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[发明专利]一种基于磁性隧道结的人工神经元器件及应用-CN202211414785.8在审
发明人：曾柯心;涂华垚;雒雁翔;吴宇轩;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于磁性隧道结的人工神经元器件及应用，人工神经元器件包括磁性隧道结，用于响应于驱动电信号发射射频电信号，磁性隧道结包括盖帽层、磁性自由层、势垒层、钉扎层以及反铁磁层，磁性自由层具有沿势垒层指向盖帽层方向的磁各向异性，盖帽层用于调节磁性自由层的磁各向异性，以使射频电信号的发射频率与驱动电信号无关；第一电极层布置在磁性隧道结一侧；第二电极层布置在磁性隧道结另一侧，第二电极层用于和第一电极层配合向磁性隧道结输入驱动电信号。本申请人工神经元器件通过改变盖帽层厚度能够实现射频电信号的固定发射频率；可模拟人工神经网络中的人工神经元工作特性，作为自旋振荡器应用于基于射频的人工神经网络。
一种基于磁性隧道人工神经元器件应用

[发明专利]声波激励磁电天线的制备方法及其结构-CN202211124036.1在审
发明人：胡瑞;曾中明;林文魁;云小凡;张宝顺;徐德超 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种声波激励磁电天线的制备方法以及声波激励磁电天线结构，所述声波激励磁电天线的制备方法包括：在衬底上依次沉积第一支撑层、底电极层、压电薄膜层以及磁致伸缩薄膜层；依次对磁致伸缩薄膜层、压电薄膜层以及底电极层进行图形化刻蚀，并暴露第一支撑层；在第一支撑层上沉积绝缘层并进行图形化刻蚀，以形成隔离磁致伸缩薄膜层和底电极层的绝缘环。本发明的声波激励磁电天线的制备方法及声波激励磁电天线结构，合理的工艺流程和工艺水平以及良好的结构设计使得本发明的声波激励磁电天线具有高增益和较大宽带的特点。
声波激励磁电天线制备方法及其结构

[发明专利]MEMS敏感结构、倾角传感器及其控制方法-CN202211055815.0在审
发明人：吴东岷;苑文强;李永成;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS敏感结构、倾角传感器及其控制方法，MEMS敏感结构，包括：框架和敏感单元。敏感单元包括：第一检测极板、第二检测极板、第一反馈极板、第二反馈极板以及质量块和支撑梁，质量块具有检测部和反馈部，检测部和反馈部能够以质量块与支撑梁的相连处为支点朝不同方向倾斜。本发明的MEMS敏感结构、倾角传感器及其控制方法，通过跷跷板式的MEMS敏感结构，具有较高灵敏度；在质量块上施加产生检测电容的检测脉冲信号，在反馈极板和质量块上施加产生静电反馈的反馈脉冲信号，检测脉冲信号和反馈脉冲信号分时的加载在MEMS敏感结构上，检测极板和反馈极板各自独立，避免了反馈信号对检测信号的干扰，从而提高测量精度。
mems 敏感结构倾角传感器及其控制方法

[发明专利]一种压电式磁性调谐盘型陀螺仪及其制备方法与应用-CN202110223123.1有效
发明人：王祥翔;赵岳;曾中明;吴东岷;张宝顺 -专利权人：上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01C19/5656 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电式磁性调谐盘型陀螺仪及其制备方法与应用。所述盘型陀螺仪包括具有空腔的支承结构、悬空设置于空腔上的谐振盘和连接谐振盘与支承结构的多个弹性连接件。其中，谐振盘上对称分布有至少一对驱动电极和至少一对敏感电极，驱动电极和敏感电极均包括依次叠设在谐振盘上的第一电极、压电层和第二电极，且所述谐振盘上还分布有第一磁性层，或者，驱动电极和敏感电极均包括依次叠设在谐振盘上的第一电极、压电层和导电的第一磁性层。该盘型陀螺仪通过逆压电效应驱动，压电效应检测，并通过磁致伸缩效应和磁电耦合效应调谐频率，避免了微电容的使用，减小了加工难度，提高了进一步减小器件尺寸的可能性以及器件灵敏度。
一种压电磁性调谐陀螺仪及其制备方法应用

[发明专利]基于拉梅模式声波激励的磁电天线及其应用-CN202210694473.0在审
发明人：林文魁;云小凡;吴东岷;张宝顺;曾中明;刘义彰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于拉梅模式声波激励的磁电天线及其应用。所述磁电天线包括至少一个谐振单元，所述谐振单元包括具有声波反射结构的衬底，压电层，设置在衬底上，第一电极和/或第二电极，所述第一电极设置在压电层上，所述第二电极设置在衬底与压电层之间；所述压电层在第一方向和第二方向上均具有压电性能，所述第一方向为所述压电层的平面方向，所述第二方向为所述压电层的厚度方向，所述第一电极和第二电极中的至少一者包含磁电复合层，所述磁电复合层包括磁致伸缩层，所述第一电极和第二电极中的至少一者具有叉指电极结构。本发明实施例提供的磁电天线，在单端口施加RF信号时能同时激励产生d33厚度扩展模式和d31横向扩展模式。
基于模式声波激励磁电天线及其应用

[发明专利]人工神经元-CN202210975433.3在审
发明人：涂华垚;曾中明;雒雁翔;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工神经元，包括微波单元，器件单元以及权重单元。所述微波单元用于产生微波信号；所述器件单元响应于所述微波信号，并输出符合不同峰值响应点的多条钟型曲线的直流电压信号；所述权重单元赋予权重值以调节所述直流电压信号强度。本发明的具有高灵活性的基于群体编码的人工神经元，可以实现单神经元具有多种可调的非线性激活特性，可以适应不同人工智能计算场景的需要。
人工神经元

[发明专利]光扫描式激光干涉直写设备及直写方法-CN202211035218.1在审
发明人：吴东岷;余冠群;曾中明;张宝顺;许玥;苑文强 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光扫描式激光干涉直写设备以及直写方法，直写设备包括光学扫描头、光路系统以及载物台。光学扫描头用以提供能在一定平面范围内移动的扫描光束；光路系统至少包括沿扫描光束的光路方向依次设置的分光装置以及成像组件，分光装置用以将扫描光束衍射分光以形成至少两束相干的激光光束，成像组件用以将激光光束重新聚焦并形成干涉条纹，以在曝光对象上进行激光干涉直写；载物台可被控制的始终保持于成像组件的像平面上，且能在所述像平面内移动。本发明的光扫描式激光干涉直写设备，利用光学扫描头扫描速度快，控制精度高的特点，结合分光装置，可以大大缩减点阵干涉图案的直写时间。
扫描激光干涉设备方法

[发明专利]激光扫描系统和方法-CN202110232579.4在审
发明人：吴东岷;周珏;谢杰;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明揭示了一种激光扫描系统和方法，该方法中同时进行MEMS微镜扫描和转镜扫描，其中，对MEMS微镜在振动时产生的正弦反馈信号进行调理，输出第一波形信号；采集转镜扫描过程中镜面的角位移信号并输出第二波形信号；控制第一波形信号和第二波形信号具有相同的频率，且相位差为0。本发明通过MEMS微镜与转镜的同步扫描方案，既能实现较高的扫描频率，也能获得较大的扫描角度。
激光扫描系统方法

[发明专利]一种基于谐振环阵列的衰减器-CN202210420855.4在审
发明人：卫子瑶;曾中明;王战亮;潘攀;宫玉彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于谐振环阵列的衰减器。通常谐振环制作在介质表面，电磁波从正上方入射时谐振环具有较强的吸收能力，当电磁波斜入射时吸收能力下降。而本发明基于谐振环阵列的衰减器由多个锥形四面体按照阵列方式排布，并置于金属平面或介质平面上而形成，同时谐振环制作在锥形四面体的四个侧表面，这样现有技术的基于表面谐振环阵列的衰减器表面变为基于锥形四面体阵列的衰减器表面，当电磁波斜入射时，对于谐振环是正入射，具有最大吸收能力，而且无论从哪个方向斜入射都可以获得最大吸收，因此本发明提出衰减器具有较为宽广的方向性。
一种基于谐振阵列衰减器

[发明专利]一种谐振环阵列构成的衰减器-CN202210437400.3在审
发明人：卫子瑶;王战亮;曾中明;胡强;宫玉彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种谐振环阵列构成的衰减器，由多个多层堆叠谐振环结构按照阵列方式排布形成。所述多层堆叠谐振环结构为类金字塔结构，由于最下一层介质基板和金属谐振环较大，所以具有较低的工作频率，越往上的层介质基板和金属谐振环越小，工作频率越高，因此，本发明既能够工作较低频率，又能够工作较高频率，具有工作频带宽的优势。此外，本发明中的多层堆叠谐振环结构，虽然每一层都是平面结构，但是通过堆叠后构成垂直的一个阵列，该类垂直阵列对于平行入射的电磁波也具有吸收作用。也就是说，本发明谐振环阵列构成的衰减器实际上是三维阵列，对于各个方向入射的电磁波都有吸收作用。相对于常规表面谐振环阵列只能吸收垂直入射电磁波，本发明具有更宽广的方向性。
一种谐振阵列构成衰减器

[发明专利]声驱动磁电天线及其制备方法-CN202210205115.9在审
发明人：云小凡;林文魁;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明揭示了一种声驱动磁电天线及其制备方法，所述磁电天线从下向上依次包括衬底、第一电极层及磁电异质结构，所述磁电异质结构从下向上依次包括压电层、磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层，所述磁致伸缩复合层至少包括位于压电层上且作为第二电极层的磁致伸缩薄膜层，所述磁电天线形成有至少两个复合体声波谐振器的级联结构，所述复合体声波谐振器为磁电效应谐振器，包括薄膜体声波谐振器和/或高次谐波体声波谐振器。本发明的声驱动磁电天线利用了谐振器的薄膜厚度差异和衬底位置分布差异实现多个复合体声波谐振器级联，多个谐振器的谐振模态以微小频移形成磁电天线S21传输系数带宽增强，具有小尺寸、宽带和阻抗匹配可调节等优点。
驱动磁电天线及其制备方法

[发明专利]基于VR和AR的半导体微纳加工工艺实训系统及其用途-CN202010799307.8有效
发明人： 曾中明;王祥翔;胡瑞;曾春红;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VR和AR的半导体微纳加工工艺实训系统及其用途。所述半导体微纳加工工艺实训系统包括微纳加工课件单元，以及与所述微纳加工课件单元通过互联网连接的支撑硬件单元和支撑软件单元，所述微纳加工课件单元包括半导体微纳加工技术中的安全防护模块、原材料模块、工艺原理模块、半导体设备模块、工艺设计模块和工艺操作模块。本发明利用VR/AR技术，通过构建半导体微纳加工过程的虚拟场景，能实现半导体微纳加工工艺技术的教学、训练、模拟操作与考核评估，可支持多人同时在线学习，信息实时共享，有利于扩大半导体工艺人员的培训规模和效率，具有操作安全、交互感强烈、沉浸式体验、成本低、效率高等特点。
基于 vr ar 半导体加工工艺系统及其用途

[发明专利]一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用-CN202111337684.0在审
发明人： 曾中明;张宝顺;王启丽泰;涂华垚;陈倩 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维磁性材料的突触器件及其应用。所述突触器件包括：第一电极、第二电极和磁性功能层；所述磁性功能层设置于第一电极和第二电极之间；并且，所述磁性功能层包含两个以上铁磁层，两个以上所述铁磁层沿所述磁性功能层的厚度方向层叠设置，所述铁磁层由二维磁性材料形成；所述第一电极、第二电极还与电压源电连接，所述电压源用于调控所述磁性功能层中的至少一个铁磁层的磁矩翻转，并使所述磁性功能层生成多态信号。本发明中的基于二维磁性材料的突触器件，器件整体尺寸小，具有较高的集成度和集成自由，且功耗低。
一种基于二维磁性材料突触器件及其应用

[发明专利]磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用-CN202111393245.1在审
发明人：胡瑞;林文魁;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁调谐薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用。所述磁调谐薄膜体声波谐振器包括依次叠设的第一电极、压电材料层和第二电极；所述第二电极包括交替层叠的至少一第一材料层和至少一第二材料层，其中至少一第一材料层为磁致伸缩薄膜，所述磁致伸缩薄膜与压电材料层配合形成磁电异质结。本发明实施例提供了一种磁调谐薄膜体声波谐振器，以磁性伸缩复合薄膜作为上电极，利用磁性材料与压电材料的磁电效应，实现在磁场的作用下对FBAR的谐振频率在低频、中频甚至是高频范围内的调节。
调谐薄膜声波谐振器及其制备方法应用

[发明专利]基于斯格明子的自旋忆阻突触器件-CN202010262550.6在审
发明人： 曾中明;李荣鑫;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于斯格明子的自旋忆阻突触器件，其包括：两端口存在自旋霍尔角的重金属层；位于重金属层上的磁性自由层，所述磁性自由层被划分为隧道结区和斯格明子存储区域，所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间设置有阻碍斯格明子自由移动的阻隔件；依次设置于隧道结区上的绝缘势垒层、磁性钉扎层和金属顶电极；其中，所述金属顶电极被配置为连接初始化电流以在所述隧道结区产生斯格明子，所述重金属层被配置为连接写入电流以驱动斯格明子在所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间移动，所述金属顶电极还被配置为连接读出电流以读取所述隧道结区的电导。本发明提供的自旋忆阻突触器件具有读写能耗低、稳定性高、电导态数目相对多的优点。
基于明子自旋突触器件