导体衬底的第二表面进行减薄处理后，对所述第二表面进行第一次化学机械研磨处理，这样，通过机械研磨结合化学研磨的方法，可以同时研磨去除半导体衬底、TSV结构的第一绝缘介质层以及导电柱，使得露出的导电柱和研磨后的第二表面齐平，各个导电柱的高度齐平，然后对研磨后的所述第二表面进行刻蚀，使得所述第二表面的高度小于所述导电柱的高度，在刻蚀后的所述第二表面形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层与所述导电柱齐平。应用本发明实施例提供的制作方法，避免了现有技术中导电柱露出高度不一致的问题。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体芯片封装方法及芯片封装结构-CN202111591072.4在审
发明人： 李恒甫 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装方法和芯片封装结构。制作方法包括：在芯片背面开设若干通孔，通孔的底部暴露各第二类走线；提供封装基板；封装芯片的正面，以使第一类走线通过第一类接脚电连接封装基板；封装芯片的背面，以使第二类走线通过通孔电连接封装基板。本发明的芯片封装方法，可以满足接脚高密度排布的芯片的封装需求。
半导体芯片封装方法结构

[发明专利]一种降低翘曲的扇出型封装结构-CN202111471260.3在审
发明人： 李恒甫 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低翘曲的扇出型封装结构，包括：芯片，其具有正面和与正面相对的背面；管脚，其在所述芯片的正面；金属柱，其布置在所述管脚上，与所述管脚电互连；塑封层，其包裹所述芯片和所述金属柱，所述芯片正面的塑封层厚度由所述金属柱的高度决定；金属互联线，其布置在所述金属柱上，与所述金属柱电互连；以及凸点结构，其与所述金属互联线电互连。该扇出封装结构，通过改变芯片两边的环氧塑封料的厚度，降低芯片正面和背面因环氧塑封料厚度不同而产生的应力，有效改善晶圆翘曲，而且方法简单，效果明显。
一种降低扇出型封装结构

[实用新型]一种半导体封装结构-CN202022590902.9有效
发明人： 李恒甫;姚大平 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体封装结构，包括第一芯片、塑封层、散热层和第二芯片；塑封层覆盖第一芯片，塑封层中具有凹槽，凹槽贯穿塑封层位于第一芯片上方的部分；散热层覆盖凹槽的底面；第一芯片的背面贴合散热层；第二芯片设置于凹槽中，第二芯片的背面贴合于散热层。在散热层的相对两侧分别贴装第一芯片和第二芯片，一个散热层同时接触正反两面的器件，可以同时辅助两面的器件进行传热，提高了散热效率。同时由于塑封层设置凹槽，散热层覆盖凹槽的设置，使得塑封层可容纳两个芯片，节省了封装结构的整体高度，有利于封装结构的小型化和提高器件的集成密度。
一种半导体封装结构

[实用新型]一种半导体封装结构-CN202022592013.6有效
发明人： 李恒甫;姚大平 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：芯片、互联结构层和无源器件。互连结构层包括绝缘介质层、位于绝缘介质层中的第一导电层和第二导电层，第一导电层朝向芯片的正面，第二导电层背向芯片，第一导电层与芯片的正面电性连接；无源器件位于互联结构层中且被绝缘介质层包裹，无源器件位于第二导电层和芯片之间且与第二导电层电性连接。将无源器件设置于芯片正面的互联结构层中，利用互联结构层中导电层之间的间隙设置无源器件，可节省器件排布的设计空间，提高封装结构中的封装密度，可降低工艺过程中发生翘曲的可能性，避免封装结构在工艺过程中发生翘曲。
一种半导体封装结构

[发明专利]一种晶圆载具、晶圆清洗系统及方法-CN201810315961.X有效
发明人： 李恒甫 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆载具、晶圆清洗系统及方法，晶圆载具包括载具本体，载具本体具有相对的承载面与固定面；承载面用于承载晶圆，固定面用于固定载具；承载面的边缘还设置有若干用于固定晶圆的第一夹具。在清洗晶圆时，可预先将晶圆固定于载具的承载面上，再将载具的固定面固定在清洗腔内。清洗过程中，晶圆可牢牢固定在载具上，而不是直接固定在清洗腔内，由此，避免了传统方式中因晶圆直接吸附于清洗腔内而导致晶圆因吸附不牢而造成的飞片破裂，提高了晶圆成品率。并且，晶圆在清洗流水线上传输时，也可固定于该载具上，进而保证了晶圆在传输过程中的安全性。
一种晶圆载具清洗系统方法

[实用新型]一种扇出形多芯片封装结构-CN201921210420.7有效
发明人： 李恒甫;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种扇出形多芯片封装结构，扇出形多芯片封装结构包括：重布线层；第一芯片；导电柱，其一端与重布线层相连接，另一端与第一芯片相连接；第二芯片，第二芯片设置在第一芯片上且与第一芯片电连接，第二芯片位于重布线层与第一芯片之间，以及，封装层，设置在重布线层上，用于将第一芯片、导电柱以及第二芯片进行塑封。通过设置导电柱，并将第一芯片安装在导电柱上，从而使得第一芯片具有一定的高度，再通过将第二芯片直接设置在第一芯片上，从而实现第一芯片与第二芯片之间的互连，这样设置，在一个封装体内即实现了两个芯片之间的互连，减少了封装体的个数，从而可以减小多芯片封装体的厚度。
一种扇出形多芯片封装结构

[发明专利]一种防漏电TSV背面露头结构及其制造方法-CN201911336741.6在审
发明人： 李恒甫;张春燕;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种防漏电TSV背面露头结构，包括：TSV转接板，包含正面和与正面相对的背面，所述正面包含互连工艺；TSV结构，所述TSV结构贯穿TSV转接板的正面和背面，并且从TSV转接板的背面露头；阻挡层，所述阻挡层设置在TSV结构露头部分的侧壁上；绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述阻挡层的外侧，填充所述TSV结构之间的空间，其中绝缘介质层的顶面与TSV结构露头的顶面处于同一平面。
一种漏电 tsv 背面露头结构及其制造方法

[发明专利]一种提升高密度凸块结构清洗能力的机械装置及其清洗方法-CN201911355268.6在审
发明人： 李恒甫;姚大平;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度凸块结构的清洗装置，包括：载台，所述载台用于放置待作业的晶圆；可变方向的喷嘴结构，所述可变方向的喷嘴结构处于所述载台的上方，用于将化学液输送至晶圆的表面，可变方向的喷嘴结构包括化学品输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路，所述输送管路、方向改变装置和化学品输出端管路是液体连通的，所述输出端管路通过所述方向改变装置改变化学品的输出方向。
一种提升高密度结构清洗能力机械装置及其方法

[发明专利]一种提升高密度凸块结构清洗能力的机械装置-CN201911356871.6在审
发明人： 李恒甫;姚大平;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度凸块结构的清洗装置，包括：载台，所述载台用于放置待作业的晶圆；喷嘴结构，所述喷嘴结构处于所述载台的上方，用于将化学液输送至晶圆的表面；转动装置，所述转动装置嵌入在所述载台内部并与所述载台连接在一起；以及可转变方向装置，可转变方向装置与所述载台连接，用于转变载台的方向，使载台由竖直方向在一定范围内倾斜，从而带动转动装置与晶圆产生相应的方向变化。
一种提升高密度结构清洗能力机械装置

[发明专利]一种临时键合工艺的辅助结构及利用该结构的晶圆加工方法-CN201711246962.5有效
发明人：张鹏;李恒甫 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种临时键合工艺的辅助结构，包括：衬底；形成于所述衬底的正面上的功能结构；形成于所述衬底内的有效TSV通孔；以及形成于所述衬底内的伪TSV通孔，所述伪TSV通孔分布在所述功能图形周边的无效区域中，其中所述伪TSV通孔的孔深大于所述有效TSV通孔的孔深。本发明的实施例可有效解决临时键合片进行背面工艺时在真空腔室中易分层或者破裂的问题。
一种临时工艺辅助结构利用加工方法

[实用新型]一种基于TSV的多芯片封装结构-CN201921210552.X有效
发明人： 李恒甫;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种基于TSV的多芯片的封装结构，多芯片封装结构包括互连结构；第一芯片，设置在互连结构上；转接板，设置在互连结构上，转接板与第一芯片位于互连结构上的同一侧，转接板的厚度大于第一芯片；第二芯片，第二芯片设置在转接板上，且与互连结构相对设置；以及，封装层。通过设置互连结构与转接板，转接板具有一定厚度，且第二芯片安装在转接板上，使得第一芯片与第二芯片可以处于两个不同高度的平面上，从而实现了多芯片之间的三维封装，与现有技术相比，本实用新型提供的封装结构中，第一芯片与第二芯片的尺寸之和不必再受限于互连结构平面尺寸的大小，从而扩展了芯片封装结构的多元化发展。
一种基于 tsv 芯片封装结构

[发明专利]一种3D封装结构及其制作方法-CN201910830776.9在审
发明人： 李恒甫;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D封装结构及其制作方法，该3D封装结构包括：电互连结构，包括自下而上依次层叠设置且电连接的第一再分布层、多个导电通孔、第二再分布层以及多个第一电接触垫及第二电接触垫；绝缘隔离层，位于电互连结构上，绝缘隔离层中设置多个保形导电结构，至少一部分保形导电结构位于绝缘隔离层的上表面上，至少另一部分保形导电结构与第一电接触垫电连接；第一芯片，设置在绝缘隔离层中，与第二电接触垫电连接；绝缘塑封层，位于绝缘隔离层上，绝缘塑封层中设置多个第三电接触垫，多个第三电接触垫与位于绝缘隔离层的上表面上的保形导电结构电连接；第二芯片，设置在绝缘塑封层中，与第三电接触垫电连接。
电接触垫绝缘隔离层电连接导电结构保形塑封层绝缘再分布层电互连上表面芯片导电通孔依次层叠制作

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201910967723.1在审
发明人：张春艳;孙鹏;李恒甫;包焓;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，本发明技术方案对半导体衬底的第二表面进行减薄处理后，对所述第二表面进行化学机械研磨处理，这样，通过机械研磨结合化学研磨的方法，可以同时研磨去除半导体衬底、TSV结构的第一绝缘介质层以及导电柱，使得露出的导电柱和研磨后的第二表面齐平，各个导电柱的高度齐平，当在经过化学机械研磨处理后的第二表面形成图形化的第二绝缘介质层，由于各个导电柱相对于所述第二绝缘介质层的高度也是一致的，避免了现有技术中导电柱露出高度不一致的问题。
第二表面导电柱绝缘介质层化学机械研磨研磨衬底半导体半导体器件高度齐平化学研磨机械研磨减薄处理不一致图形化电柱齐平去除制作

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