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[发明专利]屏下光学指纹识别装置及系统、反射膜和液晶显示屏-CN201980004397.2有效
发明人： 曾红林;李家成;青小刚;李顺展 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：本申请提供一种屏下光学指纹识别装置及系统、反射膜和液晶显示屏，屏下光学指纹识别装置适用于具有背光模组的液晶显示屏，屏下光学指纹识别装置的指纹识别区域位于液晶显示屏的显示区域，屏下光学指纹识别装置包括指纹识别模组，指纹识别模组包括光学指纹传感器和光路引导结构；其中，红外指纹检测光在传输到背光模组的导光板和反射膜时，通过反射膜朝向导光板表面的支撑层的间隔作用，以减少红外指纹检测光在导光板和反射膜之间形成的干扰纹路。
光学指纹识别装置系统反射液晶显示屏

[发明专利]光模块结构及其形成方法-CN202210096654.3在审
发明人：吴家亨;曾红林;陈晓军;冯霞;殷霞革;张冬生 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光模块结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区；位于所述第二区上的光电转换结构；位于所述第一区上的第一波导，所述第一波导投影于所述光电转换结构表面的投影面积大于零，且所述第一波导到所述光电转换结构的距离小于耦合距离。所述结构可以减少了传输损坏和回损，提升了光模块结构的性能，同时，可以减少对制造工艺的限制，有利于获得高性能的第一波导。
模块结构及其形成方法

[发明专利]光器件及光器件的形成方法-CN202111556559.9在审
发明人：冯霞;曾红林;陈晓军;吴家亨;殷霞革;张冬生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种光器件及光器件的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；位于第二基底内的第一波导以及位于第一波导两侧的第一凹槽；位于第二基底内的第二波导以及位于第二波导两侧的第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度；位于第二基底内的第三波导以及位于第三波导两侧的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出所述埋氧层表面，所述第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影为三角形。所述结构能够有效减小回波损耗。
器件形成方法

[发明专利]光器件的形成方法-CN202111556569.2在审
发明人：冯霞;曾红林;陈晓军;吴家亨;殷霞革;张冬生 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种光器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；在第二基底内形成初始第三波导以及对应的初始第三凹槽，初始第三波导包括初始第三起始区；在初始第三凹槽内和初始第三波导上形成第一介质层；去除部分第一介质层和部分初始第三波导，在第二基底内形成第三波导和对应的第三凹槽，第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影面积小于所述初始第三起始区在所述衬底表面的投影面积。所形成的光器件能够有效减小回波损耗。
器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110956190.4在审
发明人：冯霞;金吉松;洪中山;曾红林;陈晓军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底顶部形成有介电层，介电层中形成开口，开口贯穿介电层，并延伸至部分厚度的衬底中；在开口中形成光电层；去除光电层侧部的部分厚度的介电层，在介电层中形成环绕光电层的沟槽，且沟槽露出光电层；形成覆盖介电层和光电层的覆盖层，覆盖层还填充于沟槽内。所述沟槽的形成，使得光电层四周的填充角度变大，相应提高了所述覆盖层在介电层和光电层之间的填充效果，从而降低所述覆盖层中产生空洞缺陷的概率，进而有利于提高半导体器件的性能(例如，可靠性性能)。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]光电探测器及其形成方法-CN202110670036.0在审
发明人：冯霞;曾红林;陈晓军;张冬生;殷霞革;吴家亨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本申请提供一种光电探测器及其形成方法，其中所述光电探测器包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一介质层；沟槽的第一部分，位于所述第一介质层中；沟槽的第二部分，位于所述沟槽的第一部分下方的部分所述第一介质层和所述半导体衬底中；光电材料层，位于所述沟槽的第二部分中并延伸至所述沟槽的第一部分中，且所述光电材料层的侧壁和所述沟槽的第一部分的侧壁不共面；第二介质层，位于所述第一介质层和所述光电材料层的表面并填满所述沟槽的第一部分。本申请技术方案的光电探测器及其形成方法能够避免在锗层表面填充介质层时的虚空现象。
光电探测器及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110523253.7在审
发明人：陈晓军;曾红林;冯霞;张冬生;殷霞革;吴家亨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括第一区和第二区，所述初始衬底包括第一基底、位于第一基底上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上的第二基底；去除所述第二区的第二基底；在去除所述第二区的第二基底之后，在第二区的第一绝缘层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成若干无源器件；在形成无源器件之后，在第一区形成若干有源器件。通过将所述有源器件和所述无源器件形成在同一晶圆上，避免了采用封装集成的制程，有效降低了生产成本，同时使得最终形成的半导体结构厚度尺寸降低，有利于器件的小型化。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110260919.4在审
发明人：冯霞;曾红林;陈晓军;吴家亨;殷霞革;张冬生 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底内具有第一掺杂区和第二掺杂区；位于衬底上的隔离结构；位于隔离结构和衬底内的第一开口；位于第一开口内的光吸收层，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零；位于隔离结构上的介质层，介质层覆盖光吸收层。通过位于隔离结构和衬底内的第一开口，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零。使得光吸收层的顶部侧壁与第一开口的顶部侧壁之间的间距增大。在后续形成介质层时，使得介质层能够很好的填充到光吸收层和隔离结构之间，减少了缝隙问题的产生，有效提升了锗光电探测器的可靠性，使得最终形成的半导体结构的性能提升。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种用于发电厂的空气冷却器降噪装置-CN202220711809.5有效
发明人： 曾红林 -专利权人：成都高尔达动力科技发展有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： F04D29/66 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于发电厂的空气冷却器降噪装置，涉及降噪设备技术领域。本实用新型的用于发电厂的空气冷却器降噪装置通过采用包括安装于轴流式通风机底部的减震底座和用于笼罩轴流式通风机的隔音罩，隔音罩的顶部设置有多孔板，多孔板的顶部设置有挡雨板，挡雨板与隔音罩连接，隔音罩的内壁设置有第一吸音组件，多孔板设置有第二吸音组件，第一吸音组件包括与隔音罩的侧壁连接的第一翅板，第一翅板表面设置有第一多孔吸音棉，第二吸音组件包括与多孔板的底部连接的第二翅板，第二翅板表面设置有第二多孔吸音棉的技术方案，具有削弱噪音、减少噪音影响的有益效果。
一种用于发电厂空气冷却器装置

[发明专利]半导体器件、其制作方法及电子设备-CN201810785736.2有效
发明人：陈峻;吴亮;董天化;曾红林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、其制作方法及电子设备，所述半导体器件包括在半导体衬底上的第一方向上间隔排列的多个栅极结构和多个高度调节单元，其中，相邻两个栅极结构之间形成有沿第二方向延伸的间隙，高度调节单元位于所述间隙在第二方向的延伸线上，互连层填充所述间隙并延伸覆盖于高度调节单元，而硅化层覆盖所述互连层。上述方案中高度调节单元可以抬高位于间隙之外的互连层的下表面的高度，从而减小填充间隙的互连层的上表面与位于间隙之外的互连层上表面之间的高度落差以改善互连层的平整性，进而提高硅化层在互连层上的覆盖能力，本发明另外还提供了上述半导体器件的制作方法以及包括上述半导体器件的电子设备。
半导体器件制作方法电子设备

[发明专利]屏下指纹识别装置及系统、导光板组件和液晶显示屏幕-CN201980004398.7有效
发明人：青小刚;李顺展;曾红林 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本申请提供一种屏下指纹识别装置及系统、导光板组件和液晶显示屏幕，屏下指纹识别装置，应用于具有液晶显示屏幕的电子设备，屏下指纹识别装置包括位于液晶显示屏幕的背光模组下方的指纹识别模组，背光模组包括导光板组件，其中，所述导光板组件用于通过增大位于其表面的微结构的高度使背光模组中和导光板相邻膜层的变形区域与导光板隔离，以避免指纹检测光在透过导光板组件时发生薄膜干涉，有助于消除导光板和与导光板相邻的膜层之间发生薄膜干涉现象。
指纹识别装置系统导光板组件液晶显示屏幕

[发明专利]光学指纹识别的方法、装置和电子设备-CN201980003993.9有效
发明人：张玮;李顺展;周飞;曾红林 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光学指纹识别的方法、装置和电子设备。该光学指纹识别装置包括：光路引导结构和光学指纹传感器；其中，该光路引导结构设置在显示屏和该光学指纹传感器之间，以将在该显示屏上方的手指形成的返回光信号引导至该光学指纹传感器；该光学指纹传感器包括的感应阵列用于接收返回光信号，并根据该返回光信号检测该手指的指纹图像；其中，该返回光信号包括的第一返回光信号为第一光信号透射进该手指，再从该手指透射出并穿过该显示屏的光信号。本申请实施例的光学指纹识别的方法、装置和电子设备，利用透射出手指表面的透射光获得指纹图像，可以不受手指是否与电子设备的表面接触良好的影响，成像效果更好，提高指纹识别的成功率。
光学指纹识别方法装置电子设备

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910733153.X在审
发明人：刘志坤;董天化;曾红林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔离出若干有源区；对所述有源区进行离子注入；离子注入后，在所述衬底上形成氮化硅层；进行退火处理，在所述有源区形成深阱；去除所述氮化硅层。本发明提供的半导体结构的形成方法，可以解决有源区损伤的问题，有利于提高半导体器件的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件及电子装置-CN201711421293.0有效
发明人：崔登峰;宋春;仇峰;曾红林;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及电子装置，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的芯片；围绕所述芯片的密封环；位于所述芯片与所述密封环之间的隔离区，所述隔离区的层间介电层中形成有若干交错排列的阻挡结构。本发明提供的半导体器件，在密封环与芯片之间增加了阻挡结构，从而避免刻蚀液进入密封环内部的芯片，进一步避免内部芯片受到损伤。
一种半导体器件电子装置

[发明专利]指纹检测的装置和电子设备-CN202080001570.6在审
发明人： 曾红林;程祥;张玮;李顺展 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请提供一种指纹检测的装置，能够提高指纹检测的性能。该装置设置于电子设备的显示屏下方，以用于屏下指纹检测，所述装置包括：彩色滤光层，包括多组彩色滤光单元，其中每组彩色滤光单元包括红色滤光单元，所述红色滤光单元用于透过手指返回的红光信号；红外滤光层，用于阻挡其截止波长以上的红光和红外光，其中，所述红外滤光层中与所述红色滤光单元对应的位置上设置有开孔，以不阻挡透过所述红色滤光单元的所述红光信号；光学指纹传感器，用于检测所述手指返回并透过所述彩色滤光层和所述红外滤光层的光信号，所述光信号用于获取所述手指的指纹图像，其中，所述光信号中的所述红光信号用于确定所述手指的真伪和/或用于强光检测。
指纹检测装置电子设备

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