专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]树脂成型品-CN202210765606.9在审
  • 木村文彦;杉山康二;中野伦之;神尾建一 - 日本富拉司特株式会社
  • 2022-07-01 - 2023-03-03 - B29B11/14
  • 本发明的课题在于提供一种能够提高第一部件与第二部件的接合强度的树脂成型品。本发明为第一部件(5)和树脂制的第二部件(6)成型为一体的树脂成型品(1)。树脂成型品(1)具有延伸突出部(9),所述延伸突出部(9)由第二部件(6)形成,且相对于第一部件(5)的外缘部(8)的至少一部分位于外侧。树脂成型品(1)具有浇口部(11),所述浇口部(11)配置于延伸突出部(9),且为在成型时熔融树脂原料流入的部分。第一部件(5)在与延伸突出部(9)接触且沿着来自浇口部(11)的熔融树脂原料的流动方向的外缘部(8)具有面积扩大部(13)。
  • 树脂成型
  • [发明专利]外延硅晶片的制造方法-CN201510982956.0有效
  • 广濑健;辻雅之;木村文彦 - 胜高股份有限公司
  • 2015-12-24 - 2019-03-01 - H01L21/02
  • 利用具备基座(20)和加热环(30)的外延生长装置的外延硅晶片的制造方法,其特征在于,将硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述基座(20)的外周部的表面位置(c)高,并将所述硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述加热环(30)的表面位置(a)低,且调整所述硅晶片(W)的表面位置(b)与所述加热环(30)的表面位置(a)的差(b‑a),来控制形成于所述硅晶片(W)的<110>取向的外周部的外延层的膜厚与形成于所述硅晶片(W)的<100>取向的外周部的外延层的膜厚的差。
  • 外延晶片制造方法

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