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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括接触虚设沟道结构的接触结构的半导体器件-CN201910836005.0有效
发明人：朴株院;朴庆晋;金光洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供一种半导体器件。该半导体器件包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个电极层交替地堆叠在基板上。半导体器件包括穿过堆叠结构的多个虚设沟道结构。此外，半导体器件包括接触结构，该接触结构与所述多个虚设沟道结构中的与其相邻的至少一个接触，并与所述多个电极层中的一个接触。
包括接触虚设沟道结构半导体器件

[发明专利]包括栅极的半导体器件-CN201810784256.4有效
发明人：具池谋;朴庆晋;朴玄睦;李秉一;李晫;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
包括栅极半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统-CN202110940284.2在审
发明人：金江旻;朴庆晋;李璱智;李惠珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法以及包括半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括：栅极堆叠，所述栅极堆叠在衬底上，在第一方向上彼此间隔开，并且包括交替地堆叠的电极和单元绝缘层；分离结构，在栅极堆叠之间并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；竖直结构，穿透栅极堆叠并且在竖直结构的上部上具有导电焊盘；支撑结构，在栅极堆叠上；位线，在支撑结构上；以及接触插塞，穿透支撑结构并且将位线电连接到竖直结构。支撑结构在分离结构上的部分的底表面可以低于导电焊盘的顶表面。
半导体器件及其制造方法以及包括电子系统

[发明专利]包括栅极的半导体器件-CN202011037677.4有效
发明人：具池谋;朴庆晋;朴玄睦;李秉一;李晫;车俊昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
包括栅极半导体器件

[实用新型]竖直存储器装置-CN202120714645.7有效
发明人：申载勋;金江旻;朴庆晋;宋承砇;申重植;林根元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和穿通孔。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。穿通孔在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。
竖直存储器装置

[发明专利]竖直存储器装置-CN202110378061.1在审
发明人：申载勋;金江旻;朴庆晋;宋承砇;申重植;林根元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和贯通件。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。贯通件在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。
竖直存储器装置

[发明专利]垂直型存储器装置-CN201910763298.4在审
发明人：朴株院;朴庆晋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：多个栅电极层，彼此分隔开并堆叠在基底上，并且在第一方向上以不同长度延伸且形成阶梯结构；第一层间绝缘层，覆盖所述多个栅电极层的阶梯结构；以及多个栅极接触插塞，贯穿第一层间绝缘层并且分别接触栅电极层。所述多个栅电极层包括与基底相邻设置的下栅电极层和设置在下栅电极层上的上栅电极层，使得下栅电极层位于基底与上栅电极层之间。所述多个栅极接触插塞包括连接到下栅电极层的下栅极接触插塞和连接到上栅电极层的上栅极接触插塞。上栅极接触插塞具有设置在比下栅极接触插塞的顶表面的高度高的高度处的最顶部部分。
垂直存储器装置

[发明专利]制造具有含有多个沟槽的结构图案的半导体器件的方法-CN201910130971.0在审
发明人：林根元;李明根;白石千;朴庆晋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成基底层。在基底层上形成结构层。该结构层包括至少一个材料层。在基底层上形成结构图案。结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽。第二沟槽连接到第一沟槽。该结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在第二沟槽的交叉部分处从基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。
结构图案基底层半导体器件基底图案结构层沟槽连接向下凹陷材料层凹陷延伸衬底制造垂直

[发明专利]半导体存储器件-CN201910275755.5在审
发明人： 朴庆晋;姜书求;曹权纯;金森宏治 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件，包括：位于第一衬底上的外围电路结构；位于所述外围电路结构上的第二衬底；位于所述第二衬底上并且包括多个栅电极的堆叠结构；穿透所述堆叠结构和所述第二衬底的贯穿电介质图案；以及位于所述第二衬底的顶表面上的垂直支撑件，所述垂直支撑件从所述第二衬底的顶表面垂直延伸并穿透所述堆叠结构和所述贯穿电介质图案。
衬底堆叠结构半导体存储器件垂直支撑件电介质图案外围电路顶表面穿透栅电极贯穿

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201811541493.4在审
发明人：洪祥准;朴庆晋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供了三维半导体存储器件。一种半导体存储器件包括单元阵列区，该单元阵列区包括堆叠结构和在堆叠结构之间延伸的字线切割区。此外，半导体存储器件包括与单元阵列区成堆叠并包括支撑结构的外围电路区。
单元阵列区三维半导体存储器半导体存储器件堆叠结构外围电路区支撑结构线切割延伸

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