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[发明专利]一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法-CN202210067325.6有效
发明人： 朱其壮;倪飞龙;蒋海洋;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法，将集成无源器件的第二晶圆上滤波器的电极位置相对应的位置制作通孔，将第二晶圆切分成芯片后，通过贴片的方式键合到滤波器晶圆的围堰上，滤波器的围堰暴露电极及功能区域，从而实现不同尺寸无源器件芯片与滤波器晶圆的晶圆级封装，不仅提高了封装效率，晶圆的利用率，而且还能够提高良品率，降低封装损耗。
一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法

[发明专利]一种多芯片正装重置晶圆级封装结构及方法-CN202111599166.6有效
发明人： 朱其壮;陈振国;倪飞龙;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片正装重置晶圆级封装结构及方法，包括以下步骤：多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片1放置在贴有临时键合膜11的基板12上，芯片正面向上，背面贴合在基板上的临时键合膜上；芯片正面含有电极、关键功能区；第一层绝缘层制作，利用涂布、喷涂和层压工艺在基板12的有芯片面做上第一层绝缘层15，利用光刻等工艺进行图案化处理，暴露出芯片的部分电极和所有的关键功能区；最后，完成再布线工艺后主要封装工艺完成，后续按每组芯片尺寸切割成单个芯片进行后续PCB板焊接。所述多芯片封装工艺属于多个芯片一次封装，简化了多个芯片封装流程，提高了封装效率。
一种芯片重置晶圆级封装结构方法

[发明专利]一种滤波器晶圆级封装方法、封装结构及滤波器-CN202211225799.5在审
发明人： 朱其壮;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器晶圆级封装方法、封装结构及滤波器，该封装方法包括：提供滤波器晶圆；滤波器晶圆的正面包括多个器件设置区和位于相邻两个器件设置区之间的切割区；器件设置区中，第一区域包括层叠设置的空腔和电极结构层；第二区域包括与电极结构层的至少部分电极结构电连接的至少一个电极引出端；提供盖板；盖板的一侧设置有多个环形的支撑结构；将支撑结构与滤波器晶圆的第三区域键合；对盖板进行图案化；分别在各电极引出端上形成互联电极；形成覆盖盖板和滤波器晶圆的封装结构；互联电极贯穿封装结构。本发明的技术方案结构简单，具有较高密封性，可以改善芯片的散热性能，提高了滤波器的可靠性。
一种滤波器晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法-CN202210553087.X在审
发明人： 朱其壮;王朝阳;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法，声表面波滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆，晶圆的第一表面设置有声表面波滤波器，其中，声表面波滤波器包括叉指换能器和至少两个电极，电极的部分凸出于晶圆的边沿；围堰层，位于叉指换能器和电极之间且围绕叉指换能器，围堰层的厚度大于叉指换能器的厚度；遮蔽层，位于围堰层远离晶圆的一侧；封装层，位于遮蔽层远离晶圆的一侧，封装层覆盖晶圆的第一表面、电极远离晶圆的表面、围堰层和遮蔽层，封装层邻近晶圆的表面设置有凹槽，凹槽的侧壁露出电极的侧面。本实施例提供的封装结构及其制作方法，可以提高晶圆的密封性，也可以提高声表面波滤波器晶圆级封装结构的可靠性。
一种表面波滤波器晶圆级封装结构及其制作方法

[发明专利]一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片-CN202210413031.4有效
发明人： 朱其壮;朱杉;陈振国;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明涉及声表面波滤波器技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器晶圆封装方法，包括：声表面波滤波器晶圆的第一表面上设置有电极和关键功能区，声表面波滤波器晶圆设置有切割区域，电极和关键功能区不在切割区域内，采用隐形激光切割工艺在切割区域内加工形成改质层，改质层不延伸到表面。盖板晶圆的第二表面上设置有待切区域，待切区域与切割区域相对应，采用光刻工艺在待切区域内间隔均匀加工多个凸块。采用点胶或印胶工艺在第二表面上形成胶水区，胶水区对应电极所在区域，且不对应关键功能区，将声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆键合，以使第一表面与第二表面相对设置。本发明还提供了使用上述声表面波滤波器晶圆封装方法制造的芯片。
一种表面波滤波器封装方法芯片

[实用新型]一种不同尺寸无源器件与滤波器的晶圆级堆叠封装结构-CN202220159147.5有效
发明人： 朱其壮;倪飞龙;蒋海洋;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了不同尺寸无源器件与滤波器的晶圆级堆叠封装结构，第一晶圆上设置暴露滤波器电极及功能区域的围堰，将集成无源器件芯片堆叠在第一晶圆上并于围堰封装，集成无源器件芯片与滤波器电极相对应的位置具有通孔，接滤波器电极的金属互联线经所述芯片上的通孔与无源器件引脚的金属互联线延伸到同一表面，再与凸点连接。本实用新型实现了不同尺寸无源器件芯片与滤波器晶圆的晶圆级封装，不仅提高了封装效率，晶圆的利用率，而且还能够提高良品率，降低封装损耗。
一种不同尺寸无源器件滤波器晶圆级堆叠封装结构

[实用新型]滤波器晶圆级模组封装结构-CN202220225692.X有效
发明人： 朱其壮;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型的滤波器晶圆级模组封装结构，是一种模组芯片，该模组芯片由同时利用塑封料进行包封的多个不同种类芯片组成，塑封料包封芯片上表面和侧壁、以及除部分金属互联线之外的区域，金属互联线和减薄后塑封料的表面制作RDL线路，减薄后塑封料和RDL线路的表面制作钝化保护层；模组芯片内的单个芯片包括晶圆和金属互联线以及第一、二绝缘层，第一绝缘层位于晶圆表面，第一绝缘层暴露出部分电极、部分切割道和叉指换能器，第二绝缘层位于第一绝缘层表面，金属互联线覆盖在部分电极处；第一绝缘层、第二绝缘层以及晶圆之间形成空腔。本实用新型先将形成不同空腔的芯片用塑封料包封保护，防止金属互联线发生氧化及芯片受潮，提高芯片密封性。
滤波器晶圆级模组封装结构

[实用新型]一种半导体芯片的封装结构-CN202123302229.5有效
发明人： 朱其壮;倪飞龙;杨佩佩;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体芯片的封装结构。半导体芯片的封装结构包括晶圆片、绝缘结构和导电件。晶圆片的第一表面设有功能区和电极，电极沿功能区的周向间隔分布，电极远离功能区的侧壁倾斜设置；绝缘结构覆盖第一表面且朝向晶圆片的一侧开设容纳空间，功能区置于容纳空间与第一表面之间，绝缘结构的侧壁倾斜设置且与电极远离功能区的侧壁共面，形成朝向绝缘结构中部倾斜的切割斜面；导电件覆盖在切割斜面上并与电极电连接，导电件沿绝缘结构的外轮廓延伸至绝缘结构相背于晶圆片的端面上。本实用新型使得导电件在芯片的侧壁处为平面结构，减少了导电件上的拐点数量，保证了导电件的结构强度以及耐用性。
一种半导体芯片封装结构

[发明专利]一种多芯片倒装重置晶圆级封装结构及方法-CN202111599153.9在审
发明人： 朱其壮;倪飞龙;朱杉;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片倒装重置晶圆级封装结构及方法，包括：多芯片重置布局，采用贴片工艺将不同类型的芯片10放置在贴有临时键合膜01的基板02上，芯片背面向上，正面贴合在基板上的临时键合膜01上；芯片正面含有电极11、关键功能区12，基板02上规则排布多个组，以排满整个基板02为准；芯片背面保护膜层制作，利用层压覆膜工艺在基板02上的芯片背面做上第一层有机物膜层15，利用有机物膜层15密封住每个芯片，防止后续塑封时材料渗入；最后完成凸点制作后封装工艺完成，后续按每组芯片尺寸切割成单个芯片进行后续PCB板焊接。本发明的多面包封，即使芯片距离较小的情况下也能实现侧面包封，增强了芯片的可靠性。
一种芯片倒装重置晶圆级封装结构方法

[实用新型]一种半导体芯片的封装结构-CN202122895269.9有效
发明人： 朱其壮;杨佩佩;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体芯片的封装结构。半导体芯片的封装结构包括晶圆片、绝缘结构、金属屏蔽层和导电件。晶圆片的第一表面设置功能区和电极；绝缘结构覆盖第一表面且朝向晶圆片的一侧开设有容纳空间，容纳空间与第一表面之间围成空腔，功能区置于空腔内；金属屏蔽层覆盖绝缘结构；导电件一端与电极电连接，另一端依次穿设绝缘结构与金属屏蔽层，且导电件与金属屏蔽层之间绝缘设置。本实用新型提供的半导体芯片的封装结构，能够提高芯片的结构强度，也提高了芯片抗干扰能力。
一种半导体芯片封装结构

[实用新型]一种半导体芯片的封装结构-CN202122896319.5有效
发明人： 朱其壮;杨佩佩;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体芯片的封装结构。半导体芯片的封装结构包括晶圆片、绝缘结构、绝缘保护层和导电件。晶圆片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置功能区和电极；绝缘结构覆盖第一表面且朝向晶圆片的一侧开设有容纳空间，容纳空间与第一表面之间围成空腔，功能区置于空腔内；绝缘保护层包覆绝缘结构，且绝缘保护层的边缘朝向第二表面延伸，以覆盖绝缘结构的侧壁以及晶圆片的侧壁；导电件一端与电极电连接，另一端能够外露于绝缘保护层。本实用新型提供的半导体芯片的封装结构，提高了绝缘结构与晶圆片之间的连接可靠性，又降低了芯片封装时切割的难度，保证了产品的合格率。
一种半导体芯片封装结构

[发明专利]一种半导体芯片的封装结构及封装方法-CN202111608087.7在审
发明人： 朱其壮;倪飞龙;杨佩佩;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体芯片的封装结构及封装方法。半导体芯片的封装结构包括晶圆片、绝缘结构和导电件。晶圆片的第一表面设有功能区和电极，电极沿功能区的周向间隔分布，电极远离功能区的侧壁倾斜设置；绝缘结构覆盖第一表面且朝向晶圆片的一侧开设容纳空间，功能区置于容纳空间与第一表面之间，绝缘结构的侧壁倾斜设置且与电极远离功能区的侧壁共面，形成朝向绝缘结构中部倾斜的切割斜面；导电件覆盖在切割斜面上并与电极电连接，导电件沿绝缘结构的外轮廓延伸至绝缘结构相背于晶圆片的端面上。本发明使得导电件在芯片的侧壁处为平面结构，减少了导电件上的拐点数量，保证了导电件的结构强度以及耐用性。
一种半导体芯片封装结构方法

[实用新型]一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构-CN202122339810.8有效
发明人：陈崧;杨佩佩;朱其壮;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构。集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于晶圆衬底的一侧，滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧；封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极，并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔；叉指换能结构位于容纳腔内；金属无源器件层，位于封装绝缘层内且与电极电接触；金属无源器件层包括多个连接端子，封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子，据此，在滤波器晶圆级封装过程中实现了无源器件与滤波器晶圆级的集成，从而实现了滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。
一种集成无源器件滤波器晶圆级封装结构

[发明专利]一种滤波器晶圆级封装工艺-CN202111359714.8在审
发明人： 朱其壮;杨佩佩;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器晶圆级封装工艺，属于滤波器封装技术领域。该滤波器晶圆级封装工艺包括以下步骤：S1、在晶圆的工作面上设有第一绝缘层，并在第一绝缘层上开孔，以露出晶圆的第一区域、第二区域和第三区域。S2、在第一绝缘层上设有第二绝缘层，在第二绝缘层上开孔，以露出晶圆的第一区域和第三区域。S3、在第一区域内的电极上填充金属，以形成金属层，并在金属层上生成预设图案。S4、在第二绝缘层上设有第三绝缘层；在第三绝缘层上开孔，以露出预设图案。S5、在预设图案上制作焊点。S6、沿第三区域将晶圆切割开来，以形成多个芯片。上述工艺中的第三绝缘层将金属层的两侧保护起来，避免其与外界接触漏电，以提高滤波器的安全性。
一种滤波器晶圆级封装工艺

[发明专利]一种滤波器晶圆级封装工艺-CN202111359731.1在审
发明人： 朱其壮;杨佩佩;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器晶圆级封装工艺，属于滤波器封装技术领域。该滤波器晶圆级封装工艺包括以下步骤：S1、在晶圆的工作面上设有第一绝缘层，并在第一绝缘层上开孔，以露出晶圆的第一区域、第二区域和第三区域。S2、在第一绝缘层上设有第二绝缘层，在第二绝缘层上开孔，以露出晶圆的第一区域和第三区域。第三区域并未被第二绝缘层封闭，芯片之间分离设计，有效削弱了在后续工艺过程中产生的收缩差异，从而避免封装后的滤波器产生翘曲现象。S3、在第一区域内的电极上填充金属，以形成金属层，并在金属层上生成预设图案。S4、在预设图案上制作焊点。S5、沿第三区域将晶圆切割开来，以形成多个芯片。上述工艺提高了封装效率和封装效果。
一种滤波器晶圆级封装工艺

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