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[发明专利]解决非晶硅薄膜与氧化硅薄膜之间的气泡缺陷的方法-CN202310769461.4在审
发明人：魏想;贡褘琪;张瑜;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种解决非晶硅薄膜与氧化硅薄膜之间的气泡缺陷的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底的表面形成氧化硅薄膜；对所述氧化硅薄膜进行预处理工艺以释放其表面及内部富集的氢；通过等离子体增强化学气相沉积工艺于所述氧化硅薄膜的表面形成非晶硅薄膜。通过本发明解决了现有的氧化硅薄膜与多晶硅薄膜间易形成气泡缺陷的问题。
解决非晶硅薄膜氧化之间气泡缺陷方法

[发明专利]改善腔体清洁效率的方法-CN202310782734.9在审
发明人：王诗昊;张瑜;曹永峰;曾招钦;鲍宇;郭晓清 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种改善腔体清洁效率的方法，所述方法包括：提供一能够实现原子层沉积工艺的腔体，所述腔体内有在形成铝钛合金薄膜的过程中产生的铝基附产物；将设于基座上的加热组件的位置随所述基座升至最高点，并在420℃～450℃的温度下加热4～8小时，且在加热的过程中使用氩气进行吹扫以清洁所述腔体，其中，所述基座设于所述腔体内，且其高度能够调节。通过本发明解决了现有的腔体清洁效率较低的问题。
改善清洁效率方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202310626839.5在审
发明人：相广欣;魏想;贡禕琪;曾招钦;鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过以第一沉积速率在半导体衬底上沉积第一氧化硅层，并以第二沉积速率在第一氧化硅层上沉积第二氧化硅层，第二沉积速率低于第一沉积速率，如此，可以使第二氧化硅层以低的第二沉积速率缓慢的沉积在第一氧化硅层表面上，避免了界面缺陷，由此可以为第一非晶硅层提供较好的接触面。以及，以低频射频的方式在第二氧化硅层上沉积第一非晶硅层，如此一来，可以降低第二沉积工艺的工艺气体的轰击强度，由此使第一非晶硅层与第二氧化硅层之间具有较好的接触面，提高氧化硅层和非晶硅层之间的粘附性，从而改善片状缺陷。
半导体器件形成方法

[发明专利]含N介质薄膜沉积后的后处理方法-CN202310152471.3在审
发明人：魏想;贡褘琪;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种含N介质薄膜沉积后的后处理方法，包括：步骤一、在半导体衬底上沉积含N介质薄膜，含N介质薄膜的沉积工艺的工艺气体中包括氨气，沉积完成后，含N介质薄膜的表面富集氨组份。步骤二、采用第一次等离子体预处理工艺将含N介质薄膜表面的氨组份分解并从而去除。步骤三、对去除了含N介质薄膜表面的氨组份的半导体衬底进行水洗工艺，以将半导体衬底表面的大颗粒去除，同时避免水洗工艺中的酸性水和氨组份反应形成无机盐水渍。本发明能防止在水洗工艺中产生水渍残留缺陷，从而提高产品良率。
介质薄膜沉积处理方法

[发明专利]PMOS的金属栅的制造方法-CN202111268267.5在审
发明人： 曾招钦;张瑜;方精训;鲍宇;徐建华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS的金属栅的制造方法，包括：步骤一、形成P型功函数金属层；步骤二、采用PVD工艺沉积N型功函数金属层，在栅极沟槽的底部表面之上N型功函数金属层具有山丘状形貌；步骤三、采用保形生长工艺形成第一顶部阻挡子层，第一顶部阻挡子层将N型功函数金属层在栅极沟槽角落处的尖角区域完全填充；步骤四、采用PVD轰击处理工艺生长第二顶部阻挡子层，利用PVD轰击处理工艺的垂直轰击增强第一顶部阻挡子层的原子密度以及将中间区域的第一和第二顶部阻挡子层的材料溅射到栅极沟槽的角落处并使栅极沟槽中的开口形貌呈U型；步骤五、形成第三和第四顶部阻挡子层。步骤六、形成金属导电材料层。本发明能降低金属栅的金属材料扩散。
pmos 金属制造方法

[发明专利]一种拓宽电化学镀铜填孔工艺窗口的方法-CN202310021629.3在审
发明人： 曾招钦;张瑜;方精训;鲍宇;薛兴坤 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种拓宽电化学镀铜填孔工艺窗口的方法，在基底上形成沟槽或通孔；在沟槽或通孔表面依次沉积阻挡层和种子层；在沟槽或通孔内进行Cu的电镀；Cu的电镀采用周期换向脉冲电镀；周期换向脉冲电镀包括正向脉冲的电镀和反向脉冲的电镀；电镀完成后，对沟槽或通孔进行化学机械研磨；在电镀后的沟槽或通孔上形成Co的帽层；沉积介质层覆盖所述沟槽或通孔。正向脉冲的电流的应用，提高了瞬间电流密度，得到了更高的成核密度，有助于抵抗硫酸铜溶液的腐蚀，从而允许容忍前工艺更薄的铜籽晶层。反向脉冲的电流，溶解沟槽或通孔顶部的铜，抑制提前封口，拓宽工艺窗口。
一种拓宽电化学镀铜工艺窗口方法

[发明专利]通孔及其制造方法-CN202011171786.5在审
发明人：徐建华;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔，包括：通孔开口以及将通孔开口完全填充的Ti层、胶水层和钨层；Ti层进行了退火处理使Ti层和通孔开口的底部的硅衬底发生硅化反应并形成TiSi层；钨层包括钨籽晶层和钨主体层；钨籽晶层覆盖在所述胶水层表面上；胶水层由TiN层组成并分成多个TiN子层，全部或部分TiN子层受到了退火处理，受到退火处理的TiN子层的颗粒的大小由对应的TiN子层的厚度限制且颗粒的大小限制为使钨籽晶层为连续结构。本发明公开了一种通孔的制造方法。本发明能采用和胶水层相组合的Ti层自对准形成TiSi层，同时能防止TiSi层的退火使胶水层产生较大的晶格颗粒，从而能使钨籽晶层为连续结构并防止钨层中出现缝隙。
及其制造方法

[发明专利]铜填充凹槽结构及其制造方法-CN202011171811.X在审
发明人： 曾招钦;鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜填充凹槽结构，包括：凹槽，形成于第一介质层中；在凹槽的底部表面和侧面形成有阻挡层；在阻挡层的表面形成钴层和钌层；铜层将形成有阻挡层、钴层和钌层的所述凹槽完全填充并形成铜填充凹槽结构；铜层完全由铜电镀膜组成；由钴层和钌层叠加形成铜层的辅助成核膜层。本发明还公开了一种铜填充凹槽结构的制造方法。本发明铜层不含铜籽晶层，完全由铜电镀膜组成，从而能提高在凹槽中填充铜的能力，有利于铜填充凹槽结构的缩小，特别适用于作为14nm工艺节点以下的铜连线和通孔。
填充凹槽结构及其制造方法

[发明专利]接触孔的制作方法-CN202111226189.2在审
发明人：鲍宇;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触孔的制作方法，包括：在介质层中形成沟槽，介质层形成于衬底上方，衬底表面形成有半导体器件；在介质层和沟槽表面形成扩散阻挡层；通过CVD工艺在扩散阻挡层表面形成线性衬垫层；通过PVD工艺在线性衬垫层表面沉积形成衬垫层；在衬垫层表面形成铜种籽层；在铜种籽层上形成铜层，铜层填充沟槽；进行平坦化处理，去除沟槽外的扩散阻挡层、线性衬垫层、衬垫层、铜种籽层和铜层，使沟槽外的介质层暴露。本申请通过在接触孔的制作过程中，通过CVD工艺形成线性衬垫层后，通过PVD工艺在线性衬垫层表面生成衬垫层从而改善线性衬垫层的成膜质量，降低其电阻，从而提高了器件的电学性能，进而提高其可靠性。
接触制作方法

[发明专利]金属互连结构的制备方法-CN202111226452.8在审
发明人：鲍宇;曾招钦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属互连结构的制备方法，包括：在介质层中形成沟槽，介质层中形成有金属连线，沟槽底部的金属连线暴露；在介质层和所述沟槽表面形成初始金属层，初始金属层包括目标金属元素或目标金属元素和目标金属元素的化合物；在初始金属层表面形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层表面形成种籽层；在种籽层上形成金属层，金属层填充沟槽，金属层和种籽层中包含的金属元素相同；进行平坦化处理，去除沟槽外的初始金属层、扩散阻挡层、种籽层和金属层，使所述沟槽外的介质层暴露。本申请通过在金属互连结构的制备工艺中，在形成扩散阻挡层之前，形成初始金属层以增强扩散阻挡层和其下方的金属连线之间的粘附力，提高器件的可靠性与产品的良率。
金属互连结构制备方法

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