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[发明专利]一种功率半导体模块结温在线评估方法及装置-CN202211536414.7在审
发明人：何鑫;李伟邦;董志意;花清源;胡小刚;王红波 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块结温在线评估方法及装置，属于电子器件电学和热学测量技术领域，方法包括：记录温度传感器处的瞬态温升曲线；记录芯片处的瞬态温降曲线；将芯片处的瞬态温降曲线转化为芯片处的瞬态温升曲线；根据芯片处的瞬态温升曲线和温度传感器处的瞬态温升曲线，计算芯片到温度传感器的瞬态热阻；根据预构建的热阻热容网络FOSTER模型，对芯片到温度传感器的瞬态热阻进行拟合，以获取芯片到温度传感器的瞬态热阻曲线；根据芯片到温度传感器的瞬态热阻曲线，计算芯片到温度传感器的脉冲热阻；根据芯片到温度传感器的脉冲热阻，计算功率半导体模块的结温。本发明通过芯片到温度传感器的脉冲热阻，能够计算功率半导体模块的结温。
一种功率半导体模块在线评估方法装置

[实用新型]一种适用于功率器件的可靠性测试电路-CN202222519041.4有效
发明人：董志意;胡小刚;李伟邦;王天文;花清源 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本实用新型利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。
一种适用于功率器件可靠性测试电路

[发明专利]一种功率器件的HTRB可靠性测试装置及方法-CN202211207969.7在审
发明人：晁武杰;邓超平;董志意;李伟邦;胡小刚;王天文;徐宏武 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的HTRB可靠性测试装置及方法，包括主测试电路、IGBT控制电路和采样保护电路，主测试电路包括被测功率器件、漏电流检测电阻、连接漏电流检测电阻的第一电压表、IGBT控制开关和电压源，采样保护电路的一端连接第一电压表，采样保护电路的另一端连接IGBT控制电路的一端，IGBT控制电路的另一端连接IGBT控制开关；通过采样保护电路采集与被测功率器件相连的漏电流检测电阻的电压，根据电压大小通过IGBT控制电路生成IGBT控制驱动信号，进而控制IGBT控制开关开通或关断，进行HTRB可靠性测试。本发明能够模拟功率器件的实际工况方式，实现更高效、更可靠的测试。
一种功率器件 htrb 可靠性测试装置方法

[发明专利]一种适用于功率器件的可靠性测试电路及方法-CN202211170388.0在审
发明人：董志意;胡小刚;李伟邦;王天文;花清源 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路及方法，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本发明利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。
一种适用于功率器件可靠性测试电路方法

[发明专利]一种全封闭式IGBT沟槽栅结构-CN201911043146.3有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶;黄全全 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种全封闭式IGBT沟槽栅结构，包括若干个排布的元胞区，元胞区包括两条相邻的有源沟槽，两条相邻的有源沟槽两端分别通过有源沟槽桥连形成第一封闭结构，第一封闭结构内具有两条相邻的虚拟沟槽，两条相邻的虚拟沟槽两端分别通过虚拟沟槽桥连形成第二封闭结构，第二封闭结构内形成浮空P阱区，将有源沟槽和虚拟沟槽分别设置为封闭结构，避免了单个尖端结构导致的电场集中问题，优化器件的性能，同时将虚拟沟槽设置为封闭结构，实现了虚拟沟槽内部浮空区的绝对浮空，增大了浮空区的空穴沿沟槽方向移动并从发射极排出的难度，使发射极与浮空区之间的电阻无穷大，抑制了浮空区电势因空穴排出而升高，避免引起输出曲线振荡，抑制IGBT的EMI噪声。
一种封闭式 igbt 沟槽结构

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管-CN201910644272.8有效
发明人：李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种绝缘栅双极型晶体管，旨在解决如何更加灵活地调整导通压降与关断损耗的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下，更好地优化开关损耗的技术问题。所述器件顶面开设有若干间隔分布的有源沟槽区和虚拟沟槽区，所述有源沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的有源沟槽，所述P型阱区包括不少于一个被有源沟槽和桥连隔离形成的电位浮空的第二P型阱区，所述介质层开设有若干接触窗口，所述P型阱区还包括通过接触窗口与金属发射极导通连接的第一P型阱区。
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种IGBT器件结构-CN201910643939.2有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种IGBT器件结构，旨在解决现有技术中采用虚拟沟槽栅结构的IGBT器件关断时，沟槽区域下方积累的载流子浓度过低，导致器件的通态压降无法降低，以及随着虚拟沟槽的宽度被设计得越来越窄，增加了从虚拟沟槽多晶硅中间开出接触窗口难度的技术问题。所述器件顶面向下开设有若干间隔分布的有源沟槽和虚拟沟槽区，所述虚拟沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的虚拟沟槽，所述介质层开设有接触窗口，所述P型阱区包括通过接触窗口与金属发射极连接的第一P型阱区和处于电位浮空状态的第二P型阱区。
一种 igbt 器件结构

[发明专利]一种IGBT栅极总线结构-CN202010557347.1有效
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT栅极总线结构，包括衬底，沿衬底上表面一端从外到内依次设置的场氧化层和栅极多晶硅，场氧化层和栅极多晶硅之间留有空隙；还包括介质层，介质层覆盖于衬底的整个上表面以及场氧化层和栅极多晶硅的上表面，栅极多晶硅上表面的介质层内开设有栅极接触孔；使得栅极多晶硅的上表面避免出现台阶和不平整，当在栅极多晶硅上表面的介质层内刻蚀栅极接触孔时，不再受栅极多晶硅上表面不平整的影响，能够刻蚀出完整的栅极接触孔。
一种 igbt 栅极总线结构

[实用新型]一种柴机油滤芯器扳手-CN202120429424.5有效
发明人： 李伟邦 -专利权人： 李伟邦
申请日： 2021-02-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柴机油滤芯器扳手，包括主杆，所述主杆的一端设有限位孔，主杆远离限位孔的一端设有加力孔，限位孔内安装有固定头，固定头内部设有穿带孔，穿带孔内部安装有固定带。本实用新型与现有技术相比的优点在于：更加节省空间，使用固定带进行缠绕锁紧，能够避免传统的柴油机扳手机械锁紧结构占用空间大的问题，在日常的使用过程中更加方便，而且锁紧效果也很好，利用固定带表面的摩擦力进行锁紧，还有固定头进行限位，可以将滤清器旋紧拆下，使用起来十分方便。
一种机油滤芯器扳手

[实用新型]一种IGBT沟槽栅排布结构-CN202023214251.X有效
发明人：叶枫叶;李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。
一种 igbt 沟槽排布结构

[发明专利]一种IGBT沟槽栅排布结构-CN202011578704.9在审
发明人：叶枫叶;李宇柱;郑婷婷;李伟邦;骆健;董长城 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。
一种 igbt 沟槽排布结构

[发明专利]一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构-CN202010557333.X在审
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L20；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整的接触窗口，另外接触窗口避开了虚拟沟槽的末端，使得刻蚀接触窗口时不会出现破坏虚拟沟槽结构的情况。
一种沟槽 igbt 芯片有源边缘结构

[发明专利]一种IGBT沟槽栅末端结构-CN201911043605.8在审
发明人：郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶;黄全全 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT沟槽栅末端结构，包括衬底、虚拟沟槽区、多晶硅块、介质层、接触窗口、发射极金属层。虚拟沟槽区设于衬底端面上，虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽，虚拟沟槽内填充有多晶硅，多晶硅块设于衬底端面上，用于并联虚拟沟槽区内的虚拟沟槽，介质层覆设于衬底端面上，且多晶硅块位于衬底与介质层之间，接触窗口贯穿介质层并延伸至多晶硅块上，接触窗口中填充有导体，发射极金属层覆设于介质层外表面，并通过接触窗口中的导体使得位于介质层上方的发射极金属层和介质层下方的多晶硅块及虚拟沟槽相连。由于采用添加多晶硅块并直接在多晶硅块上方开接触窗口保证了足够的接触面积，使得电场更加分散，增加了门极击穿电压。
一种 igbt 沟槽末端结构

[发明专利]一种虚拟沟槽栅结构-CN201811326034.4在审
发明人： 李伟邦;骆健;李宇柱;董长城;郑婷婷 -专利权人：国电南瑞科技股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种虚拟沟槽栅结构，包括沟槽，沟槽内表面设有栅氧化层，其特征在于，所述沟槽内设有设有栅电极，所述栅电极包括连接的第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，所述第一栅电极为依次连接的折线，第一栅电极和第二栅电极的宽度相等。通过第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，基于减小连接顶点外切圆半径的原则提供一种实现P浮空区的连接栅电极结构，解决现有技术中工艺实现困难，达到了当沟槽多晶硅淀积时不易产生凹口，沟槽多晶硅淀积均匀，提高多晶硅填充质量和器件性能的有益效果。
栅电极等边三角形沟槽多晶硅沟槽栅结构淀积虚拟多晶硅填充沟槽内表面折线电极结构工艺实现宽度相等器件性能依次连接栅氧化层连接栅外切圆凹口浮空减小栅电

[发明专利]一种应用于IGBT器件直接串联H桥组件的测试平台-CN201711039218.8在审
发明人： 李伟邦;侯凯;骆健;何安然;蒋应伟;王志刚;董长城;黄绍真;隗华荣 -专利权人：南京南瑞集团公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于IGBT器件直接串联H桥组件的测试平台，属于电力电子技术领域。本发明包括依次并柜连接的控制单元柜、调压器柜、变压器柜、整流柜、电容器柜、H桥组件柜、负载柜和安全放电柜。本发明电路简单、布置简洁、方法可靠、搭建容易，适合在研发初期对样品的快速验证，可以测试大电流下H桥组件的电应力情况，有功损耗主要为器件损耗，损耗小。
测试平台直接串联电力电子技术领域控制单元柜安全放电变压器柜电容器柜器件损耗有功损耗大电流电应力调压器负载柜整流柜并柜研发应用电路验证测试

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