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[发明专利]轨到轨输入级电路及运算放大器-CN202210373560.6有效
发明人：杨永晖;朱坤峰;杨法明;刘玉奎;黄文海;黄东;钱呈;张金龙;王鹏飞;陈俊 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过输入差分对模块与尾电流源模块、电流镜模块的配合设计，使得输入差分对模块可以利用MOS管自身的体效应实现输入信号的轨到轨输入乃至超过电源轨范围输入，输入信号的电压范围宽，不需要设计恒定跨导匹配电路，能有效避免现有输入轨到轨运算放大器电路的输入级中需要使用两对类型不同的输入管、需要对输入管进行跨导匹配而多设计的恒定跨导匹配电路，所带来的电路及版图的规模面积增加，以及对称性、匹配性下降问题。
轨到轨输入电路运算放大器

[发明专利]一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法-CN202010884582.X有效
发明人： 朱坤峰;张广胜;杨永晖;钟怡;崔伟;谭开洲;黄东;钱呈;杨法明;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。
一种基于 bicmos 工艺硅锗异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]伪随机分频信号产生电路及方法-CN202210108022.4有效
发明人：杨法明;朱坤峰;钟怡;殷万军;郭亿文;徐金贵;张俊安;李光波;龚榜华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K3/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种伪随机分频信号产生电路及方法，所述伪随机分频信号产生电路包括伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块。本发明将伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块结合起来，实现了对固定时钟脉冲的随机化分频，在降低时钟频率的同时，使得噪声功率谱密度均匀的分布在整个频域内，从而使得所有频率范围内具有相同能量密度的噪声，达到抗噪声干扰的目的，其产生的伪随机时钟脉冲信号可很好的用于要求失调较低的电路或者运算放大器，在自稳零运放中使用这种时钟进行失调电压校准时，在降低失调电压的同时，可以使时钟对运放输入端的影响呈现类似噪声的频谱特点，可有效避免使用周期性时钟造成的固定频点杂散，提高了抗干扰能力。
随机分频信号产生电路方法

[发明专利]一种双极晶体管及其制备方法-CN202111414737.4有效
发明人：张培健;魏佳男;易孝辉;税国华;洪敏;陈仙;罗婷;朱坤峰;张广胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区、设置在外延层中并环绕基区的发射区和集电区。通过包围基区和发射结的环形集电极场板形成的双极晶体管结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，从而降低了Si/SiO2界面附近二氧化硅陷阱缺陷对载流子的俘获和释放过程，进而有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的产额，达到抑制器件低频噪声的作用。
一种双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种用于多路复用器的断电保护电路-CN202210056760.9有效
发明人：徐青;钟昂;罗凯;熊派派;刘骏豪;朱坤峰;杭丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H02H3/02 文献下载
摘要：本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于多路复用器的断电保护电路，该电路包括：缓冲电路、断电保护电路以及开关电路；缓冲电路的输出端连接开关电路，断电保护电路的输出端连接开关电路；其中，缓冲电路包括四个MOS管和两个二极管；断电保护电路包括四个MOS管和两个二极管；开关电路包括两个MOS管；本发明设计了一种多路复用器的断电保护电路，通过缓冲电路和断电保护电路能消除断电时多路复用器产生的异常沟道电流和寄生二极管电流，提高电路的可靠性。
一种用于多路复用断电保护电路

[实用新型]一种用于天然气发电厂调压站的调压管路系统-CN202320152094.9有效
发明人：罗浩东;朱坤峰;苏金龙;刘鹏宇;潘敏 -专利权人：中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及调压站管道技术领域，公开了一种用于天然气发电厂调压站的调压管路系统，包括用于连接在调压器与冷冻水换热器之间的调压管线，调压管线上设置有用于控制管线通断以及压力的阀组单元；调压管线上还设置有保温箱，保温箱内包括具有容纳腔的箱体和布置在箱体上的箱盖，容纳腔用于放置防暑物品，调压管线具有穿装在箱体内的供冷段，供冷段上还设置有翅片。在调压器与冷冻水换热器之间的调压管线上布置保温箱，调压管线上冷量由供冷段上的翅片发散在保温箱内，工作人员可以在容纳腔内放置防暑降温用品，利用调压管线的冷量对防暑降温用品进行冷藏保存，在高温工作时可以使用，既合理利用了管路的冷量，还起到防止中暑的效果。
一种用于天然气发电厂调压管路系统

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法-CN202310230132.2在审
发明人：张培健;易孝辉;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;朱坤峰;谭开州;罗婷;张静;徐学良;付晓君;王鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，本发明采用赝埋层、基极接触面呈楔形和镍硅工艺，在衬底中形成赝埋层，在衬底的正面形成基极，基极的第一基区和第二基区接触面为楔形，在第一基区上形成楔形介电结构为侧面的沟槽，以楔形介电结构为掩膜进行离子注入，在第一基区的底部和赝埋层的顶部形成集电极，以介电结构为侧面的沟槽中形成发射极，采用镍硅工艺在发射极、基极及集电极形成欧姆接触的金属层。本发明在第一基区和第二基区采用楔形连接，增加了接触面积，减小基极电阻，通过在衬底中形成赝埋层以及镍硅工艺，减少埋层的形成，降低对热预算的需求，提升了工艺的复用性和可靠性。
一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种瓷砖铺贴勾缝装置-CN202310070460.0在审
发明人：张细华;林枝平;罗祖贤;刘世伟;朱坤峰;李艳萍;江伟军;余品清;敖细良;吁瑞;曾小燕 -专利权人：江西华翔建筑有限责任公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E04F21/165 文献下载
摘要：本发明涉及装修设备技术领域，尤其涉及一种瓷砖铺贴勾缝装置。本发明提供一种能够同步对缝隙进行清理的瓷砖铺贴勾缝装置。一种瓷砖铺贴勾缝装置，包括有壳体、支撑板、喷涂组件和触发组件，所述壳体为枪状，所述壳体枪口端装设有支撑板，喷涂组件与所述壳体固定连接，所述喷涂组件用于将勾缝剂喷涂填充在瓷砖缝隙中，触发组件活动连接在所述壳体上，所述触发组件用于控制喷涂开关，还包括有吹气组件，所述吹气组件包括喷嘴、气管和接头，喷嘴倾斜安装在所述支撑板上。本发明能够在勾缝时依序进行吹气清理、喷涂填充和平整清洁工作，有效地避免了勾缝时缝隙中杂质浮灰的干扰，能够极大地提高勾缝时的工作效率。
一种瓷砖铺贴勾缝装置

[发明专利]一种高温管道用支架及其高温警示方法-CN202110841924.4有效
发明人：李小龙;罗浩东;李懿靓;朱坤峰;张赢 -专利权人：中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： F16L3/18 文献下载
摘要：本发明涉及管道支架技术领域，公开了一种高温管道用支架及其高温警示方法，高温管道用支架包括管道夹具、底板和支撑架，其中，所述管道夹具可滑动地安装在所述底板上，所述底板固定在所述支撑架的顶部，所述管道夹具的外表面设置有显色涂覆层，所述管道夹具的外壁温度超过设定温度时，所述显色涂覆层显示设定颜色。本发明可以肉眼判断支架的温度，判断支架是否可以触碰，避免高温烫伤检修人员，从而便于检修人员对管道进行检修，避免造成安全隐患。
一种高温管道支架及其警示方法

[发明专利]结型场效应器件及其制造方法-CN202211223421.1在审
发明人：刘建;税国华;何峥嵘;周远杰;刘青;阚玲;朱坤峰;黄磊;王鹏飞;赵明琪 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。
场效应器件及其制造方法

[发明专利]一种应用于反井钻斜井工艺的出渣装置和掘进装置-CN202111051191.0在审
发明人：王洪波;王学军;朱坤峰;齐万鹏;杨建;薄国公;张安泽;赵文祥;程守业;李英全;韩博;陆江;段文爽;董浩 -专利权人：中国石油管道局工程有限公司;中国石油天然气集团有限公司;中国石油天然气管道工程有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： E21D9/12 文献下载
摘要：本申请提供一种应用于反井钻斜井工艺的出渣装置和掘进装置，属于反井钻斜井工艺技术领域。包括：包括动力输出装置、两个转盘、传送带、支撑杆；传送带绕设在两个转盘上，每个转盘两侧均连接有一个支撑杆；传送带上设置有多个向外凸出的刮渣结构，多个刮渣结构按照预设间距固定在传送带上，动力输出装置与两个转盘电连接；动力装置为两个转盘提供动力，以使两个转盘转动，传送带围绕两个转盘旋转，以使多个刮片将掘进过程中产生的弃渣刮送出斜井。使用本申请提供出渣装置，通过在传送带上设置多个刮渣结构，解决了在反井钻斜井工艺过程中，弃渣容易发生堆积，从而造成反井钻掘进停滞是亟待解决的问题。
一种应用于反井钻斜井工艺装置掘进

[发明专利]一种楼梯踏步防滑压槽器-CN202211391193.9在审
发明人：张细华;林枝平;刘世伟;朱坤峰;李艳辉;江伟军;余品清;敖细良;吁瑞;曾小燕 -专利权人：江西华翔建筑有限责任公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H02G1/06 文献下载
摘要：本发明涉及线槽走线施工领域，尤其涉及一种楼梯踏步防滑压槽器。人工铺设PVC软胶线槽需要蹲下进行铺设，工作量较大，操作较为繁琐，且人工进行铺设时依靠目测铺设路线进行铺设，易脱离铺设路线，铺设效果不佳。本发明的技术实施方案是：一种楼梯踏步防滑压槽器，包括有框体、线槽入线系统和线槽切割系统等；框体连接有线槽入线系统；线槽入线系统连接有线槽切割系统；第一收卷轮用于收卷待铺设线槽；线槽切割系统用于切割待铺设线槽。本发明通过线槽入线系统和线槽切割系统配合实现了待铺设线槽的半自动化铺设，减少了人工工作量的同时，提高了铺设效果，避免了线路脱离线槽的现象，提高了PVC软胶线槽使用时的便捷性。
一种楼梯踏步防滑压槽器

[发明专利]多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器-CN202210935982.8在审
发明人：殷万军;杨永晖;刘玉奎;钟怡;朱坤峰;龚榜华;曹依琳;谭开洲;黄磊 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1)形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2)淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3)淀积双多晶电容器第一层介质，并实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；4)淀积电容器介质层，并完成电容器介质层结构制作；低电压系数多晶电容器包括P型衬底、P型外延层、N型阱、自对准P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶膜层、二氧化硅介质层、电容介质层、低介电系数填充膜层、金属互连膜层、顶层金属键合区外保护介质钝化层；本专利改善了双多晶电容器的边缘效应，降低了可集成双多晶电容器的机械应力。
多层模拟 cmos 工艺边缘应力优化集成方法电压系数多晶电容器

[实用新型]一种用于自动化机床的防护机构-CN202122868185.6有效
发明人： 朱坤峰;高明山;韦任合;朱巍俊 -专利权人：安徽科韵自动化设备有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B23Q11/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于自动化机床的防护机构，涉及机床防护技术领域，解决现有装置的移动门不能完全打开，导致清洁不够彻底影响使用，以及现有装置存在移动门在工件加工过程中自行打开，引发安全事故或者导致工件加工失败的问题，包括机床箱体和支撑架，支撑架的顶部固定连接有机床箱体，机床箱体的顶部和底部分别开设有第一滑轨和第二滑轨，机床箱体的外侧安装有第一防护板和第二防护板，且第一防护板和第二防护板的外侧均滑动连接在第一滑轨和第二滑轨内；本实用新型的第一防护板和第二防护板能够相互卡接固定和完全打开，解决现有加工过程中存在第一防护板和第二防护板自行打开的问题，以及便于彻底清理的功能。
一种用于自动化机床防护机构

[发明专利]模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器-CN202210789412.2在审
发明人：殷万军;钟怡;刘玉奎;刘青;杨永晖;龚榜华;朱坤峰;张静;谭开洲 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器，步骤包括：1)在N型阱表面的场氧化层上方淀积P1埃米的多晶电容器下极板多晶膜层，并完成N型光刻注入掺杂；2)淀积d1埃米的双多晶电容器第一层介质，并采用曝光刻蚀工艺完成双多晶电容器下电极边缘保护膜层的制作；3)淀积d2埃米的多晶电容器介质复合膜层，并采用曝光刻蚀工艺完成电容介质层结构制作；高线性双多晶电容器包括衬底、N型埋层、P型埋层、外延层、N型阱、自对准P型阱等。本发明通过在模拟集成电路可集成高线性双多晶电容器高应力边缘效应优化技术方案，显著改善了双多晶电容器的边缘效应。
模拟 bicmos 工艺应力边缘效应优化集成方法线性多晶电容器

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