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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310252705.1在审
  • 金东洙;权世汉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2023-03-07 - 2023-09-12 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：沟槽，其形成在衬底中；栅电介质层，其覆盖沟槽的侧壁和底表面；第一栅电极，其间隙填充在栅电介质层之上的沟槽的底部；第二栅电极，其在第一栅电极之上包括与第一栅电极相同的金属氮化物，并掺杂有低功函数调整元素；缓冲层，其覆盖第二栅电极的顶表面和暴露在第二栅电极之上的栅电介质层；以及覆盖层，其间隙填充在缓冲层之上的沟槽的另一部分。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110198188.5在审
  • 权世汉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-02-22 - 2022-01-11 - H01L23/538
  • 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，其通过排除储存节点与储存节点接触插塞之间的连接结构来确保储存节点与储存节点接触插塞之间的重叠裕度以及加工裕度。半导体器件包括：设置在位线结构之间的储存节点接触孔；填充储存节点接触孔的下部的第一插塞；从第一插塞突出的第二插塞；覆盖第二插塞的侧壁的绝缘层间隔物；以及位于比第二插塞高的水平处并且包括与第二插塞的另一侧壁和第一插塞的顶表面的一部分接触的延伸部的储存节点。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110053807.1在审
  • 权世汉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-01-15 - 2022-01-04 - H01L27/108
  • 本发明涉及半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，其包括存储单元区域和外围电路区域，所述外围电路区域包括具有第一晶体管的第一外围电路区域和具有第二晶体管的第二外围电路区域；储存节点接触插塞，其位于在所述存储单元区域中所述衬底的上部；着陆垫，其在所述储存节点接触插塞上方；第一金属线，其与所述第一晶体管耦接；以及第二金属线，其与所述第二晶体管耦接，其中，所述着陆垫的厚度和所述第一金属线的厚度小于所述第二金属线的厚度。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]具有线型气隙的半导体器件及其制造方法-CN201410802272.3有效
  • 黄昌渊;姜相吉;赵日熙;朴大植;朴海中;权世汉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2014-12-19 - 2019-06-25 - H01L21/768
  • 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成第一层间电介质层；通过刻蚀第一层间电介质层形成第一接触孔；形成填充第一接触孔的初步第一导电插塞；在初步第一导电插塞之上形成包括位线的位线结构；通过刻蚀初步第一导电插塞来形成第一导电插塞，使得在第一接触孔的侧壁和第一导电插塞之间形成间隙；在间隙中形成绝缘插塞；形成包括牺牲间隔件且从绝缘插塞的上部之上延伸至位线结构的侧壁之上的多层间隔件；形成与位线结构和第一导电插塞相邻的第二导电插塞，多层间隔件和绝缘插塞位于位线结构和第一导电插塞与第二导电插塞之间；以及通过去除牺牲间隔件在多层间隔件内形成线型气隙。
  • 具有线型半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201280068309.3有效
  • 权世汉 - LG伊诺特有限公司
  • 2012-11-27 - 2017-12-08 - H01L31/048
  • 公开了一种太阳能电池模块及其制造方法。该太阳能电池模块包括太阳能电池板；在所述太阳能电池板上的保护基板；在所述太阳能电池板和所述保护基板之间的缓冲部分；围绕所述太阳能电池板并且在其中容纳所述太阳能电池板的框架；以及在所述太阳能电池板与所述框架之间的密封部分；其中，密封部分从所述缓冲部分延伸。该太阳能电池模块的制造方法包括以下步骤制备太阳能电池板；制备在所述太阳能电池上的保护基板；制备太阳能电池板和保护基板之间的填充物；安置容纳所述太阳能电池和所述保护基板的框架；以及层压所述填充物，其中层压所述填充物在安置所述框架后进行。
  • 太阳能电池模块及其制造方法
  • [发明专利]连接器以及包括该连接器的太阳能电池模块-CN201280070656.X有效
  • 权世汉;裵道园 - LG伊诺特有限公司
  • 2012-12-21 - 2017-10-24 - H01R31/06
  • 本发明公开了一种连接器及包括该连接器的太阳能电池模块。所述连接器包括主体以及容纳在所述主体中的连接部件。所述太阳能电池模块包括多个太阳能电池模块；使所述太阳能电池模块相互连接的电缆及位于所述电缆端部的连接器。所述太阳能电池模块包括第一太阳能电池模块，包括第一电缆和第一连接器；以及第二太阳能电池模块，包括第二电缆和第二连接器。所述第一连接器包括第一主体；容纳在所述第一主体中的第一连接部件；第一固定部件及位于所述第一连接部件中的第一‑第一槽和第一‑第二槽。所述第二连接器包括第二主体；容纳在所述第二主体中的第二连接部件；第二固定部件及位于所述第二连接部件中的第二‑第一槽和第二‑第二槽。
  • 连接器以及包括太阳能电池模块
  • [发明专利]太阳能电池设备及其制造方法-CN201280068291.7有效
  • 权世汉;朴智鸿;裵道园 - LG伊诺特有限公司
  • 2012-11-26 - 2017-09-05 - H01L31/042
  • 公开了一种太阳能电池设备及其制造方法。所述太阳能电池设备包括基板；在所述基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的前电极层；总线，所述总线设置在所述光吸收层旁边同时连接到所述背电极层；以及，包围所述总线的导电部分。所述方法包括在基板上形成背电极层；在所述背电极层上形成总线；在所述背电极层上的所述总线旁边形成光吸收层；以及，在所述光吸收层上形成前电极层。在形成所述总线的步骤中导电部分包围所述总线。
  • 太阳能电池设备及其制造方法
  • [发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201380029547.8有效
  • 权世汉 - LG伊诺特有限公司
  • 2013-06-05 - 2017-02-22 - H01L31/18
  • 根据一个实施方案的太阳能电池包括基础衬底；形成在基础衬底上的背电极层；形成在背电极层上的光吸收层；形成在光吸收层上的缓冲层；形成在缓冲层上的高电阻缓冲层；以及形成在高电阻缓冲层上的前电极层。孔穿过光吸收层和缓冲层。根据一个实施方案的用于制造太阳能电池的方法包括在衬底上形成背电极层的步骤；在背电极层上形成光吸收层的步骤；在光吸收层上形成缓冲层的步骤；对缓冲层的一部分进行蚀刻的步骤；以及在缓冲层上形成前电极层的步骤。
  • 太阳能电池及其制造方法
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