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[发明专利]蚀刻方法-CN201780030915.9有效
发明人：辻晃弘;本田昌伸;渡边光 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。
蚀刻方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202280015254.3在审
发明人：小野健太;石川慎也;西塚哲也;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：对包含含锡膜的基板进行适当地蚀刻。在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法具备：准备基板的准备工序，所述基板具备含碳膜、设置在含碳膜上的中间膜和设置在中间膜上且具有开口图案的含锡膜；第一蚀刻工序，将含锡膜作为掩模蚀刻中间膜而将开口图案转印在中间膜上；以及第二蚀刻工序，使用由包含氢、卤素或者碳和氧的处理气体生成的等离子体除去含锡膜并且将中间膜作为掩模蚀刻含碳膜。
处理方法以及装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202310861258.X在审
发明人：中谷理子;久松亨;石川慎也;熊仓翔;本田昌伸;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910665735.9有效
发明人：中谷理子;久松亨;石川慎也;熊仓翔;本田昌伸;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
等离子体处理方法装置

[发明专利]处理基板的方法-CN201811565044.3有效
发明人：田端雅弘;久松亨;熊仓翔;浅子竜一;石川慎也;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：[课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201780068805.1有效
发明人：田端雅弘;久松亨;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
处理方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202211308033.3在审
发明人：石川慎也;小野健太;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够控制开口尺寸。等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，掩模膜形成于蚀刻对象膜的上表面，掩模膜具有在蚀刻对象膜的上表面规定出至少一个开口的侧面和从侧面延伸出到蚀刻对象膜的上表面的至少一部分的延伸部；工序(b)，在掩模膜的至少侧面形成沉积膜；以及工序(c)，使用由第一处理气体生成的等离子体，至少对沉积膜的一部分进行蚀刻来使沉积膜的厚度减少，其中，第一处理气体包含用于对蚀刻对象膜进行蚀刻的气体，执行工序(c)直到在深度方向上蚀刻对象膜的一部分被蚀刻以使得延伸部被去除为止。
等离子体处理方法装置

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理系统-CN202280005782.0在审
发明人：户村幕树;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种提高蚀刻的选择比的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，蚀刻进行到基底膜在凹部处露出之前为止或者到基底膜的一部分在凹部处露出为止，和(c)在与(b)的工序不同的条件下，在凹部处将含硅膜进一步进行蚀刻的工序。
蚀刻方法等离子体处理系统

[发明专利]基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置-CN202211606830.X在审
发明人：木原嘉英;久松亨;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置。基片处理系统的各部分执行：步骤a，利用光学观察装置，对于具有被处理层和形成在被处理层的图案的基片，按照多个区域的每一区域测定图案的槽宽度；步骤b，按照多个区域的每一区域计算图案的槽宽度与基准值的差值；步骤c，基于被处理层的温度与在被处理层上的图案沉积的膜的膜厚的对应，使用与按照多个区域的每一区域计算出的差值对应的膜厚，按照多个区域的每一区域调节被送入处理容器内的基片的被处理层的温度；步骤d，在图案上，形成具有同图案的槽宽度与基准值的差值相当的厚度的膜；和步骤e，使用形成了膜的图案，对被处理层进行蚀刻。
处理系统方法装置

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201780031969.7有效
发明人：木原嘉英;久松亨;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值，在步骤(SB6)中，利用表示被处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节被处理层(J1)的温度，以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度，利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜，将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2)，按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值。
处理方法

[发明专利]处理方法和等离子体处理装置-CN201810165922.6有效
发明人：中谷理子;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供给来的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的、所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。
处理方法等离子体装置

[发明专利]半导体制造方法和等离子体处理装置-CN201810167763.3有效
发明人：中谷理子;本田昌伸;久松亨;田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至‑20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。
半导体制造方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统-CN202110654318.1在审
发明人：小野健太;石川慎也;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种为了对基片进行蚀刻而形成保护膜的技术。所公开的蚀刻方法包括：在基片的表面上形成保护膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和设置在该区域上的掩模。保护膜包含锡原子。蚀刻方法还包括：蚀刻基片内的区域的步骤。
蚀刻方法处理装置系统

[发明专利]蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统-CN202110067048.4在审
发明人：户村幕树;新关智彦;胜沼隆幸;笹川大成;中根由太;石川慎也;小野健太;熊仓翔;泷野裕辅;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
蚀刻方法处理装置系统

[发明专利]基片处理方法和基片处理系统-CN201980076470.7在审
发明人：久松亨;胜沼隆幸;石川慎也;木原嘉英;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。
处理方法系统

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