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[外观设计]宣传牌（数字媒体用）-CN202330238086.1有效
发明人：刘琴琴;王哲;朱美洁;崔冰清 -专利权人：南通理工学院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： 20-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：宣传牌（数字媒体用）。2.本外观设计产品的用途：用于显示宣传信息。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
宣传数字媒体

[发明专利]一种基于外加电场辅助的二维材料制备技术-CN202210030632.7在审
发明人：陈珊珊;刘雯雨;朱美洁 -专利权人：中国人民大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种外电场辅助制备二维材料的设备和制备方法，电场辅助管式炉设备结构包含：管式炉，腔体，电极片、金属杆、支撑装置、真空连接器法兰、水冷装置和源表。所述金属杆为两根，分别与两片电极片连接，电极片的位置和角度可以通过金属杆进行调节；所述金属杆通过真空连接器法兰贯穿管式炉腔体内外，处于管式炉内的两根金属杆通过支撑装置悬空于腔体内；所述处于管式炉外的两根金属杆连接外加源表用于施加电场，电场极性通过电源正负极可以调控；所述处于管式炉外的金属杆两端连接水冷装置用于散热。在二维材料制备过程中，施加外部电场，通过对电场极性、大小、方向等调控，实现二维材料的厚度、堆垛结构和均匀性可控。
一种基于外加电场辅助二维材料制备技术

[发明专利]一种天然氨基酸导向的多肽C(sp3-CN202110527650.1在审
发明人：翁意意;蔡梦薇;陈卓;朱美洁 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C07K1/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种天然氨基酸导向的多肽C(sp3)–H键的芳基化或炔基化修饰方法，方法为：在氧化剂、催化剂、添加剂以及溶剂存在的条件下，以式(III)或者式(IV)所示化合物作为修饰原料，对式(I)或式(II)化合物中的丙氨酸侧链分别进行C(sp3)–H键的芳基化或炔基化修饰。本发明的方法能够合成一系列含荧光标记的丙氨酸的多肽衍生物、含侧链经修饰的酪氨酸的多肽衍生物、含侧链经修饰的苯丙氨酸的多肽衍生物，以及一系列含炔基修饰的丙氨酸的多肽衍生物。本发明具有无需预先引入和后续脱除导向基团，原子经济性和步态经济型高，条件温和，底物适用性范围广，不受氨基酸构型影响等优点，是一种具有较好推广前景的多肽修饰方法。
一种天然氨基酸导向多肽 sp base sup

[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途-CN201910666944.5有效
发明人：冯晴亮;朱美洁;李萌;郑建邦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：(1)在加热装置中，沿着气流方向依次放置硫族单质源和过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的表面覆盖有分子筛；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述加热装置中通入保护性气体，升温至所述过渡金属氧化物源的温度达到化学气相沉积温度、硫族单质源的温度达到单质挥发温度，进行化学气相沉积，得到所述二维过渡金属硫族化合物晶体。通过本发明的方法能够制备得到大面积、均匀的单层或多层二维过渡金属硫族化合物晶体，能够用于偏振光电探测或拓扑场效应晶体管。
一种二维过渡金属化合物晶体及其制备方法用途

[发明专利]胆红素响应电极及其制备方法、包含其的胆红素检测器和使用方法-CN201811115535.8有效
发明人：冯晴亮;朱美洁;刘宏燕;郑建邦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种胆红素响应电极，所述电极包括电极本体，所述电极本体吸附有石墨烯复合材料、生物兼容性材料和胆红素特异性识别酶；所述石墨烯复合材料包括四硫富瓦烯衍生物和分散在所述四硫富瓦烯衍生物中的石墨烯；所述四硫富瓦烯衍生物具有式(I)的结构。本发明设计了一种胆红素响应电极，其利用胆红素氧化酶与胆红素结合发生反应后电信号的变化，获取胆红素的含量数据，响应时间短。
胆红素响应电极及其制备方法包含检测器使用方法

[发明专利]一种指认二维各向异性晶体的晶轴和晶界的方法-CN201910774153.4在审
发明人：郑建邦;李萌;朱美洁;冯晴亮 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种指认二维各向异性晶体的晶轴和晶界的方法，采用单偏光系统与旋转样品相结合研究各向异性晶体的方法，即角分辨偏振光学显微镜(ARPOM)成像法，通过观察不同旋转角度的光学照片的明/暗变化指认晶界，通过绘制衬度值随旋转角度变化的极坐标图指认晶轴，该方法能够快速、准确的指认二维各向异性晶体的晶轴和晶界，且可以保证视野中的光亮度不受其他因素的干扰，同时也解决了光学系统中二向色镜等对不同偏振光响应差异的问题，且不会对样品造成损伤。
各向异性晶体晶界晶轴二维偏振光偏振光学显微镜二向色镜光学系统光学照片极坐标图角度变化成像法单偏光角分辨衬度损伤绘制视野响应观察保证研究

[发明专利]一种二硫化物单晶及其制备方法和用途-CN201811324860.5在审
发明人：郑建邦;朱美洁;赵耀华;冯晴亮 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化物单晶及其制备方法和用途，所述制备方法包括：(1)在中部具有加热装置的管式炉中，沿气流的方向，分别在距离管式炉进气端距离占管式炉总长度的25～35％处和45～55％处放置硫族单质源和混有氯化钠的过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述管式炉中通入保护性气体，然后将管式炉升温至化学气相沉积的温度进行化学气相沉积。通过所述方法得到高结晶质量、超大晶畴尺寸的二硫化物单晶。所述二硫化物单晶应用于纳米器件、光学器件和片上激光器中的任意一种或至少两种组合。
管式炉二硫化物单晶制备过渡金属氧化物化学气相沉积氯化钠保护性气体光学器件加热装置纳米器件上激光器高结晶进气端生长基单质晶畴硫族应用

[发明专利]一种少层黑磷稳定剂、少层黑磷分散液的制备方法及用途-CN201810225876.4在审
发明人：冯晴亮;刘宏燕;朱美洁;郑建邦 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C01B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种少层黑磷稳定剂，所述少层黑磷稳定剂为由阳离子单体均聚或共聚得到的阳离子聚合物。本发明提供了一种少层黑磷稳定剂，能够将少层黑磷钝化，降低其与氧气的反应活性，能够至少在17天以内保持氧化磷与磷单质的比值在0.17以下；本发明提供的少层黑磷的制备方法利用少层黑磷稳定剂，将从块体黑磷上超声剥离的少层黑磷稳定在溶液中，通过离心得到少层黑磷分散液，其中少层黑磷的片层二维尺寸能够控制在1～2μm，层数在1～10层，并可以进一步通过离心的速率控制获得少层黑磷的层数。
黑磷少层稳定剂分散液制备阳离子聚合物阳离子单体超声剥离反应活性速率控制氧化磷共聚单质钝化二维均聚块体片层氧气

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