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[发明专利]半导体存储装置-CN202210931346.8在审
发明人： 木村啓太;仲井健理 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能提高抹除动作的性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备多个存储单元、及控制对所述多个存储单元进行的抹除动作的控制电路，所述抹除动作包含对所述多个存储单元施加抹除电压的抹除处理、及判定所述抹除处理后的所述多个存储单元的阈值电压的抹除验证处理，所述控制电路在所述抹除动作中，对所述多个存储单元依次执行第1抹除处理、第1抹除验证处理、第2抹除处理及第2抹除验证处理，在所述第1抹除验证处理中，获取所述多个存储单元当中具有第1验证电压以下的阈值电压的第1存储单元，在所述第2抹除验证处理中，获取所述第1存储单元当中具有高于所述第1验证电压的阈值电压的第2存储单元的数量，判定所述第2存储单元的数量是否大于第1值。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201710133209.9有效
发明人： 木村啓太 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高写入的数据的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第一及第二存储器单元；第一及第二选择晶体管，一端分别连接于第一及第二存储器单元；第一及第二位线，分别连接于第一及第二选择晶体管的另一端；及选择线，连接于第一及第二选择晶体管。写入动作包含第一及第二程序循环。在对字线施加编程脉冲的期间，对第一位线施加第一电压，对第二位线施加第二电压，对选择线施加第三电压。在对字线施加编程脉冲之前，对第二位线施加第二电压，对选择线施加第四电压。对选择线施加第四电压的长度为第二程序循环比第一程序循环长。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其控制方法-CN201910718175.9在审
发明人： 木村啓太;滋贺秀裕 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储装置及其控制方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备：存储器晶体管；第1布线，连接在存储器晶体管的栅极电极；以及控制装置，进行从存储器晶体管读出数据的读出动作及将数据写入存储器晶体管的写入动作。控制装置从读出动作或写入动作的第1时序至第2时序，使第1布线的电压增大至第1电压为止，并对应于从第1时序至第2时序为止的第1布线的电压、电流及电荷量的至少一者，调整从第1时序至第2时序为止的长度。
半导体存储装置及其控制方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201810940109.1在审
发明人： 木村啓太;伊贺正彦;铃木雄一朗 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含：存储器串(NS)，包含第1选择晶体管(ST1)、与第1选择晶体管邻接的第1晶体管(MTDD0a)、存储单元晶体管(MT)、以及第2选择晶体管(ST2)；第1及第2选择栅极线(SGD及SGS)；第1字线(DD0)；第2字线(WL)；行解码器(11)；温度传感器；以及控制电路(14)。控制电路在删除动作中，在温度传感器的测定温度(Tmoni)为第1温度(Ts)以上的情况下，选择对第1字线(DD0)施加第1电压(VERA_DDH)的第1模式，在测定温度(Tmoni)小于第1温度(Ts)的情况下，选择对第1字线(DD0)施加第2电压(VERA_DDL)的第2模式。
字线半导体存储装置选择晶体管温度传感器控制电路存储单元晶体管施加选择栅极线存储器串行解码器邻接晶体管删除