专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体晶圆的连续处理装置及方法-CN201480004276.5在审
  • 李元求;徐现模;安贤焕;柳守烈;崔宇鎭 - 系统科技公司
  • 2014-01-07 - 2015-09-16 - H01L21/677
  • 本发明涉及半导体晶圆的连续处理装置及方法,本发明的半导体晶圆的连续处理装置包括通过多个工序处理晶圆的多个腔室,所述多个腔室中一个以上的腔室包括:基座,为工序过程中支撑晶圆而固定设置;下部机壳,固定设置在所述基座的外侧,在所述晶圆的下部形成隔离的工序空间;上部机壳,为形成所述晶圆的上部隔离的工序空间而上下移动;转盘,在所述上部机壳与下部机壳之间形成,并形成露出所述基座上部的孔,因所述多个腔室之间移送所述晶圆而旋转,在所述基座的上部使所述晶圆上下移动;安放环,插入所述孔的上方并能脱离,安放所述晶圆。因此,能够简单化装置的结构,具有减少电力消耗的效果。
  • 半导体连续处理装置方法
  • [发明专利]半导体晶圆的连续处理方法-CN201480004275.0在审
  • 李元求;徐现模;安贤焕;柳守烈;崔宇鎭 - 系统科技公司
  • 2014-01-07 - 2015-09-09 - H01L21/02
  • 本发明涉及半导体晶圆的连续处理方法,根据具备多个腔室,并具备围绕所述腔室外部的外部机体的装置,处理晶圆的半导体晶圆连续处理方法,包括:第1阶段,所述多个腔室由第1至第5腔室构成,在所述第1腔室装载晶圆后,注入惰性气体进行净化;第2阶段,移送完成所述第1阶段的所述晶圆至第2腔室,在所述第2腔室内部注入工序气体后,加热晶圆;第3阶段,移送完成所述第2阶段的所述晶圆至第3腔室,在所述第3腔室内部注入工序气体后,加热晶圆;第4阶段,移送完成所述第3阶段的所述晶圆至第4腔室,所述第4腔室的内部在大气压以下的压力状态,加热所述晶圆;第5阶段,移送完成所述第4阶段的所述晶圆至第5腔室,在所述第5腔室的内部注入工序气体后,加热晶圆;第6阶段,移送完成所述第5阶段的所述晶圆至第1腔室,冷却所述晶圆后卸载至外部,使其他晶圆装载至在所述第1腔室。本发明为了使半导体连续处理装置的回流装置的工作站个数减少,将工序阶段单纯化,进而具有缩减工序时间提高生产,并且缩减回流装置的大小且节减费用的效果。
  • 半导体连续处理方法

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