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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造显示装置的设备-CN201610011946.7有效
发明人：车裕敏;尹相皓;朱星中 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：公开了一种用于制造显示装置的设备，所述设备包括：装载室，构造成从外部接收基板；传送室，连接到装载室并且包括构造成输送基板的机械手臂；沉积室，连接到传送室并且构造成在基板从传送室输送到沉积室之后将沉积材料沉积到基板上；掩模供给室，连接到沉积室并构造成向沉积室供给堆叠在掩模供给室中的多个掩模中的一个；以及站，连接到掩模供给室并且构造成向掩模供给室逐个地供给所述多个掩模。
制造显示装置设备

[发明专利]沉积装置和制造有机发光二极管显示器的方法-CN201410133769.0有效
发明人： 朱星中;车裕敏;朴锡焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种沉积装置和制造有机发光二极管显示器的方法，该沉积装置包括：沉积室；多个基底支架，包括被配置为将基底维持在沉积室中的第一基底位置的第一支架和被配置为将另一基底维持在沉积室中的第二基底位置的第二支架；沉积源，被设置在沉积室中，并被配置为供应沉积材料以涂覆到放置在第一和第二基底位置的基底上；沉积源传送机构，被配置为在第一方向上移动沉积源以与第一和第二基底中的一个相对；以及基底传送机构，被配置为在第二方向上将基底传送到第一基底位置或者从第一基底位置传送，并进一步被配置为在第二方向上将另一基底传送到第二基底位置或者从第二基底位置传送。
沉积装置制造有机发光二极管显示器方法

[发明专利]蒸镀装置及利用此的蒸镀量测量方法-CN201310325675.9有效
发明人： 朱星中;车裕敏;朴锡焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：根据本发明的蒸镀装置包括：多个蒸镀源，喷射蒸镀物质；基板固定部，将基板固定为与蒸镀源面对；蒸镀源挡板，布置在蒸镀源的一侧，并可开闭各个蒸镀源的入口；主挡板，布置在蒸镀源和固定于基板固定部的基板之间，并构成为使蒸镀物质的一部分穿过而蒸镀到基板。根据本发明的实施例，可有效率地掌握存在问题的蒸镀源而均匀地调整多个蒸镀源的蒸镀量。而且，通过准确地掌握存在问题的蒸镀源，可减少材料的损失。
装置利用蒸镀量测量方法

[发明专利]制造有机发光显示装置的方法-CN201310267705.5有效
发明人： 朱星中;白锡淳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：一种制造有机发光显示装置的方法包括制备具有像素电极和暴露所述像素电极的像素限定层的基板，在所述基板上形成空穴注入层（HIL）以覆盖所述像素电极和所述像素限定层，在所述HIL上形成底层，图案化所述底层以留下与所述像素电极的至少一部分相对应的区域，去除所述HIL的一部分以暴露所述基板的外围部，以及形成对电极以覆盖所述HIL和所述基板的所述外围部。
制造有机发光显示装置方法

[发明专利]薄膜形成装置及利用该装置的薄膜形成方法-CN201310217321.2有效
发明人： 朱星中;车裕敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：公开了薄膜形成装置和采用该装置的薄膜形成方法。所公开的薄膜形成装置包括形成有阻断部和开放部的掩模板；以及通过该掩模板的开放部喷射蚀刻气体、以与图案相对应地蚀刻薄膜的蚀刻源；在掩模板设置有气体吹动器，其中，所述气体吹动器向开放部周围吹入气体以使得蚀刻气体不会渗透至与阻断部对应的薄膜区域。根据如上所述的构成，可以在准确地保护薄膜的正常残留区域的情况下进行准确的图案化，因此当采用上述装置或方法时，可以稳定产品的质量，并且提高生产效率。
薄膜形成装置利用方法

[发明专利]发光显示装置及其制造方法-CN201310418200.4在审
发明人： 朱星中;车裕敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种发光显示装置及其制造方法。发光显示装置，包括：基板；第一电极，布置在基板上；第一绝缘薄膜，布置在基板上且包括暴露第一电极的一部分的第一开口；第二绝缘薄膜，布置在第一绝缘薄膜上且包括暴露第一开口的第二开口；发光层，包括发光材料，发光层布置在第一电极的暴露部分上，且还与第一绝缘薄膜接触；及第二电极，布置在发光层上，其中第一电极相对于发光材料的润湿和第一绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异低于第一电极相对于发光材料的润湿和第二绝缘薄膜相对于发光材料的润湿之间的差异。
发光显示装置及其制造方法

[发明专利]用于沉积的掩模及其制造方法-CN201210387327.X在审
发明人： 朱星中;许明洙;郑石源;张喆旼;李成用;赵喆来;韩仁爱 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：沉积掩模包括沉积掩模主体和涂层。掩模主体包括穿透掩模主体的多个狭缝。涂层涂覆于所述掩模主体的整个表面上。涂层由与掩模主体的材料不同的材料制成，并且其磁力强于掩模主体的磁力。狭缝中的每一个均具有开口区，并且涂层的厚度控制开口区的宽度。光刻处理被用来形成多个狭缝。
用于沉积及其制造方法

[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法和闪存器件-CN200910262258.8无效
发明人： 朱星中 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种半导体器件、制造半导体器件的方法和闪存器件，该半导体器件包括：半导体衬底；栅极，形成在所述半导体衬底上方；源极区，形成在所述半导体衬底中且位于所述栅极的一侧；漏极区，形成在所述半导体衬底中且位于所述栅极的另一侧；以及沟道区，形成在所述源极区与所述漏极区之间，所述沟道区包括第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区具有第一阈值电压，所述第二沟道区具有第二阈值电压，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。因此，所述半导体装置具有阈值电压不同的两个沟道区。本发明的闪存器件能够分别提高其擦除速度和编程速度。
半导体器件制造方法闪存器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910173266.5无效
发明人： 朱星中 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件和闪存器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底上形成氮化物膜；在所述氮化物膜上形成牺牲垂直结构；在所述牺牲垂直结构的侧面上形成牺牲间隔物；用所述牺牲垂直结构和所述牺牲间隔物作为蚀刻掩膜，对所述氮化物膜进行初始图案化；在所述氮化物膜被初始图案化之后去除所述牺牲间隔物，并在所述牺牲垂直结构的侧面上形成栅电极；以及从所述栅电极之间去除所述牺牲垂直结构，并使用所述栅电极作为蚀刻掩膜，对所述氮化物膜进行第二次图案化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]NOR闪存装置及制造该装置的方法-CN200810126242.X无效
发明人： 朱星中 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种具有后段工艺(BEOL)结构的NOR闪存装置，该BEOL结构包括：具有导电区域的衬底，在衬底上形成的第一金属间电介质层，在导电区域上形成的第一金属线，在第一金属线和第一金属间电介质上形成的第二金属间电介质层，延伸通过第二金属间电介质层的第一接触部，以及通过第一接触部连接至第一金属线的第二金属线。第一接触部和第一及第二金属线中的至少一个是由铜组成的，并且第一和第二金属间电介质层中的至少一个是由低电介质材料组成的。铜金属线和由低k(k＝3.0)材料组成的金属间电介质层的使用使得时间常数延迟改善40％或更多成为可能。
nor 闪存装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710143735.X无效
发明人： 朱星中 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件可包括：半导体衬底；层间介电层，形成于该半导体衬底上，具有镶嵌图案；扩散阻碍件，形成于镶嵌图案中，且由三价材料制成；籽晶层，形成于该扩散阻碍上；以及铜互连件，形成于该籽晶层上。在一个实施例中，该三价材料为CoFeB。本发明将非结晶层用作扩散阻碍件来避免铜的扩散，提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法-CN200610173269.5无效
发明人： 朱星中;李汉春 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开一种铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法。其中该监测方法包括如下步骤：测量沉积在衬底上的铜籽晶层的光反射率；以及通过将测量到的光反射率与未发生凝聚现象的基准铜籽晶层的基准光反射率进行比较，来估算该铜籽晶层的沉积温度。该估算步骤包括：如果测量到的反射率小于基准光反射率，则将铜籽晶层的沉积温度估算为高于约－25℃的温度，其中－25℃是用于沉积基准铜籽晶层的基准沉积温度。
籽晶沉积温度监测方法形成

[发明专利]用于半导体器件的金属线及其制造方法-CN200510097527.1无效
发明人： 朱星中;李汉春 -专利权人：东部亚南半导体株式会社
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种金属线及其制造方法，该金属线可通过使用CVD TiSiN形成用于铜线的防扩散层的阻挡金属而用于尺寸小于65nm的半导体器件结构。所述金属线包括：半导体基片，在其上形成有半导体器件；绝缘层，在对应于所述半导体器件的部分具有接触孔并且在所述半导体基片上形成；TiSiN阻挡金属层，在所述接触孔中形成；以及铜线，在所述TiSiN阻挡金属层上形成。
用于半导体器件金属线及其制造方法

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