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- [发明专利]一种紫磷纳米带材料的制备方法-CN202210415045.X在审
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谢雅典;李世佼;薛妙宣;薛永恒;高兰星;于瀚清;李岩璞
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贵州民族大学
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2022-04-20
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2022-09-06
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C01B25/02
- 本发明公开了一种紫磷纳米带材料的制备方法,即通过控制温度、质量比等参数,使用化学气相传输并经过剥离方法制得成型较好的紫磷纳米带材料,具体步骤如下:首先以锡和四碘化锡为矿化剂,红磷为磷源,将混合物原料密封在真空石英管中,分成放置样品的源区和反应区。将石英管放置在管式炉中,源区以2.3‑3.6℃/min的升温速率升温至600‑650℃,反应区升温至570‑620℃。混合物在管式炉中进行5‑6.5h的热处理,后以0.8‑1.5℃/min的降温速率降温至550‑578℃(源区)和520‑548℃(反应区),保持28‑40h。最后以0.1‑0.3℃/min的速率分段冷却到室温,获得紫磷晶体产物,通过机械、液相或激光剥离法制得紫磷纳米带材料。本发明填补了目前紫磷纳米材料制备方法的空白,也为紫磷的进一步研究奠定了基础。
- 一种纳米材料制备方法
- [发明专利]一种在硅基底上直接生长紫磷薄膜的方法-CN202210415541.5在审
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谢雅典;薛妙宣;李世佼;薛永恒;高兰星;于瀚清;李岩璞
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贵州民族大学
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2022-04-20
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2022-07-29
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C23C14/22
- 本发明公开了一种在硅基底上直接生长紫磷薄膜的方法,通过外延成核设计和控制横向生长的气相生长策略,在绝缘硅基底上直接生长紫磷薄膜。以红磷为原料,碘和锡为矿化剂,在真空或保护气氛下,将前驱体和沉积金属(Pt、Pb、Cu)薄膜的硅基底密封在一定尺寸的石英管内并分别置于管式炉的高温区和低温区。先将管式炉高温区加热至700~800℃,保温2~3h,在基底上成核(Pt3SnP7、Pb3SnP7、Cu4SnP10)。然后高温区降温到500~600℃,低温区加热和高温区相差15~30℃并保温20~30h以控制紫磷的横向生长,最后以0.5~1℃/min降至室温。本发明的制备方法操作简单,且制备的紫磷结晶性好、纯度高、厚度和面积可控,具有很好的应用前景。
- 一种基底直接生长薄膜方法
- [实用新型]一种五自由度虚拟现实滑雪模拟器-CN202022282288.X有效
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李岩璞;刘泳辉
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河北盛世博业科技有限公司
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2020-10-14
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2021-05-25
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A63B69/18
- 本实用新型提供了一种五自由度虚拟现实滑雪模拟器,包括:外壳基座,所述外壳基座固定有横向滑动轨道,所述横向滑动轨道上滑动连接有横向移动基座,所述横向移动基座上设置有两个滑雪板翻转装置,每个所述滑雪板翻转装置均设置有立刃转轴及俯仰部件,所述立刃转轴及俯仰部件连接支撑板,所述支撑板上设置有前后移动滑轨,所述前后移动滑轨连接滑雪板载台,所述滑雪板载台上设置有转向转轴,所述转向转轴连接滑雪板,所述滑雪板上设置有快速夹持装置。本实用新型提供的五自由度虚拟现实滑雪模拟器,提升了多自由度,增强了用户的体验,采用快速拆装夹持装置,提高了体验时效率,采用弹性收放装置保持VR眼镜有线连接,增强了VR眼镜的续航时间。
- 一种自由度虚拟现实滑雪模拟器
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