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[发明专利]微型粒子分离装置及粒子分离方法-CN202211584187.5在审
发明人：段学欣;刘雨暄;李铁川;李全宁;陈雪娇 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B01D43/00 文献下载
摘要：本申请涉及微型粒子分离装置，包括：储液腔，为由顶部、底部与侧壁构成封闭的桶状腔体；取液口，设置于储液腔顶部且远离储液腔侧壁的位置；进样通道，设置于储液腔侧壁且靠近储液腔底部的位置；高频谐振器件，用于产生声波，声波与储液腔内的流体耦合，驱动位于储液腔里的流体在储液腔内旋转，使流体内的粒子向远离储液腔中心的方向移动；取液腔，为由底部与侧壁构成的筒状腔体；取液腔的底部从储液腔顶部伸入到储液腔内部，取液腔底部的直径小于储液腔顶部的直径；取液腔的侧壁的位于储液腔内的部分，具有连通储液腔与取液腔的滤液口。通过驱动流体旋转，利用离心力使流体中的粒子与流体分离，且采用高频谐振器件作为驱动器，可实现小型化。
微型粒子分离装置方法

[发明专利]基于硫化铼纳米器件的有机气体检测芯片-CN201711278990.5有效
发明人：武恩秀;解媛;张代化;刘晶;庞慰;李全宁;陈雪娇;郭文岚;孙崇玲 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硫化铼纳米器件的有机气体检测芯片，利用硫化铼(ReS2)纳米材料电学性质的各向异性性质及有机气体吸附引起的电学各向异性性质的变化作为气体检测的维度，实现有机气体的定性、定量检测。本发明基于硫化铼纳米器件的有机气体检测芯片的结构及制备方法简单，检测灵敏度高，能够实现有机气体的定性、定量识别；该有机气体检测芯片尺寸为微米级，超低功耗，其制备工艺为标准的集成电路(IC)制造工艺，与片上系统(SOC)集成工艺兼容，可以将器件方便的嵌入各种移动终端，便于有机气体的实时监测。
基于硫化纳米器件有机气体检测芯片

[发明专利]基于铌酸锂基底的二维材料异质结光电池-CN201711278947.9在审
发明人：武恩秀;解媛;张代化;刘晶;庞慰;陈雪娇;郭文岚;孙崇玲;李全宁 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂基底的二维材料异质结光电池，包括铌酸锂基底、叉指金电极、金电极、黒磷层和二硫化钼层。本发明基于硫化铼纳米器件的有机气体检测芯片的结构简单、体积小、转换效率高、稳定性好、生产效率高且成本低廉，在压电材料铌酸锂基底上组装二维材料黒磷和二硫化钼的异质结结构，当可见光入射到异质结界面上，在异质结内部产生电子‑空穴对，电子‑空穴对在异质结固有内建电势的作用下分离、漂移形成光电流；通过给铌酸锂基底施加交变电场，铌酸锂基底表面产生形变，从而产生声表面波，激发异质结界面电场，大大促进了电子‑空穴对分离效率，增大了光电流，提高了光响应灵敏度。
铌酸锂基空穴二维材料异质结异质结光电池光电流漂移有机气体检测叉指金电极二硫化钼层异质结结构异质结界面二硫化钼分离效率交变电场纳米器件声表面波生产效率压电材料转换效率可见光电场灵敏度形变光响应金电极体积小电势磷层硫化内建入射组装施加芯片激发

[发明专利]一种激光二极管测试老化夹具-CN201410426177.8有效
发明人：仲莉;于远斌;李全宁;罗泓;王翠鸾;李伟;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于激光二极管的测试老化夹具，包括水座；底座，其固定在所述水座上，一端固定激光二极管；另一端具有两个引线孔；绝缘块，固定在所述底座上表面的中部；负极引线片，其第一端与激光二极管的负极连接，第二端将激光二极管的负极引出；压块，为凹形柱体，置于激光二极管上表面，包括滚花控制杆和两定位杆；控制块，其上开设有对称分布在控制块两端的两个第一螺孔、中心部位的第二螺孔，以及位于两个第一螺孔两侧的两个通孔，所述两个第一螺孔用于固定支撑杆，所述第二螺孔用于旋拧滚花控制杆，所述两通孔用于固定定位杆；支撑杆，其一端固定在控制块上，另一端固定在底座上，用于支撑压块。
一种激光二极管测试老化夹具

[发明专利]确定光斑位置的夹具-CN201310698513.X无效
发明人：井红旗;李全宁;吴霞;王翠鸾;董为;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种确定光斑位置的夹具，其中包括：一底座；一右框，其固定在底座上面的一侧；一左框，其固定在底座上面的另一侧；一背板，其固定在底座的上面，其宽度与右框及左框之间的距离相同；一直角标尺，其包括一长直角边和一短直角边，其可上下滑移的设置在右框及左框之间。本发明在进行快轴与慢轴方向压缩的时候，确保快轴与慢轴压缩前后，光斑上下、左右位置中心没有变化，保证压缩的效果。
确定光斑位置夹具

[发明专利]环保型高抗硫化氢和高耐磨Ni-P-W-Mo四元合金镀液及其配制方法-CN201310240041.3有效
发明人：邓朝应;李全宁 -专利权人：陕西巨基实业有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C23C18/50 文献下载
摘要：本发明属于表面处理技术中一种高抗硫化氢和高耐磨环保型Ni-P-W-Mo四元合金镀液，其每升镀液中各组分含量为：硫酸镍或氯化镍28—35g、次亚磷酸钠35－44g、醋酸钠11－15g、乳酸 8－9ml、DL苹果酸12-15g、丁二酸5-7g、光亮剂0.2-0.4ml、络合剂0.1-0.2ml、稳定剂0.08-0.12ml，余量水。本镀液不仅实现了钨钼四元合金的化学镀，而且所用的材料除主盐外都采用食品添加剂为附盐，无重金属离子污染环境。
环保型高抗硫化氢耐磨 ni mo 合金及其配制方法

[发明专利]半导体激光器二极管封装夹具-CN201110332401.3无效
发明人： 李全宁;仲莉;白一鸣;马晓宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种半导体激光器二极管封装夹具，包括：一插座，为一柱状结构，其侧面相对切出两条V形槽，并在该插座一侧的端面上加工有三个电极插孔；一夹具前座，为金属材质，为板状U形件，在U形件的U形槽内的两侧开有两极台阶，在U形槽的两侧开有用于固定的四个沉孔，该U形槽的底部为弧形；-夹具后座，为金属材质，为一阶梯状的矩形体，分为大端与小端，在该大端的一端面的中心开有一与夹具前座配合使用的孔，在该孔的内壁制作有与插座上的V形槽配合的V形凸起，在孔的四周与夹具前座上的沉孔对应开有四个螺孔；其中该夹具前座由螺钉通过夹具前座上的沉孔与夹具后座上的螺孔固定，所述的插座插入在夹具后座的孔内。
半导体激光器二极管封装夹具

[发明专利]一种用于在光纤侧面均匀蒸镀增透膜的夹具-CN201110062132.3无效
发明人：赵懿昊;李全宁;王翠鸾;刘素萍;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C03C25/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在光纤侧面均匀蒸镀增透膜的夹具，该夹具包括上半部分和下半部分，被该夹具夹持的光纤在镀膜过程中采用公转与自转相结合的形式转动，其中该上半部分与镀膜机的旋转部件相连接，由镀膜机的旋转部件带动该上半部分转动，使该上半部分侧面夹持的光纤围绕该夹具中心转动，形成公转；该下半部分与镀膜机的机体相连接，在该上半部分转动时保持不动，由该下半部分表面的齿轮轨道迫使该上半部分中夹持光纤的部件在随该上半部分转动的同时自身同步转动，形成自转。利用本发明，减少了光纤对此波段激光的反射，提高了光纤对激光器的准直效率，提高了激光器的可靠性。同时该夹具还可用于其他柱状体物体的侧壁镀膜，具有广泛的应用价值。
一种用于光纤侧面均匀增透膜夹具

[发明专利]980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法-CN201110051837.5无效
发明人：高卓;王俊;李全宁;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一镓砷衬底；步骤2：在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层；步骤3：采用光刻技术，在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形；步骤4：在P型帽层上向下刻蚀，形成脊形波导结构，同时在脊形波导结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构，刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面，完成器件的制备。
980 nm 单模波长稳定半导体激光器制备方法

[发明专利]紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法-CN201110001219.X无效
发明人：郑凯;赵懿昊;李全宁;熊聪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法。该辅助检测装置在紫外激光全息光刻系统中增加了一套可见性的激光光路，在确定可见激光波长和紫外激光波长的关系后，通过观察可见激光的干涉条纹来对紫外激光干涉条纹周期进行检测，从而简化了在紫外光全息光刻系统中检测紫外激光干涉条纹的过程，缩短了全息光刻工艺的周期，并降低了光刻工艺的成本。
紫外激光干涉条纹辅助检测装置方法

[发明专利]光纤放大器种子源模块-CN201010106763.6无效
发明人：朱晶;熊聪;李全宁;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：一种光纤放大器种子源模块，包括：一激光器封装盒，一盒盖，盖合于激光器封装盒的开口处；一光纤输出半导体激光器，沿长度方向的一侧面内有两个电极，用于接入电源；一泵浦耦合系统，为圆柱体，该泵浦耦合系统固定在激光器封装盒端面的孔洞内；一热沉，为矩形体，该热沉固定在激光器封装盒内的底部靠近泵浦耦合系统的一侧；一声光调Q开关，为矩形体，该声光调Q开关固定在一热沉上，该热沉固定在激光器封装盒内底部的中间；一调谐架，该调谐架为一L型，该调谐架固定在激光器封装盒内底部，靠近声光调Q开关的另一侧；一光纤耦合器，为椭圆盘状，该光纤耦合器固定在激光器封装盒另一端面的孔洞内。
光纤放大器种子模块

[发明专利]半导体激光器储存盒-CN200910244538.6无效
发明人：刘素平;马骁宇;李全宁;熊聪;张海艳;罗泓;冯小明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：一种半导体激光器储存盒，其中包括：一盒体，为一矩形板体，其上间隔均匀排列有多个热沉仓，该热沉仓的深度小于盒体的厚度，该热沉仓用于激光器热沉的陈放和定位；多个上盖，为一矩形板体，尺寸大于盒体上的热沉仓，在该上盖的一面开有一T形仓盖，该T形仓盖的深度小于上盖的厚度，该多个上盖扣合于盒体上的热沉仓，用于储存盒的密封并压紧器件，使其固定。
半导体激光器储存

[发明专利]半导体激光器储存盒-CN200910244537.1无效
发明人： 李全宁;刘素平;马骁宇;熊聪;张海艳;罗泓;冯小明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：一种半导体激光器储存盒，其中包括：一盒体，为一矩形板，在矩形板上间隔出多个空心长方体热沉仓，该热沉仓用于激光器热沉的陈放和定位；多个上盖，其是与热沉仓配套的长方体板，用于储存盒的密封并压紧热沉，使其固定；所述多个上盖扣合于盒体上的热沉仓。
半导体激光器储存

[发明专利]半导体激光器储存盒-CN200910243746.4无效
发明人： 李全宁;刘素平;马骁宇;熊聪;张海艳;罗泓;冯小明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：一种半导体激光器储存盒，包括：一L型底座，其断面为L形，在L型底座较宽的一内面与断面平行，均匀挖出多个V型斜面托，并在V型斜面托之间凸起部的前后两端开出贯通的矩形槽，该V型斜面托用于激光器热沉的置放和定位；L型底座较窄的一面为底座挡板；一L型顶盖，其断面为L形，该L型顶盖与L型底座配套，在较宽的一内面均匀挖出多个V型斜面凹槽，并在V型斜面凹槽前后两端开出V型槽，该V型槽的宽度和深度大于V型斜面凹槽的宽度和深度；在L型顶盖中较窄的一面开有与V型斜面托数量相等的固定螺孔；所述L型顶盖扣合于L型底座。
半导体激光器储存

[发明专利]晶圆表面脱液处理装置-CN200910242752.8无效
发明人：马骁宇;刘素平;李全宁;熊聪;张海艳;罗泓;冯小明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种晶圆表面脱液处理装置，其特征在于，其中包括：一卡口部，为空心柱体，其一端沿柱体的中心横向开有一贯通的矩形凹槽，该卡口部用于与其他高速离心旋转装置接合；一晶圆托，为盘状，一面为凸起部，另一面为凹部，该晶圆托的凸起部的中心与卡口部的未开有矩形凹槽的一端固接，该晶圆托用于放置晶圆。
表面处理装置

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