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[发明专利]一种半桥IGBT模块的芯片布局结构-CN201910589696.9有效
发明人：潘政薇;李宇柱;姚二现;董长城;骆健 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半桥IGBT模块的芯片布局结构，包括上桥IGBT芯片和下桥IGBT芯片分别与FRD芯片通过键合线组实现芯片正面连接，栅极均位于IGBT芯片的左侧位置，上桥FRD芯片和下桥FRD芯片反面均焊接于上桥DCB衬底上；下桥IGBT芯片栅极均位于IGBT芯片的右侧位置，上、下半桥的IGBT芯片与FRD芯片分别关于模块呈中心对称分布。上、下半桥信号端子键合线的落点分别在上、下半桥的栅极信号铜层上，其落点位于在栅极信号铜层上的非相邻两颗IGBT芯片的栅极键合线落点的中间位置。通过仿真得出，本发明的三颗IGBT芯片的峰值电流差异率由30％降低至9.3％，使芯片的均流性能得到提升；芯片最大峰值电流的降低减小了开通电流对芯片的冲击，有利于芯片的长期稳定运行。
一种 igbt 模块芯片布局结构

[发明专利]一种沟槽型IGBT终端及其制造方法-CN202211382652.7在审
发明人：冯会会;李宇柱;郑婷婷;张大华;周东海;叶枫叶;严毅琳;史志扬;高晋文;杨阳 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT终端及其制造方法，本发明在相邻场限环之间、主结区和第一个场限环之间设置场限环沟槽，利用器件耐压时自然产生的高电位，在场限环沟槽附近引入电子聚集，从而对前一个场限环横向耗尽做截止，可在保证耐压要求的同时有效缩短环与环之间的间距，从而减少IGBT终端面积。
一种沟槽 igbt 终端及其制造方法

[发明专利]一种全封闭式IGBT沟槽栅结构-CN201911043146.3有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶;黄全全 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种全封闭式IGBT沟槽栅结构，包括若干个排布的元胞区，元胞区包括两条相邻的有源沟槽，两条相邻的有源沟槽两端分别通过有源沟槽桥连形成第一封闭结构，第一封闭结构内具有两条相邻的虚拟沟槽，两条相邻的虚拟沟槽两端分别通过虚拟沟槽桥连形成第二封闭结构，第二封闭结构内形成浮空P阱区，将有源沟槽和虚拟沟槽分别设置为封闭结构，避免了单个尖端结构导致的电场集中问题，优化器件的性能，同时将虚拟沟槽设置为封闭结构，实现了虚拟沟槽内部浮空区的绝对浮空，增大了浮空区的空穴沿沟槽方向移动并从发射极排出的难度，使发射极与浮空区之间的电阻无穷大，抑制了浮空区电势因空穴排出而升高，避免引起输出曲线振荡，抑制IGBT的EMI噪声。
一种封闭式 igbt 沟槽结构

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管-CN201910644272.8有效
发明人： 李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种绝缘栅双极型晶体管，旨在解决如何更加灵活地调整导通压降与关断损耗的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下，更好地优化开关损耗的技术问题。所述器件顶面开设有若干间隔分布的有源沟槽区和虚拟沟槽区，所述有源沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的有源沟槽，所述P型阱区包括不少于一个被有源沟槽和桥连隔离形成的电位浮空的第二P型阱区，所述介质层开设有若干接触窗口，所述P型阱区还包括通过接触窗口与金属发射极导通连接的第一P型阱区。
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种IGBT器件结构-CN201910643939.2有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种IGBT器件结构，旨在解决现有技术中采用虚拟沟槽栅结构的IGBT器件关断时，沟槽区域下方积累的载流子浓度过低，导致器件的通态压降无法降低，以及随着虚拟沟槽的宽度被设计得越来越窄，增加了从虚拟沟槽多晶硅中间开出接触窗口难度的技术问题。所述器件顶面向下开设有若干间隔分布的有源沟槽和虚拟沟槽区，所述虚拟沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的虚拟沟槽，所述介质层开设有接触窗口，所述P型阱区包括通过接触窗口与金属发射极连接的第一P型阱区和处于电位浮空状态的第二P型阱区。
一种 igbt 器件结构

[发明专利]一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法-CN202111325349.9在审
发明人：王鑫;李宇柱;骆健 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法，包括：形成于第一掺杂类型的半导体衬底中的若干沟槽结构，沟槽结构包括顶部沟槽和深沟槽，顶部沟槽位于深沟槽两侧；顶部沟槽内设有栅介质层并填充多晶硅栅；深沟槽的底部表面和侧面形成有所述源极介质层，在深沟槽中填充下段多晶硅和若干间隔的上段多晶硅，上段多晶硅和下段多晶硅之间设置源极介质层、若干上段多晶硅之间也设置源极介质层；顶部沟槽）内的多晶硅栅通过第一接触孔连接到栅极；深沟槽内的上段多晶硅通过第二接触孔连接到发射极或栅极。优点：通过在深沟槽自由选择将上段多晶硅电性连接至栅极或者发射极，使得该器件的各极间电容调节非常灵活，能够使得器件的EMI有效降低。
一种屏蔽 igbt 器件及其制造方法

[发明专利]驱动显示面板的方法-CN201710205866.X有效
发明人：黄泫植;金大哲;金润龜;朴奉任;安益贤;李宇柱;全泰锺 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：公开了驱动显示面板的方法，该方法包括：确定当前帧的像素数据信号的当前极性；使用前一帧的像素数据信号、当前帧的像素数据信号和当前极性来生成当前帧的像素数据信号的第一补偿灰度；以及使用第一补偿灰度来显示图像。第一补偿灰度根据当前极性而改变。
驱动显示面板方法

[发明专利]一种IGBT栅极总线结构-CN202010557347.1有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。
一种 igbt 栅极总线结构

[发明专利]一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法-CN202110962213.2在审
发明人：郑婷婷;李宇柱;王鑫;董长城;骆健 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含融合电阻的结终端结构及其制造方法，包括衬底层（1）、主结环（2）和融合电阻环（4），主结环（2）和融合电阻环（4）均内嵌在衬底层（1）表层中，融合电阻环（4）与主结环（2）相邻，主结环（2）和融合电阻环（4）呈跑道状从内向外依次排列；退火推结工艺前主结环（2）和融合电阻环（4）之间有一定距离不接触，退火推结工艺后主结环（2）和融合电阻环（4）向四周扩散并相互接触。结构在主结环和场限环之间设置了一个融合电阻环，融合电阻环将在推结后与主结环融合在一起，增加主结边缘处的电阻以降低电场集中。
一种包含融合电阻终端结构及其制造方法

[实用新型]一种IGBT沟槽栅排布结构-CN202023214251.X有效
发明人：叶枫叶;李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。
一种 igbt 沟槽排布结构

[发明专利]热电模块-CN202010207658.5在审
发明人： 李宇柱;李民在;李后聃;金炳旭 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种热电模块。热电模块包括：第一热电材料单元；第二热电材料单元，与第一热电材料单元串联连接；以及旁通电路，与第一热电材料单元和第二热电材料单元并联连接，旁通电路被配置为将施加到第一热电材料单元的电流选择性地旁通到第二热电材料单元，从而获得稳定性和可靠性改善的有利效果。
热电模块

[实用新型]一种多芯片并联的半桥型IGBT模块-CN202022429352.2有效
发明人：姚二现;谢龙飞;王豹子;李宇柱 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
一种芯片并联半桥型 igbt 模块

[发明专利]热电模块-CN202010411193.5在审
发明人：李民在;郭真佑;李宇柱;金炳旭;李后聃;尹那誙 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：一种热电模块，包括：第一热电材料；第二热电材料，与第一热电材料间隔开；以及伸缩元件，选择性地连接在第一热电材料与第二热电材料之间，其中，伸缩元件是可伸缩的。
热电模块

[发明专利]热电材料和包括该热电材料的热电模块-CN202011099264.9在审
发明人：李后聃;金炳旭;郭真佑;李民在;李宇柱;金润珍;金荣宣 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本公开涉及一种热电材料。该热电材料包括：下部，从热电材料的底面到热电材料的平均厚度的30％的位置并且碳原子的平均含量为热电材料的40at％以上；以及上部，对应于热电材料的平均厚度的剩余70％并且碳原子的平均含量为热电材料的20at％以下。
热电材料包括模块

[发明专利]一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构-CN201610840694.9有效
发明人： 李宇柱 -专利权人：常州中明半导体技术有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源沟槽和虚拟沟槽两种沟槽；有源沟槽和虚拟沟槽组成半封闭的结构；有源沟槽和虚拟沟槽之间有缝隙；所有沟槽都至少穿透了部分CS层到达N‑漂移层，并在部分N‑漂移层中延伸一段距离；CS层的上方是P型基区；P型基区上面还设有N+发射区和P+接触区，并通过接触窗口和发射极电极相连。
一种具有封闭绝缘栅双极型晶体管器件结构

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