专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]大功率红外LED芯片电极结构-CN201520986197.0有效
  • 叶建青;朱源发;万金平;何民华;蒋振华;刘慧军 - 江西联创光电科技股份有限公司
  • 2015-12-03 - 2016-04-06 - H01L33/38
  • 一种大功率红外LED芯片电极结构,其特征在于,十字架电极位于中部,十字架电极的端部与圆环电极相交,十字架电极其中一直线上的两端部分别与正方形电极连接,另一直线上的两端部通过连接片电极分别与圆弧电极中部相连,圆环电极与圆弧电极同心,正方形电极的外侧与矩形电极的中部连接。本实用新型的大功率红外LED芯片电极结构,设计了一种具有特定形状的电极结构,当采用此一电极结构制作LED芯片后,一方面可以满足大功率红外LED芯片在电流均匀扩展方面的要求,又同时尽量减少电极结构对于LED芯片发光的影响,符合使大功率红外LED芯片整体均匀、高效发光的要求。
  • 大功率红外led芯片电极结构
  • [发明专利]发光二极管-CN200810303373.0无效
  • 朱源发;江文章 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
  • 2008-08-04 - 2010-02-10 - H01L25/075
  • 本发明涉及一种发光二极管,其包括一个第一电极,一个与该第一电极并列设置且极性相反的第二电极,至少一个第一发光芯片,至少一个第二发光芯片以及一个封装体。该至少一个第一发光芯片与该第一电极及该第二电极电性连接以用于射出具有第一波长的第一光束。该至少一个第二发光芯片与该第一电极及该第二电极电性连接以用于射出具有第二波长的第二光束,该第二波长的范围为570~670纳米。该封装体设置在该第一电极及第二电极上且将该至少一个第一发光芯片与该至少一个第二发光芯片包覆在其中。该封装体内掺杂有荧光物质,该荧光物质经由该第一光束激发以产生白光,该第二光束用以调节该白光的色温。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN200710201469.1无效
  • 朱源发;江文章 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
  • 2007-08-24 - 2009-02-25 - H01L25/075
  • 本发明涉及一种发光二极管。所述发光二极管包括:一基座;一第一电极及与所述第一电极极性相反的第二电极,所述第一电极与第二电极均安装在所述基座上,所述发光二极管还包括至少一第一发光二极管芯片及至少一第二发光二极管芯片以及一封装体,所述封装体内局部掺杂有荧光物质,所述至少一第一芯片用于射出第一波长的光以激发所述荧光物质产生白光,所述至少一第二芯片用于射出第二波长的光以调节所述白光的色温,所述第二波长的范围为570~670纳米,所述至少一第一发光二极管芯片及至少一第二发光二极管芯片由所述第一电极与第二电极向其提供电能。
  • 发光二极管
  • [发明专利]室外灯具-CN200710201346.8无效
  • 朱源发;江文章;徐弘光 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
  • 2007-08-13 - 2009-02-18 - F21V15/02
  • 本发明涉及一种具有防水防尘功能的室外灯具,所述室外灯具包括一个灯壳,一个灯罩及至少一发光元件;所述灯壳与所述灯罩相接合以形成一接合平面,所述灯壳包括相连接的一第一表面及一第二表面,所述第一表面任意一点上的切线所在平面与所述接合平面具有一第一夹角,所述第二表面任意一点上的切线所在平面与所述接合平面具有一第二夹角,所述第一夹角与所述第二夹角分别小于171.5度,所述第一表面与第二表面上形成有一第一疏水膜层;所述灯罩包括一第三表面,所述第二表面位于所述第一表面及所述第三表面之间,所述第三表面上形成有一第二透明疏水膜层,所述灯罩与所述灯壳相互配合形成一收容腔;所述至少一发光元件收容于所述收容腔内。
  • 室外灯具
  • [发明专利]半导体发光元件-CN200710200755.6无效
  • 朱源发 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
  • 2007-06-04 - 2008-12-10 - H01L33/00
  • 一种半导体发光元件,其包括基底,形成在基底上且包括一第一型半导体层和一第二型半导体层的半导体发光结构,及极性相反的第一电极和第二电极;所述第一电极与第二电极分别与第一型半导体电连接和第二型半导体电连接;所述第二电极包括一透光导电层以及一与所述透光导电层电接触的图案化金属导电层,且所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积和为透光导电层所在区域之面积的80%及以上。由于透光导电层具透光及阻抗较低的特性,且所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积总和为透明导电层所在区域之面积的80%及以上,其利于电流横向扩散进而可获得较佳发光效率。
  • 半导体发光元件
  • [发明专利]高亮度发光二极管-CN200710074802.7无效
  • 朱源发 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
  • 2007-06-01 - 2008-12-03 - H01L33/00
  • 一种高亮度发光二极管,其包括:一基底,一第一电极、一半导体发光结构、一第二电极、以及第三电极、粘着材料层及第四电极。所述第一电极位于所述基底的一第一侧;一所述半导体发光结构位于所述基底的一与第一侧相对的第二侧;所述第二电极位于所述半导体发光结构的远离所述基底的一侧;所述第三电极、粘着材料层及第四电极位于所述基底与所述半导体发光结构之间,所述粘着材料层位于第三电极与第四电极之间,所述第三电极与第四电极分别邻近基底与半导体发光结构设置。该高亮度发光二极管在制作过程中采用粘着材料层贴合晶片,避免了长时间高温处理对发光二极管磊晶结构造成的不良影响,其制程良率较佳。
  • 亮度发光二极管
  • [发明专利]触控式显示装置-CN200710074585.1无效
  • 郭崑生;朱源发 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
  • 2007-05-25 - 2008-11-26 - G06F3/042
  • 本发明涉及一种触控式显示装置,其包括:一个触控屏幕,用于供使用者触摸以产生触摸点,同时对所述触摸点进行侦测以发送表征所述触摸点位置的侦测信号;一个LED阵列基板,所述LED阵列基板包括多个发光二极管,且所述每个发光二极管分别对应于一个象素点;以及一个控制单元,用于接收所述侦测信号并计算得到所述触摸点的位置坐标,并驱动LED阵列基板上与所述触摸点所包含的象素点相对应的发光二极管发光以形成显示内容。所述触控式显示装置通过设置触控屏幕侦测触摸点以产生侦测信号,并经由设置控制单元计算得到该触摸点的位置坐标,同时驱动与该触摸点所包含的象素点相对应的发光二极管发光而形成显示内容,其操作简单快捷,可广泛应用于多种场合。
  • 触控式显示装置

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